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51.
探讨了双输出移相配电变压器抑制输出电压畸变的机理,对变压器谐波阻抗与绕组结构之间的关系进行了研究。通过建立双输出移相变压器的场路耦合模型,对两种不同形式的变压器(双输出移相变压器和Dyn连接变压器)输出电压的谐波特性进行了分析计算,研究结果表明:由于双输出移相变压器可以抑制3倍次、5和7次谐波电流,因此对应的3倍次、5和7次谐波阻抗较低,在带非线性负载情况下输出电压的畸变得到明显改善。 相似文献
52.
研制出一台150 kV/30 kW高压脉冲电子束焊机,介绍了控制脉冲束流产生的偏压脉冲电源拓扑电路结构及脉冲束流频率、占空比、束流基值、束流峰值的调节控制技术.在0~1 kHz频率范围内,该电源可输出最大幅值200 mA的脉冲电子束束流,且工艺参数调节方便.分别采用脉冲束流与连续束流电子束工艺焊接了1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢,对不同工艺的焊缝形貌进行了对比分析.与连续束流电子束焊接工艺相比,采用脉冲电子束焊接工艺的焊缝熔深增加,深宽比增大;对于脉冲电子束焊接工艺,占空比给定时,随着束流频率增加,焊接缺陷减少.试验结果表明:脉冲束流频率、占空比是影响焊缝成形的关键工艺参数;脉冲调制方式控制偏压是获得高压脉冲电子束的理想控制技术之一. 相似文献
53.
低轨道航天器高电压太阳电池阵电流泄漏效应分析计算 总被引:1,自引:0,他引:1
在一种简化的太阳电池阵结构模型基础上, 利用太阳电池阵电流收集经验模式,基于电流平衡, 建立了一种计算低轨道航天器高电压太阳电池阵在等离子体环境中电流泄漏的方法. 利用该方法, 对高电压太阳电池阵电流泄漏效应与低轨道等离子体环境、电池阵电压、电池阵裸露金属面积的关系进行了分析计算.结果表明, 随着轨道高度增加, 电流泄漏引起的电池阵功率损失迅速下降, 影响最严重的区域为电离层等离子体密度最高的300~400 km高度的轨道区域; 电流泄漏引起的功率损失与太阳电池阵电压呈指数关系, 电压越高功率损失越大; 200 V以下的电池阵功率损耗较小, 远低于电源系统总功率的1%;电流泄漏与太阳电池阵裸露金属导体的表面积呈正比关系, 因此, 通过减少太阳电池阵裸露面积, 可以降低电流泄漏的影响. 相似文献
54.
为了进一步提高电子束流发生系统工作的可靠性和稳定性,提高电子束加工质量,采用AC-DC-AC-DC-AC-DC的拓扑电路、新型功率变压器、高压脉冲检测技术、优化的束流反馈控制与灯丝加热电流闭环反馈控制技术等,分别优化了高压加速电源、偏压电源与灯丝加热电源。将所研制逆变电源与150 k V/30 k W电子枪、真空系统等组成了一套电子束流发生系统,测试了该电子束流发生系统输出的高压、最大束流以及灯丝加热电流、偏压变化对束流输出的影响。试验结果表明:经过优化的逆变电源高压输出达到-150 k V,高压输出线性度较好,最大束流达到200 m A;高压、灯丝加热电流给定时,随着偏压降低,束流输出逐渐增大;高压、偏压给定时,随着灯丝加热电流增大,束流输出存在死区、线性增大区和恒流区。 相似文献
55.
从电解电源的高频高效化、绿色化、数字化及智能化的发展方向出发,利用电流增强原理,设计了一种开关管带并联辅助网络的零电压全桥软开关电路拓扑,具有节能增效、可靠性高的优点.采用TMS320LF 2407A为核心控制芯片.得到了全桥移相PWM输出波形,并设计了反馈信号调理电路与后端驱动电路,电路形式简单紧凑,实现了软开关电解电源的全数字化控制. 相似文献
56.
为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. 相似文献
57.
58.
提出了符合组合互感器运行状态的整体检定方法以及按元件分别检定计算整体误差的方法;给出了几种条件下电流、电压互感器和组合互感器的误差限值;对整体检定方法的优点和检定用标准器的选择进行了论述。 相似文献
59.
60.
在活塞式发动机中,电嘴故障在点火系统中占有较大的比例,其中大部分是电嘴本身的故障,也有一些是其他机件(如高压线、磁电机)的故障在电嘴上表现出来。本文对活塞式发动机电嘴常见故障进行了分析并提出预防措施。 相似文献