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21.
深空探测通信技术发展趋势及思考   总被引:24,自引:0,他引:24  
张乃通  李晖  张钦宇 《宇航学报》2007,28(4):786-793
阐述了深空探测通信的重要地位和意义,就深空探测通信中的主要问题和特点开展论述,分析了深空探测通信的国内外研究现状。提出了利用地球静止轨道卫星编队的方法构建我国自主的天基连续测控和通信系统的构想,并以月球为中继、利用地月系统内的拉格朗日点开展深空探测。建议当前开展深空探测通信中星际互联网络体系结构、高效信道编码技术和空间协议研究的构想。  相似文献   
22.
基于MDO方法的月球探测卫星总体设计   总被引:2,自引:1,他引:2  
根据月球探测卫星任务及环境的特点,在将多学科设计优化(MDO)方法用于卫星总体概念阶段的设计。分析了卫星总体设计中轨道设计、卫星设计和发射选择间的耦合关系与协同效应,建立了MDO的简化模型。用单级整体优化策略(AAO)和多岛遗传算法(MIGA)进行优化。算例结果表明,MDO简化模型可有效解决卫星概念设计阶段中的多学科耦合。  相似文献   
23.
火星探测着陆系统开伞控制方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章通过对火星探测进入轨道的分析,提出了一种以动压为控制目标的开伞控制方法,并借鉴过载-时间控制法的相关思想,结合火星探测进入轨道的特点,研究了该开伞控制法的原理和实现方法。根据火星探路者的实际进入条件,采用该方法的分析结果与实际飞行中的开伞情况基本吻合。  相似文献   
24.
TC4钛合金的微动磨损及防护   总被引:1,自引:0,他引:1  
对Ti-6Al-4V合金在18℃,100℃250℃下的微动磨损特性及防护工艺进行了研究。表明:该合金微动磨损的主要磨损形式是疲劳脱层,其磨损量随温度升高而下降,高渐微动磨损量与磨损区表面所形成的氧化层的性质及厚度有关。  相似文献   
25.
阐述了“管理软件生成器系统CDBAG-4GL”的研制背景、系统组成、逻辑结构、功能及特点;并简要介绍了设计思想、生成原理以及实现技术要点等。“CD-BAG一4GL”已商品化,它可根据用户要求自动生成各类专用的管理信息系统。为应用开发人员和最终用户提供一个一体化的通用的快速开发工具和环境。作为第四代软件开发工具的生成器和第四代语言是提高应用开发效率和质量的有效途径。  相似文献   
26.
基于自适应模拟退火遗传算法的月球软着陆轨道优化   总被引:13,自引:4,他引:13  
朱建丰  徐世杰 《航空学报》2007,28(4):806-812
 将自适应遗传算法与模拟退火算法相结合,形成一种自适应模拟退火遗传算法。该算法不但具备了自适应遗传算法的强大全局搜索能力,也拥有模拟退火算法的强大局部搜索能力。针对月球软着陆轨道优化的特点,利用一种新的参数化方法将轨道优化问题转换为非线性规划问题,并应用提出的自适应模拟退火遗传算法进行优化。数值结果表明:该算法的收敛速度快,优化精度高,且避免了初值敏感、病态梯度和局部收敛等问题,能够搜索到全局最优轨道。  相似文献   
27.
DLR-F4翼身组合体的阻力计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了考察自行研发的CFD软件的计算能力和阻力计算精度,本文采用LU—SGS方法、MUSCL差分格式和Baldwin—Lomax代数湍流模型,数值模拟了AIAA阻力计算工作室提供的DLR—F4翼身组合体的绕流流场,综合分析了easel和case2的气动力的计算结果,并与NASA Christopher L.Rumsey采用CFL3D6.0和AFRL/VAAC Don W.Kinsey采用Cobalt60提供的两组计算结果以及AGARD提供的两种不同风洞的测力试验结果作了比较。计算结果表明,本文计算精度与国外CFD软件相当。为了提高激波,边界层干扰的模拟精度,今后要重点加强湍流模型的应用研究。  相似文献   
28.
研究了温度和应变速率对NiAl-30Cr-4Mo共晶合金的拉伸性能的影响.研究结果表明在同一应变速率(1.67×10-4/s)下,随着温度的升高,材料的塑性增加;在韧脆转变温度(BDTT)923 K以上,随着应变速率的降低,合金的拉伸断口韧窝密集程度增大,合金塑性断裂的趋势越明显,且屈服强度随应变速率的降低而下降.  相似文献   
29.
飞机空中加油任务剖面优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了某型飞机执行作战任务途中何时进行空中加油,并按照最大航程截击对飞机各个飞行任务段的飞行性能进行了计算,得出了最佳巡航速度,确定了最优的加油时机和加油量。计算过程中采用了遗传算法,考虑了爬升过程和巡航过程中飞机变质量的难点问题,提高了计算结果的可信度。  相似文献   
30.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。  相似文献   
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