CMOS集成硅压力传感器

新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路,一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4·H_2O经腐蚀加工而成。在0～70℃范围内,灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于±0.5％。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术,当电源电压变化±10％时,灵敏的变化不超过±1.5％。     

N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定纯镍中硅含量

为简化纯镍中硅含量的测定过程,提高测量精度,研究了一种N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法用于检测。介绍了方法的原理、工作参数和测定条件,并确定最佳工作条件,讨论了燃烧温度、共存离子等干扰因素的影响。实验结果表明,该法的灵敏度高、干扰小、选择性和重现性好,操作简单,分析周期短。其测定结果的相对标准偏差均小于1.0%,标准加入回收率大于97.0%(样本数n=6),可满足实验室仪器分析质量与控制的要求。     

硅压阻式湿度传感器

介绍应变式湿度传感器的工作原理,以硅压阻元件为基础,制作了湿度传感器、组成桥式电路,得到电压输出,湿度与输出呈直线关系,滞后特性甚小,满足实用要求。     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

非硅氧化物的滤出及其机理探讨

 采用B核磁共振仪,激光拉曼光谱仪,隧道扫描显微镜及各种化学分析等方法,较系统地研究了沥滤温度、时间和酸液浓度对拉制的钠硼硅玻璃纤维纯度的影响。结果表明,高钝超细SiO_2,纤维可以用酸沥滤法获得;揭示了纤维中非硅氧化物沥出的规律;并初步探讨了沥滤机理,认为沥滤过程主要是B~(3+)和N~+与H~+发生交换扩散的过程。     

金属-氟塑料自润滑材料的摩擦磨损特性

对奥贝球铁衬套材料和金属氟塑料自润滑衬套材料的摩擦磨损性能进行研究.结果表明,金属氟塑料自润滑材料与45钢配副的摩擦系数远远低于奥贝球铁材料与45钢配副,金属氟塑料自润滑材料的耐磨性能也优于奥贝球铁材料.由于金属氟塑料自润滑材料优良的自润滑性能,与其配对的45钢的磨耗量也远远低于与ADI对磨的45钢.     

涡轴8A航空发动机AS7G03合金的铸造工艺

本文从分析ＷＺ８Ａ航空发动机铝铸件的特点入手，系统地介绍了生产ＡＳ７Ｇ０３合金的铸造工艺，详细地评论和比较了ＡＳ７Ｇ０３合金的常温机械性能。     

用XPS研究氟惰性电子液（FC－77）对陀螺仪材料的腐蚀

本文论述了用ＸＰＳ方法研究三种不同厂家的氟油对陀螺仪用金属及非金属的腐蚀。使用ＸＰＳ方法研究氟油对陀螺仪材料的腐蚀，可在短时间内给出明确的质量评价，是一种有效的腐蚀检测方法。     

用聚合物裂解制造Si3N4或Si3N4—SiC陶瓷材料

本文对国外用聚硅氮烷或其它聚合物裂解制造Ｓｉ３Ｎ４，Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ陶瓷材料的研究进行了扼要的综述，着重介绍了聚硅氮烷的制造方法，并展望了其应用前景。