微波FET有源倍频器的工程设计

介绍了一种微波FET有源倍频器的工程设计方法，采用该方法研制的Ku波段五次倍频器具有倍频效率高、温度稳定性好的特点，适合于星载应用。     

微波功率晶体管输出功率和增益测试

叙述微波晶体管功率参数的意义及其测量的必要性、重要性，给出了输出功率和用率增益的测试原理框图、测试结果举例和误差分析。     

JL294-3型晶体管直流参数测试表的测试方法

JL294—3型晶体管直流参数测试表是新研制的测试各种晶体二极管、三极管、可控硅、场效应管等多种直流参数的仪器，本文对此仪表的测试方法进行了探讨。     

MOSFET单粒子烧毁引起的DC/DC电源变换器功能失效试验研究

文章利用回旋加速器产生的Kr离子,对双路输出的DC/DC电源变换器开展了单粒子效应试验研究,分析了在空载和加载两种偏置条件下的试验结果,指出内部功率MOSFETs器件的漏-源端电压在单粒子辐照条件下超出了器件的击穿电压是导致DC/DC电源变换器单粒子功能失效的直接原因,最后给出了航天器电源系统抗辐射设计和功率MOSFETs器件选用建议。     

战斗机设计基础：第九部分 航空电子设备（2）

在雷．怀特福德关于航空电子设备的第二篇文章中，也研究了自５０年代末期以来航空电子设备的发展情况，这包括能使航空电子设备在战斗机作战飞行中发挥日益重要作用的一些新发明，象晶体管和微型芯片的发明已对探测器的能力产生了巨大影响。     

XJ4810型图示仪故障分析与维修三例

我单位是半导体器件生产厂家,晶体管特性图示仪的使用量非常大.在多年的检/校工作中,发现该仪器由于受使用环境、开机时间长、搬移等因素的影响,容易出现精度下降、光迹漂移等现象.     

零电压开关下的IGBT在电火花加工脉冲电源中的应用研究

介绍了零电压开关下的IGBT的工作原理，通过对电路的计算机仿真和样机实验，证实了该项技术的优越性．     

大功率晶体管最优驱动电路研究

大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动，提出了一种新型驱动电路，很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时，比例驱动管子工作于深饱和状态，使功率管的损耗达到最小；另一方面在功率管关断时，驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入，在功率管的基极提供很强的基极反抽电流，使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比，本方案由于功率管深度饱和，从而使管子的通态饱和压降降低了0.5V，损耗亦降低了63.4W；另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍，存储时间增加权0.1us，实现了大功率晶体管的最佳驱动。