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101.
采用电化学沉积法于室温、碱性条件下在氧化铟锡(ITO,Indium Tin Oxide)表面制备了硼酸钴(CoBi)、硼酸镍(NiBi)、硼酸锰(MnBi)、硼酸铑(RhBi)、硼酸钯(PdBi)几种无定形的硼酸金属化合物薄膜,并对其形貌和结构进行表征,结果表明几种薄膜均为无定形结构.将这几种硼酸金属化合物应用于电化学催化水氧化制氧,对比其催化活性,发现CoBi,NiBi,RhBi具有较高的催化性能,而MnBi和PdBi催化活性较低.进一步研究硼酸pH值对CoBi电催化水分解的影响.发现硼酸有利于金属化合物的制备,pH7~11范围内,HBO32-作为质子受体含量逐渐增大,能接受放氧过程产生的质子,促进催化水分解过程的进行.所得催化剂可自我修复,实现循环利用. 相似文献
102.
为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. 相似文献
103.
104.
105.
106.
通过对磁脉冲焊接技术结合机理的阐述,采用5A03Al-5A06Al、1050Al-AZ31Mg异种金属材料进行焊接试验.对所得的焊接接头进行气密性试验和剥离试验,检测其结合质量;结合光学显微镜,对比分析Al-Al、Al-Mg焊接接头的微观形貌特点;并采用SEM/EDS分析界面附近的元素分布;最后通过硬度试验,检测接头界... 相似文献
107.
108.
109.
110.
介绍了浮法抛光的机械结构与抛光原理,并采用这种技术在CJY500超精密研磨机上进行长方形GCr15轴承钢工件超光滑表面的工艺试验,成功获得了无加工变质层的金属纳米级超光滑表面,拓展了浮法抛光技术的应用范围,对于金属工件纳米级超光滑表面的加工具有参考价值. 相似文献