整流网对水槽流场品质的作用

整流网对降低水流湍流度有明显作用。在本实验条件下,加网后一般可使湍流度降低50％～70％;此外能极大地改善湍流度沿垂线的分布,使之趋于均匀。经比较发现40目网对提高水流品质效果最佳,其相应的密实度σ=0.3,和他人在风洞实验中建议σ<0.3相当吻合。     

高空舱整流网固定螺栓断裂原因分析及排故方案

对高空舱整流网固定螺栓断裂原因进行了理论分析和数值计算,找出了故障原因,并提出了解决方案。某涡扇发动机数百小时的各飞行状态高空模拟试验证实,改造成功有效。     

整流天线组阵等效模型与实验

文章将整流天线单元等效为一个直流源和负载的串联,以此提出整流天线串/并联组阵等效模型,得到整流天线的组阵形式及最佳负载与阵元个数之间的关系。利用所设计的低功率密度应用整流天线单元,用ADS软件仿真了二元并联阵,实验测试了二元串联阵与二元并联阵,其仿真与实验结果均与组阵模型基本吻合,从而验证了整流天线组阵模型的有效性。并且提出了多元组阵的可行性方案,为大规模阵列设计提供指导。     

无线能量传输的核心功率器部件挑战与进展

微波无线能量传输系统中高功率微波发射、高效率微波整流是共性关键技术，其中高效率微波整流是区别于传统无线系统的专项技术。首先，从两类4种微波功率源国内外典型产品技术方案、成果水平开展论述；系统探讨了二极管、三极管及电真空器件整流技术发展现状及研究热点。其次，针对微波无线传能系统高效率、高动态、高集成、长寿命多功能公用传能建设等技术挑战，提出了应对策略和解决途径；最后，进一步凝练和规划了面向空间高功率微波无线能量传输系统的关键技术、核心产品，并对我国无线功率传输的核心器部件及系统构架做出展望。     

基于改进的卷积神经网络的步态识别

为了提高惯性传感器采集到的序列数据中步态识别的准确率，建立了一个激励层改进的卷积神经网络(CNN)模型。针对三轴加速度传感器对运动太过敏感导致步态周期划分不准确的问题，采用加速度传感器与弯曲度传感器组合获取人体运动信息。将CNN模型中激励层的线性整流函数（ReLU）改进为带泄露线性整流函数(Leaky ReLU)，以解决遇到卷积输出数据小于0时神经元被抑制的问题，进而达到提高步态识别准确率的目的。实验结果表明：激励层优化的CNN模型在行走、上下楼和上下坡五种步态模式下识别率达到了95.79%，与未采用弯曲度传感器的改进CNN模型和未进行激励层改进的CNN模型相比，步态识别率有所提高。     

发动机氧泵后流场数值仿真研究

发动机氧泵至燃气发生器段的流场结构直接影响着发动机的工作性能,从理论上分析氧泵后是否需要设置整流栅以调整流场,对发动机总体设计十分必要。针对氧泵后流场的特点,借助CFD计算手段,对该段流场进行有整流栅和无整流栅两种情况的数值模拟,计算得到流阻、发生器入口处的总压均匀度、氧阀流量均匀度以及阀芯受力情况。结果表明:氧阀后设置整流栅是有必要的。     

空间用太阳翼电路部分隔离二极管应用分析

针对空间太阳翼隔离二极管的应用,结合标准规范及太阳翼电路部分的工程设计约束与在轨应用经验,给出了空间太阳翼电路部分隔离二极管的设计方案;结合工程研制经验,给出了不同类型太阳翼电路部分隔离二极管的应用建议,为相关科研人员提供参考。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。