分开排气式喷管喷流噪声预测及试验研究

为揭示涡扇发动机分开排气式喷管喷流噪声的频谱分布和指向特性,对喷管缩比模型远声场喷流噪声进行了预测及试验研究,并开展了全尺寸喷管基准型及锯齿型喷流噪声的预测工作。结果表明:采用Tam & Auriault方法可以预测出喷流噪声的声压级值和空间指向分布,喷流噪声具有明显的指向性。与基准型喷管相比,锯齿型喷管具有良好的降噪效果;内外涵锯齿型喷管在中低频段的降噪效果优于内涵锯齿型喷管,在高频段的降噪效果差于内涵锯齿型喷管;在本文研究参数范围内,指向角小于88°时内外涵锯齿型喷管总声压级(OASPL)值高于内涵锯齿型喷管。     

基于虚拟仪器的机载模块性能测试系统

针对传统机载设备侧重于功能测试的技术缺陷,提出了一种机载模块性能测试系统。阐述了测试系统的架构设计和基于LabVIEW的算法实现,使用虚拟仪器技术,实现了航空电子总线ARINC429模块中信号性能的自动测试和故障报告。实验结果表明,该系统能有效完成模块信号性能的自动测试与故障报告,提高了航空电子自动测试设备的通用性与可靠性,对未来两级维修体制下的航空电子设备ATE的发展具有一定的现实意义。     

ARINC429总线信号测试平台的设计

本文基于对ARINC429总线信号的分析,提出了ARINC429总线信号测试平台的设计,该平台可以及时发现测模块的潜在故障,有利于提高ARINC429总线信号模块产品的质量水平。该测试平台可以实现对各类包含ARINC429总线功能的模块进行自动测试,减少了专用测试设备的研制,极大的缩减了测试设备的研制经费和维护成本。     

一种涡轮发动机加速控制规律设计的新方法

 提出了一种涡喷、涡扇发动机加速控制规律快速设计的新方法：在发动机稳态特性计算模型的基础上,通过额外增加转子提取功率,使得发动机稳态工作点（线）靠近喘振边界,在同时考虑燃烧室富油熄火边界、涡轮进口总温限制以及压气机喘振裕度限制的条件下,利用适当的控制规律描述形式并结合发动机工程研制中的经验,能够快速而准确地获得涡喷、涡扇发动机加速控制规律。对某型涡喷发动机加速控制规律的改进的计算结果表明,提出的加速控制规律的设计方法准确而有效。     

民用飞机飘降总轨迹计算分析

飘降分析是民用飞机性能计算中的重要内容,目前波音飞机性能手册中只提供飞机的飘降净轨迹,本研究用计算机FORTRAN90语言编制程序实现了积分计算,以B757—200／RB211-535E4为算例对飘降总轨迹做了计算,并分析了温度、飞机重量、初始巡航高度等因素对飞机飘降总轨迹的影响。     

SRAM FPGA电离辐射效应试验研究

针对SRAM FPGA空间应用日益增多,以100万门SRAM FPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66 MeV·cm2/mg,出现SEU（单粒子翻转）;LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI（单粒子功能中断）,通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66～64.8 MeV?cm2/mg范围内,未出现SEL（单粒子锁定）;试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75 krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效。试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI。SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余（TMR）配合定时重新配置（Scrubbing）。关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA。     

航空发动机环形燃烧室噪声总声级的GMDH方法研究

采用数据处理的组合方法（GMDH）,研究航空发动机环形燃烧室测试数据。通过简单的二元二次回归原理来构造出下一代较为复杂的次级回归方程,并且利用＂优选原理＂淘汰掉次级回归方程中的那些不理想的项,得到燃烧室噪声总声级的高阶方程,获得较客观的描写复杂非线性系统的非线性模式。     

INS/SAR组合导航参数传递建模及精度分析

 对合成孔径雷达景象匹配辅助（INS/SAR）组合导航中地面合成孔径雷达(SAR)匹配点位置参数向飞行器主惯导中心的传递过程进行研究。分析了SAR匹配点位置传递过程中所涉及的各环节及其相互关系,以此为基础建立了测量参数传递过程数学模型,提出适合该模型的误差分析与精度估计方法,结合理论和实验结果对各测量参数误差所造成的传递误差进行分析和比较,得出单一测量参数误差影响程度的排序,并在此基础上得出总精度的估计值。参数传递模型及精度实验结果与实际情况相符,可为组合导航中合理的精度分配提供依据。     

空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。