DD3单晶高温合金慢拉伸断裂行为的研究

研究了镍基单晶高温合金ＤＤ３在五种不同温度下的慢拉伸（拉伸速率为０．０５ｍｍ／ｍｉｎ）的断裂行为。试验结果表明：杨氏模量在室温与８７３Ｋ之间具有反常变化，在８７３Ｋ以上ＤＤ３的弹性模量与温度关系具有正常变化；ＤＤ３单晶高温合金的屈服强度在室温和１０３３Ｋ（极点温度）之间保持不变，在１０３３Ｋ以上，屈服强度随温度升高急剧下降；在极点温度处ＤＤ３的延伸率最差；扫描电镜观察表明：从室温一直到１０３３Ｋ在ＤＤ３的拉伸变形过程中开动的滑移系具有强烈的择优性，从而导致变形的不均匀及断口上断面较平整。ＤＤ３的拉伸断裂在微观上主要呈现韧性断裂特征。     

复合材料层合板单排多钉双剪联接接头强度分析

双剪联接接头是复合材料结构连接设计的主要环节。针对T300/KH304复合材料层合板的单排多钉双剪联接接头,考虑到孔间距离对接头强度的影响,用三维有限元模型对接头的静强度进行数值分析。以应力分析为基础,采用Yamada-Sun准则预测了该层合板结构双剪联接接头的破坏载荷。试验结果表明,该接头的破坏模式主要呈现为挤压破坏,并伴随有净拉伸和剪切破坏模式;接头的位移——载荷曲线近似为直线;Yamada-Sun准则可以较好地预测该结构的破坏载荷;所预测的接头的破坏载荷及破坏模式,试验结果与数值分析结果比较一致。     

CFRP双剪单钉连接接头强度分析

双剪连接接头是复合材料结构连接设计的主要环节。针对T300／KH304复合材料层合板的双剪连接形式，分析了单钉连接情况下的接头强度，并采用Yamada-Sun准则预测了该层合板结构双剪连接接头的破坏载荷。结果表明：该接头的破坏模式主要呈现为挤压破坏；Yamada-Sun准则可以较好地预测该结构的破坏载荷；所预测的接头的破坏载荷及破坏模式，试验结果与数值分析结果比较一致。     

单片机控制PWM交流变频调速系统

本文介绍了一种脉宽调制型功率变换器与三相异步电动机构成的转速闭环控制系统。该系统采用先进的电力电子器件——功率场效应晶体管构成功率变换器。以MCS-51系列单片机和国产大规模专用集成电路THP4752为核心组成数字控制系统,实现对三相异步电动机的变压变频控制。     

某嵌金属丝药柱主要装药设计参数的影响

利用Visual Basic对SolidWorks进行了二次开发,开发了用于某型号嵌金属丝装药的计算软件。计算和试验结果表明,该软件计算精度较高,可满足工程计算的需要;同时,表明该类嵌金属丝装药在一级大推力阶段中普遍会存在压强峰(推力峰)。为了获得更好的内弹道性能,文中分析了该类装药的主要设计参数对装药计算的影响。结果表明,槽宽、未包覆柱段长度以及金属丝排列直径是影响性能稳定的主要参数,而燃速比和槽长影响相对较小;此外,锥形凸台的设计对性能的稳定性影响也很大。其结论为该类型的装药设计提供了有效参考。     

基于DS18B20的智能温度控制器

基于DS18B20的智能温度控制器采用单总线数字温度传感器,硬件结构简单,测量精度高,抗干扰能力强,重点介绍DS18B20的特性和编程要点.     

燃烧室空气流量分配试验方法模拟分析与优化

为了明确当前燃烧室流量分配试验采用的堵孔法的合理性,按照某单管燃烧室流量分配试验的实际流程进行数值模拟,分析了试验本身存在的方法误差和根源,据此提出了采用堵孔法和单侧积累式堵孔法相结合的优化试验方法,并进行了数值模拟验证。结果表明:采用堵孔法进行流量分配的测定存在一定的方法误差,该方法对火焰筒头部的测定影响较小,而对主燃孔、掺混孔和气膜冷却孔的测定影响相对较大,主要原因在于未同时考虑被测孔排及其下游孔排的过流条件;采用堵孔法和单侧积累式堵孔法相结合的方式进行流量分配测量,能够大幅度降火焰筒上主燃孔、掺混孔和气膜冷却孔的测量误差,降低幅度分别达到约6%、12%和9%,效果明显;试验方法优化前后,火焰筒上各孔排进出口截面的静压差的改变是试验方法误差一直存在的根本原因,但方法优化后这个压差的变化量及对测量结果的影响较优化前都更小。      

涡轮增压器监控系统与PIC单片机的串行通讯

依托Borland C 5.0集成开发环境和MPLAB IDE（PIC集成开发环境），使用Windows应用程序接口（API）函数和PIC单片机14位的精简指令（RISC）系统，开发了涡轮增压器监控系统和PIC单片机民控单元。监控系统采用C语言模块化程度设计；电控单元采用PIC精简指令系统汇编语言编程。简要介绍了涡轮增压器控制系统的组成，并给出了监控系统同PIC电控单元的双机通讯软件设计实例。     

高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用

在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调。论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验。