解带有内部边界泊松方程的共轭梯度法三角预处理器

为满足工程中对电磁问题算法器的需求，运用有限差分法,通过分析带内部边界二维泊松方程非均匀离散所得模型问题的矩阵结构,提出了用于解带内部边界泊松方程共轭梯度法的三角阵预处理器，同其他预处理器相比,使用该预处理器可较好地解决内存和计算速度的矛盾。本算法实例表明，采用本算法的算法器具有实用价值。     

压电陶瓷柱体中裂纹前缘场分析

为了揭示含裂纹的压电陶瓷介质在机械载荷作用下裂纹前缘的力学和电学的奇异行为，以一承受扭矩的压电陶瓷柱体为例，求得了其中所含的圆币形裂纹前缘的应力场和电场移场。     

陶瓷零件快速成形机铺料机构的PLC控制

简述了陶瓷零件快速成形设备的发展状况,介绍了基于陶瓷零件层合速凝技术所设计的一种陶瓷零件快速成形设备铺料机构的基本结构、工艺流程和工作原理,设计了该设备铺料机构PLC控制系统。     

超高温材料的研究进展

先进的超高温材料具有独特的综合性能,能够适应高超音速长时飞行、大气层再入、跨大气层飞行和火箭推进系统等极端环境.综述了难熔金属、陶瓷基复合材料及炭-炭复合材料等超高温材料的研究和应用现状,分析了目前存在的问题,提出了今后的研究方向.     

纤维泊松收缩对陶瓷基复合材料基体裂纹演化影响

采用细观力学方法分析了陶瓷基复合材料在单向拉伸载荷作用下纤维泊松收缩对基体裂纹演化的影响,将库仑摩擦法则与拉梅公式相结合分析复合材料细观应力场,结合临界基体应变能准则以及界面脱粘断裂力学方法确定基体裂纹演化,讨论了界面摩擦系数、纤维泊松比、界面脱粘韧性以及纤维体积百分比等参数对界面脱粘和基体裂纹演化产生的影响,并与常界面剪应力假设下基体裂纹演化进行了对比.      

3Y-ZrO2／Al2O3细晶复相陶瓷涡轮盘的超塑挤压

以高纯氧化铝(Al2O3)和氧化锆(3Y-ZrO2)粉末为原料,在1450℃下通过真空热压烧结制备3Y-ZrO2/Al2O3细晶复相陶瓷致密块料,随后在1500~1650℃温度范围内进行涡轮盘模拟件的超塑挤压。结果显示,3Y-ZrO2/Al2O3陶瓷在1600℃具有最佳挤压性能,最大单位挤压力小于25MPa,最大压头速率达到0.14mm.min-1,成形件质量良好,无明显缺陷。与变形前相比,尽管材料晶粒明显粗化,但是致密度有很大提高,断口SEM显示主要以穿晶断裂方式为主,所以成形件的弯曲强度、断裂韧度和维氏硬度并没有出现大的变化,甚至盘片部位还有所提高,分别由变形前的573MPa,7.1MPa.m1/2和17.7GPa提高到617MPa,8.1 MPa.m1/2和18.8GPa。     

陶瓷基复合材料单纤维拔出力学分析

建立了考虑界面滑动摩擦的复合材料单纤维拔出力学模型,得到了包含泊松效应影响的基体轴向应力、纤维轴向应力和界面剪切应力的表达式.针对SiC/RBSN陶瓷基复合材料,在部分脱粘/滑移和完全粘结情况下,对纤维、基体、界面的应力分布进行了分析.计算结果与有限元计算结果相比,具有较好的一致性.结果表明:纤维百分含量的变化能够改变界面发生脱粘/滑移失效点的位置;界面发生脱粘/滑移后的脱粘扩展比界面完全粘结的脱粘扩展更容易发生;不考虑热不匹配的影响,仅通过增加界面摩擦系数不能使应力重分布发生很大变化.      

表面改性C/C复合材料与LAS玻璃陶瓷的连接

采用MgOAl₂O₃SiO₂(MAS)玻璃作为中间层,对SiCMoSi₂表面改性的C/C复合材料与Li₂CO₃Al₂O₃SiO₂(LAS)玻璃陶瓷进行热压连接。通过正交实验,研究了连接温度、连接压力和保温时间对试样连接强度的影响,确定最佳工艺参数为：1 200 ℃,20 MPa,15 min,所得到连接接头的最高剪切强度可达30 MPa。利用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）和背散射电子像（BEI)对SiCMoSi₂涂层、连接界面的形貌以及组成进行了分析。研究结果表明,SiCMoSi₂涂层与基体结合紧密,Si,C元素在界面处呈梯度状分布,形成厚度约为15 μm的过渡层。MAS玻璃中的组分与LAS玻璃陶瓷和SiCMoSi₂涂层存在相互渗透现象,形成紧密的C/C(SiCMoSi₂)/MAS/LAS结构,界面间的结合良好。     

陶瓷轴承滚珠直径对转子临界转速的影响

基于赫兹(Hertz)接触理论分析了陶瓷轴承滚珠直径对轴承刚度的影响规律,并以此作为微型涡喷发动机设计中调整临界转速的依据进行了实验验证.实验使用某微型涡喷发动机,分别以两组滚珠直径不同的陶瓷轴承为支撑,测取临界转速.结果证明,该方法可以改变转子临界转速,为微型涡喷发动机设计中调整临界转速提供了经验依据.      

纳米SiO_2复合处理对7A52铝合金微弧氧化陶瓷层孔隙率及性能的影响

通过向电解液中添加纳米二氧化硅颗粒（n—SiO2）,经微弧氧化,在7A52铝合金表面制备n—SiO2复合陶瓷层,研究n—SiO2复合处理对陶瓷层孔隙率及性能的影响。结果表明,经n-SiO2复合处理后,陶瓷层孔隙尺寸减小,孔隙率降低,致密性提高,因而陶瓷层显微硬度和抗盐雾腐蚀性能显著提高。n—SiO2在放电通道处沉积是陶瓷层致密性提高的主要原因。