纤维增强整体叶环/盘强度问题分析

为了尽可能全面剖析纤维增强整体叶环(简称叶环)的优点和结构强度问题,明确纤维增强叶环转子强度优化问题及加工制造要求,利用ANSYS有限元软件,在分析典型纤维增强叶环和特殊纤维增强整体叶盘(简称叶盘)结构的受力特性基础上,结合前期对纤维增强叶环/盘特性的认识了解,提出了纤维增强叶环/盘结构在设计使用中出现的减质、寿命、刚度和热变形不协调等结构强度问题,并分析了这些问题产生的机理,可供纤维增强转子结构设计、加工、试验和检查时参考。     

大型薄壁铸件铆接裂纹原因分析

某飞机上的一大型薄壁铸件在与蒙皮铆接时多次发生开裂,造成严重的安全隐患.通过对故障件进行的断口宏、微观检查,金相组织分析以及相关工艺试验,经综合分析讨论,明确了铸件铆接时出现裂纹的原因.结果表明:该零件铸造时变质处理不充分,材质塑性差,降低铆接时承受冲击的能力是导致开裂的主要原因,零件装配存在应力也是导致开裂的重要因素.     

Characteristics of Disorder and Defect in Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride Thin Films Containing Silicon Nanograins

The hydrogenated amorphous silicon nitride (SiNx) thin films embedded with nano-structural silicon were prepared and the micro-structures at the interface of silicon nano-grains/SiNx were identified by the optical absorption and Raman scattering measurements. Characterized by the exponential tail of optical absorption and the band-width of the Raman scattering TO mode, the disorder in the interface region increases with the gas flow ratio increasing. Besides, as reflected by the sub-gap absorption coefficients, the density of interface defect states decreases, which can be attributed to the structural mismatch in the interface region and also the changes of hy-drogen content in the deposited films. Additional annealing treatment results in a significant increase of defects and degree of disorder, for which the hydrogen out-diffusion in the annealing process would be responsible.     

Design and Coupled Thermo-Mechanical Analysis of Silicon Carbide Primary Mirror Assembly

Based on the principle that the thermal expansion coefficient of the support structure should match that of the mirror, three schemes of primary mirror assembly were designed. Of them, the first is fused silica mirror plus 4J32 flexible support plus ZTC4 support back plate, the second K9 mirror plus 4J45 flexible support plus ZTC4 support back plate, and the third SiC mirror plus SiC rigid support back plate. A coupled thermo-mechanical analysis of the three primary mirror assemblies was made with finite element method. The results show that the SiC assembly is the best of all schemes in terms of their combination properties due to its elimination of the thermal expansion mismatch between the materials. The analytical results on the cryogenic property of the SiC primary mirror assembly show a higher surface finish of the SiC mirror even under the cryogenic condition.     

硅微谐振式加速度计结构设计与仿真优化

硅微谐振加速度计以高精度的频率信号输出成为硅微传感器的研制热点之 一。在分析硅微谐振式加速度计工作机理的基础上,采用一种新的基于双检测质量块和 谐振音叉低附加质量的硅微谐振式加速度计结构形式。运用ANSYS 对加速度计关键结 构尺寸进行仿真优化,明确了关键结构尺寸的变化对加速度计性能的影响规律。结果表 明：杠杆支撑梁长度、杠杆支撑梁宽度、杠杆支撑梁位置、音叉梁宽度、梳齿宽度和质 量块支撑梁宽度对整体结构性能影响最大。所设计的加速度计谐振基频约为21kHz,标 度因数为92Hz/g,在±30g 加速度输入下非线性达到0.322‰。     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释     

碳纤维表面CVD硅涂层对其性能的影响

 分析了碳纤维表面化学气相沉积Ｓｉ涂层的相结构,研究了Ｓｉ涂层对碳纤维抗氧化性能及强度的影响。结果表明：涂层中Ｓｉ元素呈非晶态分布；Ｓｉ涂层可提高碳纤维的抗氧化性能；氧化温度不同,Ｓｉ涂层碳纤维的氧化失重或增重规律也不相同。同时,Ｓｉ涂层降低了碳纤维拉伸强度,而适度空气氧化又可使Ｓｉ涂层碳纤维强度得到大幅度提高；Ｓｉ涂层碳纤维的强度随氧化温度、氧化时间的变化而改变。     

P／M—SiC_p增强LY12的研究

 采用粉末冶金方法（Ｐ／Ｍ）完成了ＳｉＣ颗粒增强ＬＹ１２的成形工艺和不同重量百分比条件下的力学性能实验。测试表明,含ＳｉＣ＿ｐ２０％（ｗｔ）的复合材料在室温下平均抗拉强度可达５９４ＭＰａ,延伸率为６％。其抗拉强度比ＬＹ１２ＣＺ提高３０％；２００℃拉伸时σ＿ｂ＝４９３ＭＰａ；３１５℃时σ＿ｂ＝２９９ＭＰａ。用扫描电镜及光学显微镜观察了ＬＹ１２粉末和试样断口的组织形貌。     

硅氧氮陶瓷的先驱体法合成及性能的研究

用 Si Cl4为原料 ,通过水解和氨解的方法 ,制备了不同含氮量的硅氧氮先驱体。先驱体通过脱氨基原位聚合 ,再经过无机化转变成为成分均匀的硅氧氮粉体 ,用所得粉体热压烧结制备了硅氧氮材料。测试分析结果表明 ,氮的引入使氧化硅的析晶温度提高了 1 5 0℃ ;适量析晶显著提高材料的力学性能 ;烧结温度为 1 4 0 0℃时 ,氮的质量分数为 2 4 .3%材料的强度和韧性最大 ,分别达到 1 5 6 MPa和 1 .8MPa· m1 / 2 ,比 Si O2 基体的强度和韧性提高了 4 .5 8倍和 2 .2 5倍。