硅微加速度计系统设计技术

本文探讨了硅微加速度计的系统设计方法,采用专用MEMS设计软件建立了“三明治”式硅微加速度计自顶向下的系统模型,该模型对于硅微加速度计的系统设计和优化具有指导意义。通过优化改进设计,目前硅微加速度计零位重复性已达到2×10-4g（3个月,1σ）,正在开展探月二期工程的应用研究。     

硅微加速度计控制系统设计

由于静电场的负刚度导致控制回路系统的不稳定,因此静电力闭环硅微加速度计控制系统设计是硅微加速度计技术的关键核心技术,也是硅微加速度计设计的难点技术之一。在硅微加速度计项目研制过程中,我们解决了仪表回路系统的稳定性问题、高增益和带宽的问题,保证了仪表启动的快速性、精度和稳定性。     

一种可紫外光固化新型耐烧蚀涂料研究

基于巯基-乙烯基光引发逐步聚合机理,以含有乙烯基的液态硅氮烷预聚物与多元巯基化舍物为基体,辅以某种陶瓷微粉作为填料,研制了一种可紫外光固化的新型耐烧蚀涂料.采用等温差示光量热扫描(DPC)和测试固化度研究了填料添加量对紫外光固化放热行为和一次成型厚度的影响关系.结果表明:在制备0.5 mm厚的涂层时,填料添加量逐渐从0增至5%(质量分数,下同),固化放热峰值和放热量随添加量的增大而逐渐减小,且固化放热峰从尖锐逐渐趋于平坦,这是由于填料的加入使得涂料变为不透明,对入射的紫外光线产生了衍射/反射作用,从而减弱了辐照强度;填料添加量大于10%时,明显阻碍光固化反应的发生,涂层的一次成型厚度随填料添加量的增加而降低,可采用多次涂敷的措施解决涂层厚度不足的问题.当填料添加量从0增至20%,对于1.0 mm厚的涂层而言,在800℃质量保持率从61.2%增至73.5%.填料含量20%的涂层具有较为优异的耐烧蚀性能,氧-乙炔烧蚀的线烧蚀率为0.252 inm/s,质量烧蚀率为61.7 mg/s.     

硅含量对聚硅乙炔树脂热性能的影响

合成了一系列不同硅含量的聚硅乙炔树脂,研究了硅含量对其耐热性能的影响.采用GPC、1H-NMR和29Si-NMR对树脂结构进行了表征,并运用DSC、TGA等对其热稳定性及高温抗氧化性进行了初步表征.TGA测试结果表明具有不同硅含量的树脂固化物在氮气中的残重率无明显差异,均在81%～85%;而在空气气氛中,树脂的残重率随着硅含量的增加而明显提高,从51%提高到67%,表明硅含量的增加有利于改善树脂的抗氧化性能.对于本体系硅含量的增加也伴随着Si-H键含量的增加,降低树脂固化温度,增大固化放热量.     

射频磁控溅射法制备聚氟薄膜及其性能研究

研究了卫星相控阵雷达天线系统的TR组件表面聚氟材料薄膜的制备工艺,采用射频磁控溅射法成功地在TR组件表面制备了聚氟薄膜,并对所制备的薄膜进行了电子二次倍增效应阈值试验.结果表明,聚氟薄膜不但具有良好的绝缘性能,且其二次电子发射也较低,提高了电子二次倍增效应阈值.对薄膜组分与形貌进行了X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析表征,薄膜较好的保持了聚氟材料的特性,其均匀性和致密性均达到了实际应用要求.     

聚偏氟乙烯/亲水性高聚物共混相容性及膜性能

采用相转移制备聚偏氟乙烯、亲水性高聚物共混膜.用绝对粘度、DSC等对PVDF/B共混体系的相容性进行了研究,测试了膜的水通量、截留率膜强度等性能.结果表明,PVDWB为部分相容体系,当PVDF/B共混比为9:1、固含量为16%时,膜的水通量达到416.0 L/m2·h,对BSA截留率达到92.8%.     

红外灯阵热流密度不均匀度测量方法的探讨

利用红外灯阵模拟空间外热流前,需对灯阵的热流密度不均匀度进行测试.文章通过实验证实利用硅光电池进行红外灯阵热流密度不均匀度测量是可行的,且负载电阻应尽量小,一般为1Ω.文章还对不均匀度的评价指标进行了分析,建议在使用δ作为不均匀度评价指标的同时,增加一个相对标准差指标δσ,并建议其应小于2.5﹪.     

低碳硅锰系TPIP钢热处理工艺的研究

仅含碳、硅、锰合金元素的结构钢,采用临界区等温淬火热处理工艺,得到了铁素体、贝氏体和残余奥氏体三相组织。该钢在Ｍｓ（马氏体转变开始温度）～Ｍｄ（马氏体转变终止温度）ｄ温度之间形变,应变诱导相变,相变诱发塑性－－ＴＲＩＰ,其力学性能指标大大提高。本文通过显微组织观察,力学性能结果分析,对这种低碳硅锰系ＴＲＩＰ钢三种不同的热处理工艺制度进行了研究。     

硅铝丝超声键合弹坑效应的影响研究

对于硅芯片引线键合过程中经常出现的薄膜剥落和弹坑问题,从焊盘结构、键合线材料、键合参数和键合顺序等方面分析了影响因素。不合适的焊盘硬度和厚度会造成弹坑,引线键合时应特别注意。对于键合引线,除延伸率和抗拉强度外,引线硬度也应引起关注。对于键合参数,针对不同的芯片和键合引线,应进行参数优化,以达到最佳的键合效果。研究结果为实际生产中硅铝丝键合工艺的优化提供了解决思路。     

基于硅基MEMS工艺的快速控制反应镜制作

快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system, MEMS,)工艺制作微型快反镜,对于实现快反镜和跟踪系统的小型化、轻量化有重要意义。陈述了一款硅基快反镜的结构设计、工艺选择以及制作攻关过程。通过加工便利性、加工精度、加工可靠性与制作成本的综合分析比较,确定了MEMS深硅刻蚀工艺制作小型化快反镜可动结构技术思路。快反镜的制作中,通过“化面为线”的版图优化减少刻蚀面积解决了深硅刻蚀不匀问题,通过清洗方法的对比和择优解决了反射镜面表面清洁度问题,通过改变金属化方法解决了镜面的面形精度控制问题。测试结果表明,此款基于硅基MEMS工艺的小型化快反镜满足了设计和应用需求。