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101.
合成了同时含有芴基以及醚键的二胺单体,9,9-双(4-胺基苯氧基苯基)芴(BAOFL),并对其进行熔点、红外以及核磁表征。结果表明,该单体具有很高的纯度。分别采用3,3,′4,4′-联苯四甲酸二酐(sBPDA)以及2,3,3,′4′-联苯四甲酸二酐(aBPDA)与BAOFL聚合,通过热亚胺化法以及化学亚胺化法分别制备聚酰亚胺(PI)。研究芴取代基对PI耐热性能、溶解性能以及光学性能的影响。结果表明,引入芴取代基可以显著提高PI树脂在有机溶剂中的溶解性能以及在可见光区良好的透明性。同时,PI具有良好的耐热稳定性,玻璃化转变温度超过280℃,氮气中起始热分解温度超过500℃。 相似文献
102.
文摘通过引入无机纳米粉体研制了高热导率聚酰亚胺浸渍漆,研究了聚酰亚胺的化学结构、无机粉体的种类、粒径和用量等因素对浸渍漆贮存稳定性以及固化物性能的影响。均苯四甲酸二酐与4,4′-二氨基二苯基醚合成的聚酰亚胺具有高的热导率。在联苯型聚酰亚胺中引入30%~35%、粒径为100~300 nm的α-A l2O3粉体,固化物的热导率可提高到0.65~0.80 W/(m.K),其余性能基本保持原有水平。 相似文献
103.
通过溶胶-凝胶工艺以正硅酸乙酯(TEOS)和γ-(甲基丙稀酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MEMO)为前躯体在聚酰亚胺薄膜(Kapton)基体上制备了有机/无机复合氧化硅涂层,地面模拟原子氧暴露试验表明涂层防护使基体的原子氧侵蚀速率下降了一个数量级,暴露前后基体的光学性能基本没有改变,加入MEMO相对量为0.2时涂层抗原子氧性能较好。扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外衰减全反射光谱(FTIR-ATR)和X射线光电子能谱(XPS)分析表明原子氧暴露后Si-O-Si基团特征峰均向纯氧化硅的硅氧键吸收峰处偏移,而由MEMO产生的Si 2p价态峰减弱,因此涂层趋向于转化为稳定的纯氧化硅结构。 相似文献
104.
电子辐照下聚酰亚胺薄膜的深层充电现象研究 总被引:2,自引:2,他引:0
空间辐射环境下聚合物绝缘材料的深层充放电效应是威胁航天器安全的重要因素之一。文章利用能量为5~100keV的单能电子枪,研究了不同束流强度电子辐照下聚酰亚胺薄膜样品的深层充电过程。实验表明,在102pA量级的电子束辐照下,聚酰亚胺薄膜样品的表面电位迅速上升后缓慢变化,最终可以达到几kV。在一定条件下,样品表面电位随着辐照电子束流密度和样品厚度的增加而增大;充电达到平衡所需的时间随着辐照电子束流密度和样品厚度的增加而减少。辐照截止后聚酰亚胺薄膜样品内部电荷的泄放需经历较长时间,由衰减时间常数推测出的样品电阻率要比采用传统测量方法得到的结果高一个量级。 相似文献
105.
热熔型聚酰亚胺薄膜的热封性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对现有商用聚酰亚胺(PI)薄膜无法采用热熔工艺进行粘接的问题,采用异构化二酐单体、2,3,3’,4’-二苯醚四酸二酐(a-ODPA)分别与7种芳香族二胺单体通过化学亚胺化工艺制备了PI薄膜(PI-1~PI-7),系统研究了这些PI薄膜的结构与性能的关系。结果表明:a-ODPA的不对称结构赋予了PI薄膜良好的热塑性特征,使之可以采用热熔工艺进行粘接,薄膜间的热封强度最高可达660 N/m;此外,制备的PI薄膜还具有良好的耐热性能与力学性能,5%失重的温度超过500℃,玻璃化转变温度超过230℃,薄膜拉伸强度超过89 MPa。 相似文献
106.
107.
108.
针对辐射固化复合材料树脂体系的原理,从引入具有辐敏性单体或基团入手,合成了活性稀释剂含硅丙烯酸酯和活性单体,如单官能、双官能的马来酰亚胺单体和芳香族酰亚胺单体,并对它们的结构进行了红外表征.实验结果表明,合成所得的树脂基体均可以实现辐射交联,且固化产物性能较优. 相似文献
109.
110.
以PTES和APS为硅源,在TEAOH的催化作用下采用水解共缩合法合成了二元胺POSS,经FTIR、1H-NMR,13C-NMR,29Si-NMR测试表明,产物具有设计的理想结构。将合成的二元胺POSS与ODA一并与PMDA反应得到二元胺POSS修饰的聚酰胺酸,经热酰亚胺化后得到了一系列不同二元胺POSS含量的聚酰亚胺杂化薄膜。利用TGA、微机控制拉力试验机、等离子体原子氧产生装置分别对杂化薄膜的热性能、力学性能、抗原子氧侵蚀性能进行了研究。结果表明,杂化薄膜耐热性良好,但力学性能有所降低,当二元胺POSS的摩尔百分含量达到7%时,杂化薄膜的抗原子氧性能提高了将近4倍。 相似文献