SiC涂层/B4C改性炭基复合材料的氧化行为研究

以Ｓｉ和ＳｉＯ为硅化蒸气源,用ＣＶＲ和ＣＶＩ工艺对两种基体材料（纯石墨和Ｂ４Ｃ粒子改性石墨）进行了高温硅化处理,得到了四种复合材料：ＳｉＣ涂层／石墨（ＳＣ／Ｇ）,梯度ＳｉＣ涂层／石墨（ＧＳＣ／Ｇ）,ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨（ＳＣ／ＢＧ）和梯度ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨（ＧＳＣ／ＢＧ）。考察了四种复合材料在１２００℃的恒温氧化行为。同时也考察了梯度ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨在１３００℃及经历了１０     

四种粘弹性地基上弹性地基板的自由振动解

本文首先推出了四种粘弹性地基上弹性薄板在时间域上的动力学方程，并给出了三元件和Kelvin粘弹性地基上矩形薄板的固有频率的解析解，然后对振动特性进行了分析和比较，最后给出了算例和结果讨论。     

Nb-38Ti-12Al 高温合金的氧化行为

利用已经制备的Nb-38Ti-12Al合金铸锭,将其加工为厚度为0.50 mm的板材,并通过X射线衍射分析(XRD)、金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、箱式电阻炉、分析天平等方法研究了合金在1 200℃下发生氧化反应后氧化膜出现的分层现象,通过计算单位面积内合金氧化增重质量,绘制出合金氧化增重曲线,并利用合金内氧化层厚度计算出在1 000℃和1 200℃的内氧化动力学方程,分别为x1.228=34.50t和x1.480=288.73t。     

BN改性碳基复合材料氧化行为的研究

对采用热压一次成型方法制备的C／BN复合材料、热压成型的C／BN复合材料用热固性配醛对脂浸渍后的材料和用硼酸浸渍过的普通石墨材料等三种材料作了不同温度、不同时间的氧化实验，考察了他们的抗氧化能力。结果表明热压成型的C／BN复合材料作坯体，经热固性酚醛树脂浸渍、碳化后的材料具有良好的抗氧化性能。     

航空航天用钛合金表面工程技术研究进展

钛合金以其高比强度、低密度等优点,被广泛应用于航空航天零件中.然而,钛合金也存在硬度低、耐磨性差、高温氧化抗力差等弱点,表面应力集中敏感导致的疲劳问题也较突出,需利用表面工程技术克服磨损、腐蚀和疲劳3大问题.介绍了近10年来钛合金耐磨涂层、抗氧化涂层与抗疲劳表面改性技术的研究进展,并对技术发展趋势进行了展望,为表面工程...     

碳材料高温氧化防护陶瓷涂层体系研究进展

涂层处理是对碳材料进行高温氧化防护的主要措施之一。本文阐述了碳材料的氧化行为,简单介绍了碳材料的各种氧化防护措施及其适用范围,以及碳材料的高温氧化防护对涂层体系的要求。在综合分析陶瓷耐火材料高温性能的基础上,综述了碳纤维高温氧化防护陶瓷涂层体系研究进展情况。     

Ni 基高温合金 Al-Si 涂层脆-塑性转变温度及其疲劳行为研究

利用高温金相显微镜改进加载装置,在动态下测定了Al-Si高温涂层的脆-塑性转变温度及其影响因素。研究结果表明,Al-Si涂层的脆-塑性转变温度随着Al,Si浓度的减少而降低,通过热处理的方法使涂层的Al,Si浓度降低,可有效地降低涂层的显微硬度和脆-塑性转变温度。另处,还系统研究了涂层与基体在不同温度下断裂失效的模式及其机制。     

等离子-物理气相沉积硅/莫来石/硅酸镱环境障涂层的高温防护和耐热冲击性能研究

通过SiCf/SiC复合材料表面等离子喷涂(APS)硅黏结层和莫来石中间层,等离子-物理气相沉积(PS-PVD)制备硅酸镱面层,喷涂的整个环境障涂层体系组织致密,PS-PVD工艺制备的硅酸镱为层状结构,孔隙率＜1％.研究了 SiCf/SiC复合材料环境障涂层的抗静态氧化、循环氧化、水汽腐蚀和热冲击性能,发现复合材料表面...     

高体积分数SiCp/Al激光诱导氧化辅助铣削研究

为了解决高体积分数的SiC_p/Al复合材料在常规切削加工中存在切削力大、刀具磨损快、表面完整性差等问题。本文针对高体积分数SiC_p/Al材料开展激光诱导氧化辅助铣削技术研究，通过激光辐照铣削区域形成易于去除的疏松氧化层提高切削性能，同时开展氧化层调控策略及激光诱导氧化辅助下的铣削参数优化工艺研究，研究不同激光能量密度、辅助气体对氧化层质量的影响及铣削参数优化。结果表明随激光能量密度的增大热影响区宽度和烧蚀沟槽深度随之增加，在氧气辅助下易形成疏松且易于去除氧化层。选取较高的激光能量密度可获得较好的氧化效果，而使用PCD金刚石铣刀，主轴转速为10 000 r/min，在每齿进给量为7.5 μm /s可获得最佳表面质量。     

多孔氮化硅高温氧化特性分析

采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP 等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4 个不同温度点的

静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃。结果表明:多孔氮化硅在0. 1 MPa 静态空气气氛下,

800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并

优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被

动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应。当生成的SiO2 将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随

着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况。此外,同等

温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品。