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61.
以某型发动机慢车抽真空状态转速摆动故障为研究对象,对故障发生机理进行分析,制定相应的排故策略,并通过具体案例验证了排故措施的有效性。  相似文献   
62.
机翼/主起落架连接结构传力路线分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在分析载荷传递的各种路线情况的基础上,通过改变主撑杆接头厚度和隔板厚度来观察连接结构各部分的应力状态,总结出其对传力路线的影响及其自身在连接结构中所处的地位,根据分析结果给出连接结构设计意见及建议。  相似文献   
63.
SHD-A型多通道固态调频发射机系统主要应用于航空通信系统-点对多点的声音、振动、测控等基带信号的发射与传输。此发射机采用了锁相频率合成器、单机多通道(1-4频道)发射和固态功放电路等技术,与目前国内的晶振固定发射频率调频发射机相比具有发射频率可随意调整、频稳度高、省去了多级倍频器和高阶滤波器,使电路简单可靠、调试方便、性能价格比高。是国内首先将此技术应用于小型固态调频发射机机型,此系统已通过航空  相似文献   
64.
侧向喷流的气动增益特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文实验研究了一种弹翼身组合体构型在亚、跨、超声速,不同动量比以及不同喷口布局条件下的侧向喷流气动增益情况。给出了来流马赫数、喷流动量比、喷口布局等对增益特性的影响。结果表明,马赫数和喷口布局对增益特性均有显著影响,但本文定义的增益因子却基本与动量比无关。此外,对比分析了单独体构型和翼身组合体构型增益特性的差异,进一步揭示了主流、喷流在二者相互作用中的地位和影响。本文结果对认识侧向喷流干扰特性、气动增益、开发高效喷流姿态控制技术等有一定参考意义。  相似文献   
65.
航空发动机的一种新型主燃油泵设计   总被引:9,自引:0,他引:9  
根据航空发动机对主燃油泵的新要求,阐述了满足这些要求的一种离心一高压变流量旋涡组合泵的选型理由,着重论述了确定离心泵式燃油增压泵设计流量的新思路和调节离心泵流量的结构原理,简要介绍了旋涡泵及其协同工作,最后通过与已广泛采用的离心-齿轮组合泵的性能比较,阐释了这种离心-高压变流量旋涡组合泵的先进性。  相似文献   
66.
葛运圻 《推进技术》1988,9(1):79-84,96
本文以Billig模型和公式为基础,给出了超音燃烧室的分析计算方法;并以燃烧室的进口马赫数是2.2为例,对燃烧室的工况、壁型及参数变化进行了详细的分析研究。所得结论,有助于对超音燃烧室的理解和设计。  相似文献   
67.
多维数据表的动素分解,合成和向前推测   总被引:1,自引:1,他引:1  
多维数据瑗态规律的研究焦点,集中在如何克服其数据规模庞大的困难,并同时保护数据系统一性质。对此,本文提出了多维数据分解与合成理论,在对动素间的协调性,动素合成方式以及动素分解完备性进行论述和理论证明的基础上,给出了多维动态数据表向前推测的工作步骤。该方法将手推测数据系统主要特征的变化规律,来实现对多维数据表的整体预测,这将使多维数气压 表推测过程更为简捷,直观和有效。  相似文献   
68.
以1997年1月空气天气事件期间的观测为依据,在构造了比较接近真实的背景太阳风基础上,进一步利用三维时变的MHD模式,模拟了CME(日冕物质抛射)激发的扰动在行星际空间的传播过程,对地球空间环境的影响及行星际磁场南向分量Bz在1AU的时间经历。模拟结果与WIND卫星的测量进行了比较。结果表明,模拟与观测得到的扰动得到地球的时间、地球空间环境各量的变化及Bz的时间经历基本一致。  相似文献   
69.
旋转光滑直通道湍流流动一维热线实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用一维热线详细测量了不同雷诺数下及较高旋转数条件下旋转光滑直通道内湍流边界层及主流的速度型,在此基础上构建适用旋转数范围更广的旋转通道对数律的修正公式,分析了旋转效应对壁面摩擦速度的影响。实验过程中雷诺数范围是15000~25000,旋转数范围是0~0.444。通道壁面为室温,流体与壁面之间无热交换。结果表明:旋转对于通道截面速度型影响很大;旋转导致速度型整体向后缘面偏转,但最高速度出现在靠近前缘面的区域;后缘面无量纲平均速度型分布顺序与旋转数排列次序相一致,在对数律区符合对数律规律。壁面剪切应力在前缘面随着旋转数的增大而先单调递减,而在后缘面的变化趋势与此相反。旋转状态下修正的对数律公式斜率随着旋转数的增加而单调递减且在后缘面递减的趋势逐步有所减缓,并提出了对数律区的旋转修正公式,公式的误差范围控制在15%以内。   相似文献   
70.
高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R~20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调。论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验。  相似文献   
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