单晶涡轮叶片材料本构模型及应用研究

综述了各向异性单晶叶片强度分析和寿命预测方面的一些研究工作。这些工作包括:建立并验证了弹塑性、蠕变滑移本构模型及蠕变持久寿命预测方法;进行了不同晶体取向DD3单晶在不同温度、不同速率或不同温度、不同应力水平下的拉伸试验、蠕变、疲劳及热疲劳试验;开发了大型单晶结构有限元分析软件SLAPSC和ABAQUS的umat;用双剪切试样和模拟叶片等系列试验对模型和有限元进行考核。作为应用研究,对某发动机单晶涡轮叶片进行了强度分析和寿命预测。      

镍基单晶合金高温蠕变的θ映射模型

针对镍基单晶涡轮叶片蠕变的晶体方向性问题,运用θ映射法,在晶体滑移理论框架下,建立了能够描述镍基单晶合金各向异性蠕变的θ模型.利用文献中2种镍基单晶合金(DD3和CMSX-4)的蠕变数据,对所采用的方法进行了验证,并获得了2种材料各自对应的材料参数.理论预测值和试验数据基本吻合.结果表明:将θ映射法移植到晶体滑移理论中是可行的,能够用来模拟镍基单晶合金的各向异性蠕变行为.     

DMLD在航空发动机修理中的应用

直接金属激光沉积(DMLD),又称激光净成形(LENS)、直接金属沉积(DMD)、直接激光沉积(DLD)、激光包覆以及粉末熔焊.其过程的实质是:用激光束在金属基体上形成一个熔池,将粉末送入熔池熔化并黏结在基体上形成沉积物.激光器以及粉末进给用的喷嘴均采用CNC机器手或龙门架式系统操作.     

镍基单晶合金气冷叶片模拟试样的蠕变性能研究

对带孔和不带孔的某第二代镍基单晶合金平板试样进行了蠕变性能试验研究与有限元对比计算.高温蠕变试验表明, 平板试样的晶体取向和是否开孔对蠕变寿命有明显的影响.气膜孔导致蠕变寿命的降低, 对[001]取向的影响大于[111]取向.在高温低应力条件下, [001]取向的蠕变性能要优于[111]取向.有限元分析结果表明, 气膜孔改变了试样中的应力分布, 在孔附近产生了高应力, 导致模拟试验蠕变寿命的降低.有限元计算蠕变持久寿命与试验结果吻合, 说明采用基于分切应力的蠕变持久寿命计算模型是合理的.      

DD3单晶弹粘塑性损伤本构模型

介绍了DD3单晶高温合金宏观各向异性，弹粘塑性损伤本构模型的建立过程，推导了模型中的DD3单晶损伤演化方程；对模型的结构和特点作了简要分析。对模型材料常数的标定方法作了简单的讨论。利用DD3单昌材料的实验数据，对950℃下的模型材料常数进行了具体标定，给出了标定结果。给出了模型的预测结果和试验结果的对比曲线，从这些曲线可以看出，该模型能够比较准确地描述单晶的力学行为特点，可望用于单晶叶片的结构分析。     

一种考虑各向异性的DD6单晶高温合金低周疲劳寿命预测方法

为研究DD6单晶合金低周疲劳性能,准确预测其低周疲劳寿命,基于循环损伤累积(CDA)寿命模型,引入取向系数,提出一种考虑晶体取向的CDA寿命修正模型,并对DD6单晶合金试棒进行了760℃低周疲劳试验。利用CDA寿命修正模型与Coffin-Manson寿命预测模型对试验数据进行分析、比较得到:DD6单晶合金低周疲劳性能[001]取向最优,[011]取向次之,[111]取向最差;CDA寿命修正模型在各晶体取向寿命预测分散性皆优于Coffin-Manson寿命预测模型,具有更好的预测精度;CDA寿命修正模型综合考虑取向相关系数对各取向低周疲劳寿命的影响,具有更广泛的适用性。     

镍基单晶涡轮叶片结构强度分析有限元程度及应用

全面介绍了各向异性晶体滑移结构强度和蠕变分析有限元程序的原理，功能特点，及其在镍基单晶涡轮叶片中的应用实例。     

单晶高温合金叶片用熔模壳型的研制

介绍了一种加矿化剂的单晶壳型。它具有高强度、壁厚薄而均匀的特点，已应用该壳型成功浇注了单晶叶片。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.     

NiAl单晶合金的精密铸造

ＮｉＡｌ单晶合金的精密铸造ＮｉＡｌ合金在熔点、密度、导热性和抗氧化性等性能上优于高温合金，所以很可能用于制造叶片等零件。虽然对研制ＮｉＡｌ合金和确定其最佳性能条件已做了大量的工作，但对这类合金成批生产的方法仍关注较少。人们已经认识到，精密铸造是生产Ｎ...