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281.
航空兵在执行对地突防任务的过程中,电子干扰是掩护突防编队、提高突防飞机生存概率的重要手段。提出一种利用箔条云团散射远距干扰信号对地空导弹制导雷达进行干扰的复合干扰方法。该方法使用干扰机照射突防航线上布撒的箔条云团,通过箔条云团的散射,从地空导弹制导雷达的主瓣注入干扰能量;在此基础上,建立实施正面突防时的箔条弹多次抛洒模型,该模型可以有效的计算出突防编队抛洒箔条弹的间隔距离,从而确定抛洒箔条弹的时机,并通过实例分析验证。结果表明:该方法具有更好的干扰效果;箔条弹多次抛洒模型可靠,可以确保对敌地空导弹阵地的持续干扰。 相似文献
282.
《Advances in Space Research (includes Cospar's Information Bulletin, Space Research Today)》2023,71(1):129-143
We present the variation of unusual atmospheric phenomena, aerosols, to understand the preseismic irregularities for two major earthquakes in Japan. We consider aerosol optical depth and Angstrom exponent data retrieved from the Moderate Resolution Imaging Spectroradiometer (MODIS) instrument onboard the Terra satellite to establish possible connections between earthquakes and the generation of aerosols. Variation of the aerosol parameters shows significant changes before the April 15, 2016, Kumamoto earthquake ( km) and the November 21, 2016, Fukushima earthquake ( and km), where M indicates the Richter magnitude and h indicates the focal depth. To identify the source of the aerosol particles, we use the Hybrid Single-Particle Lagrangian Integrated Trajectory model (HYSPLIT-4). This model uses both Lagrangian and Eulerian approaches to compute trajectories and establish a source-receptor relationship. We compute backward trajectories to check whether the aerosol generated near the epicenter is due to the preseismic processes or is transported from other areas. From our results, we conclude the fine-mode aerosols are generated in the vicinity of the epicenter, 3–7 days before the earthquakes. 相似文献
283.
为了研究直升机旋翼桨叶在机动状态下的弹击损伤,在数模模拟中,预先考虑了桨叶在机动状态下的拉力、挥舞力矩、摆振力矩对弹击损伤的影响。针对某型机旋翼桨叶,采用全尺寸有限元模型进行了弹击数值模拟分析。首先使用自编Fortran程序和VABS软件计算了桨叶剖面特性;之后建立了弹性桨叶结构载荷分析模型,采用CAMRIDII软件计算了机动状态下的桨叶载荷;在此基础上,使用NASTRAN软件对桨叶进行瞬态分析,得到桨叶施加载荷的预应力状态;再使用DYTRAN软件,基于自适应接触法,模拟桨叶弹击损伤。研究表明:桨叶结构损伤程度与弹击速度是非线性关系;除了弹击点,大梁与上下蒙皮的过渡区域是二次损伤部位;桨叶抗弹击设计需要考虑结构件之间的刚度匹配问题,以达到最佳的抗弹击吸能效果与最小损伤面积。 相似文献
284.
根据0.8keV≤Epomax≤5keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性,初级电子产额R,现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据,分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5Epomax≤Epo≤10Epomax, GaN在2keV≤Epomax≤5keV, NEA金刚石的δ在08keV≤Epo≤3keV, GaN在08keV≤Epomax≤2keV的特殊公式;其中Epomax为δ达到最大值时的Epo, Epo为初级电子入射能。推导出了08keV≤Epomax≤5keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算08keV≤Epomax≤5keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明,B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响,从而生产出理想的NEA发射体,如NEA金刚石。 相似文献