离子注入生物诱变实验注入剂量的测量与控制

离子注入生物诱变是不同于传统辐射生物学的人工诱变新方法。在离子注入生物诱变实验中，注入剂量决定了生物样品的辐射损伤程度，是要求精确测定并控制的一个重要参量。本文介绍５０ｋｅＶ离子注入生物诱变实验装置注入剂量的测量和控制方法，对系统的硬件结构和软件设计作了较详细的说明。实验结果表明：注入剂量的测量与控制准确、可靠。     

月球粒子辐射环境探测现状

月球表面没有磁场的保护,粒子辐射是人类在月球活动的重要风险要素。概述了月球的辐射环境以及辐射来源,并介绍了月球探测的现状,特别提及了近年来几个较为典型的月球辐射探测实例及其探测结果;介绍了我国“嫦娥4号”上搭载的月表中子与辐射剂量探测仪（Lunar Lander Neutron&Dosimetry,LND）的科学目标及其技术指标。LND的科学目标主要包括：载人登月辐射剂量的测量、月球南极艾特肯盆地水含量的测量、艾特肯盆地FeO含量的测量,以及为日球层科学的研究提供依据。     

等效位移损伤剂量法预测GaInP2/GaAs/Ge 三结电池在轨性能退化规律

文章首先在辐照条件下测试GaInP2/GaAs/Ge三结太阳电池的光谱响应,确定了三结电池在轨道带电粒子辐照条件下的损伤特征。通过试验获得了在不同粒子辐照条件下电池电性能退化规律,由此确定了高能电子与质子辐照对三结电池损伤的等效参数,建立了三结电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化方程。在此基础上,以地球同步轨道服役的太阳电池为例,计算了电池在轨等效位移损伤剂量,并对三结电池的在轨服役行为进行了评价。     

基于CDD函数的ICT系统设计技术

工业计算机层析成像(ICT,Industrial Computed Tomography)是一种先进的非接触式无损 检测技术,具有复杂精密、非通用和高成本的特点,需要根据用户的具体检测需求进行定制 开发,以降低系统研发风险和成本.为此,提出并研究了一种基于对比度-细节-剂量(CDD ,Contrast-Detail-Dose)函数的ICT系统设计技术框架.据此,推导了扇束三代二维ICT 系统基于CDD函数的设计平台,并完成了软件开发.该项技术包括基于CDD函数的计算机辅助 设计(CAD,Computer Aided Design)模块、扇束三代二维ICT成像数字仿真模块和CT图像 性能评定模块3部分.其输入参数是表征用户检测需求的初始设计参数,输出参数是满足用户 检测需求的最优解.初始设计参数首先进入CAD模块完成性能考核;如果满足要求,再进入仿 真模块完成仿真考核;最后,对仿真结果进行量化评定,得到设计参数对应的系统性能指标 .计算机仿真和工程系统开发结果验证了该设计技术的有效性.      

航天员空间活动接受辐射剂量限值的研究

空间生物学辐射效应是由空间辐射环境引起的,空间辐射环境的变化受太阳活动性影响。空间辐射水平比地表面水平高,航天员在空间所接受剂量比地面人员接受的吸收剂量高出100倍甚至更高,并且高能重离子的生物效应显著。文章简要阐述了空间辐射环境、空间辐射生物学效应与航天员的辐射剂量限值等问题。     

辐照APMOC纤维对其复合材料拉伸强度的影响

采用γ射线辐照方法对APMOC纤维进行性处理,结果表明,在500kGy辐照剂量条件下,APMOC纤维发生了辐照交联反应,使其复合材料的复丝拉伸强度提高82％,横向拉伸强度提高16．1％,同时利用SEM对拉伸断口形貌进行了分析。     

体积激励法测量液体推进剂量的地面模拟试验

针对大贮箱推进剂量测量精度不高问题,研究一种测量精度较高、重复性强的液体推进剂量测量方法。首先介绍体积激励法测量推进剂量的测量原理,重点分析地面模拟试验装置组成,包括体积激励装置、编码电机控制、数据采集及数据处理分系统。其次阐述试验方案,试验在常温常压下进行,采用不同激励频率改变体积。最后,以水作为模拟推进剂开展地面模拟试验,结果表明在不同填充水平下液体推进剂量测量误差都控制在贮箱总体积的1%以内,为未来高精度测量推进剂量飞行试验及空间应用提供可靠支持。     

MEO轨道辐射环境对Si太阳电池影响研究

研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂 量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参数的影响,并分析了MEO轨道（高度20,000 km, 倾角56°）的电子和质子辐射环境,及其穿过不同厚度的石英玻璃盖片后的 衰减谱。研究发现,在没有玻璃盖片的情况下,MEO轨道一年期质子通量会造成电池最大输 出功率严重衰退,约为初始值的28％,而一年期电子通量影响很小,仅造成约7％的下降。 使用100μm的石英玻璃盖片几乎可以完全阻挡MEO轨道质子辐射的影响,但是对电子辐 射的阻挡作用很小。石英玻璃盖片对于屏蔽低能质子对电池辐照损伤是极其重要的。
     

一种抗辐照加固高压DAC的设计

高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了MOS器件的不同阈值变化对DAC影响的机理.并提出一种低电源电压的设计思路,有效提高了高压DAC的抗辐照能力.最后,利用内置LDO和输出运放钳位降压的设计,将高压DAC的抗辐照能力提高至50k rad(Si).     

质子束布拉格峰测量

基于100 MeV回旋加速器质子束流，参考IAEA TRS-398号报告，开展质子束布拉格峰测量。基于水吸收剂量测量原理及影响因素，选择合适水箱尺寸及电离室型号。基于空腔理论，及质子与物质相互作用原理，利用PTW-30013指型电离室、MP3-P三维扫描水箱配合MEPHYSTO Navigator软件测量经石墨降能器扩展后的布拉格峰。测量同一实验条件下质子束百分深度剂量曲线，并利用软件对测量数据进行分析，将最高剂量作为归一点，得到该质子束流布拉格峰位、峰宽、实际射程、剩余射程及坪区高度等辐射质参数。该质子束布拉格峰宽约为1.21 mm,参考深度约为43.63 mm。