卫星波束标校信号码型对比分析

针对GEO轨道通信卫星同步定点后会出现周期性漂移，导致波束指向不确定的问题，本文对波束标校系统中的信号捕获进行了研究。由于标校信号捕获依赖于标校信号之间的正交性及其自相关特性，因此文中提出了标校系统中信号码型选择需要考虑的关键问题。特别是在天线存在指向误差时，Ka频段标校站接收信号功率最大差异可达近30 dB，这给标校信号码型设计和标校信号的捕获带来了困难，因此文中从码型的抗干扰性能、实现复杂度、能量估计精度和捕获特性等几个方面，分析和对比了m序列信号、Walsh信号、单频信号和Chirp信号（扫频信号）这4种码型各自的优点和缺点，并用MATLAB进行了仿真。结果表明：在抗干扰性能上，伪随机序列信号和Walsh信号最好，Chirp信号次之，单频信号最差；在复杂度方面，Chirp最复杂，伪随机序列和Walsh序列次之，单频方式最简单；在估计精度方面，三者的估计精度相当；在捕获性能方面，Walsh信号的捕获性能明显优于m序列，而且当两个标校站的接收信号功率之间存在较大差异时，Walsh信号的捕获性能明显优于m序列。因此标校系统可优先选择Walsh码作为标校信号。     

《宇航材料工艺》征稿简则北大核心CSCD

1来稿不宜过长,著作稿--般不超过5000字,综述稿一般不:超过7000字(包括图表在内)。2来稿应有100~300字以内的中英文文摘.3-8个关键词、中图分类号,并附英文文题、作者姓名的汉语拼音、对外英文单位名称,英文图题.英文表题等。3来稿一律用Word文档,外文字母.数学符号大小写、正斜体.上下角标要清晰可辨。4来稿务必在文稿的首页底注明第--作者的作者简介(姓名、出生年、学历职称、主要从事的研究工作)E-mail地址、联系电话(手机号码)等信息。     

卫星太阳电池阵研制标准体系建设及与国外ECSS对标分析

近几年卫星在地面试验中以及在轨运行中出现多次太阳电池阵相关的异常问题，通过对地面试验和在轨数据的分析，确认属于频繁高发的同一类型质量问题。分析其原因主要由于新技术、工艺条件发生变化，而相关的太阳电池阵设计标准、地面试验验证手段没有适应该变化，导致出现异常。本文针对卫星太阳电池阵研制标准体系建设开展研究，对国外ECSS （欧洲空间标准化合作组织）卫星太阳电池阵研制标准进行对标分析。重点研究标准体系在太阳电池阵、结构机构、太阳电池电路以及太阳电池片的设计、生产、装配、测试、验收标准的制定和应用；对太阳电池板研制标准体系进行分析研究，为后续太阳电池阵的研制过程及试验提供参考，对确保卫星安全可靠供电，圆满完成飞行任务具有重要意义。     

一种改进的补偿因子区域不变CS算法及Simulink模型建模

相位补偿因子、距离向补偿因子和方位向补偿因子的产生是合成孔径雷达实时CS（Chirp Scaling，调频变标）算法中的关键。针对一种现有的补偿因子区域不变CS算法进行了改进，对于更新步长内各单元的统一补偿因子，采用该区域内所有单元频率平均值对应的补偿因子，代替原来使用的第一个单元对应的补偿因子，使得最终的补偿结果相比于原有算法更加均匀，计算量与原有算法相当。经过Matlab仿真验证，改进算法的成像指标得到提升。为便于生成FPGA代码，采用Simulink工具搭建了用于生成改进算法中三种补偿因子的模型。将Simulink模型输出的代码加载到Vivado软件中，对Vivado输出的补偿因子与由Matlab输出的精确补偿因子进行了对比，精度满足要求，验证了所搭建Simulink模型的准确性。     

基于MBD的框类组件数字化制造方法应用

大型框类组件的制造采用数字化制造方法具有很大优越性,本文论述了将MBD技术应用于框类组件的数字化制造中的方法,给出了框类组件的数字化协调路线以及MBD环境下的数字标工建立方法及应用方法,对提高大型框类组件的制造技术水平并显著缩短制造周期具有重要现实意义。     

一种星载遥测采集电路优化设计

为了解决传统卫星平台配套使用的遥测采集模块数字量遥测回传延时、缓存成本高的问题，研制了一款基于FPGA控制、无需硬件缓存的即采即发遥测采集电路。该电路收到遥测请求指令后，可实现模拟量实时采集实时发送，使在相同遥测采集周期的条件下数字量遥测回传的时延明显降低，解除了对存储器件的依赖性，降低了研制成本，可为星务平台提供高实时的遥测参数，为平台更好地实现任务规划提供操作依据。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。