探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析

分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论。     

掺杂纳米硅薄膜的生长特性

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅薄膜.探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律.利用高分辨电镜(HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨.得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性,即杂质原子绝大部分是非活性的,只有很少一部分在薄膜中起施主作用.大部分非活性的杂质原子存在于晶粒间界.     

Fabrication and Life Prediction of SSiC Ceramic Joint Joined with Silicon Resin YR3370

Joints between sintered silicon carbide （SSiC） were produced using a polysiloxane silicon resin YR3370 （GE Toshiba Silicones） as joining material. Samples were heat treated in a 99.99% nitrogen flux at temperatures ranging from 1 100 ℃ to 1 300 ℃. Three point bending strength of the joint reached the maximum of 179 MPa as joined at 1 200℃. The joining layer is continuous, homogeneous and densified and has a thickness of 2 μm -5μm. The joining mechanism is that the amorphous silicon oxycarbide （SixOyCz） ceramic pyrolyzed from silicon resin YR3370 acts as an inorganic adhesive to SSiC substrate, which means the formation of the continuous Si-C bond structure between SixOyCz structure and SSiC substrate. Life prediction of the ceramic joint can be realized through the measurement of the critical time of the joint after the cyclic loading test.     

Characteristics of Disorder and Defect in Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride Thin Films Containing Silicon Nanograins

The hydrogenated amorphous silicon nitride （SiNx） thin films embedded with nano-structural silicon were prepared and the micro- structures at the interface of silicon nano-grains/SiNx were identified by the optical absorption and Raman scattering measurements. Characterized by the exponential tail of optical absorption and the band-width of the Raman scattering TO mode, the disorder in the interface region increases with the gas flow ratio increasing. Besides, as reflected by the sub-gap absorption coefficients, the density of interface defect states decreases, which can be attributed to the structural mismatch in the interface region and also the changes of hydrogen content in the deposited films. Additional annealing treatment results in a significant increase of defects and degree of disorder, for which the hydrogen out-diffusion in the annealing process would be responsible.     

Al-Si合金几种变质剂变质作用差异的探讨

Al-Si合金中几种常用变质剂的变质效果明显不同。从不同角度对各种元素的变质作用机理进行了探讨,但对于这些元素在变质效果上的差异尚未得到完满的解释。作者前期的工作采用XPS和AES表面分析技术检测了Sr在Si相的特定晶面的吸附性。本文将运用同样的实验方法,分别对Na、RE、Sb等变质剂作相应的考察,并对这些变质剂变质作用的差异进行探讨。     

硅的分布对铝—硅涂层抗热腐蚀性能的影响

利用ＲＦＬ热腐蚀试验装置，在温度为９００℃，盐浓度２０～１００ｐｐｍ，试验时间２００小时的条件下，研究了三种具有不同硅分布形式的Ａｌ－Ｓｉ涂层的抗热腐蚀性能。试验结果表明：涂层的抗热腐蚀性能与涂层中硅的分布形式密切相关。在涂层硅含量相当的情况下，硅呈内高外低的形式分布，可使涂层获得更佳的抗热腐蚀性能。     

添加剂对反应烧结氮化硅显微结构及性能影响

 本文较系统研究了添加剂si_3N_4、石墨及La_2O_3对反应烧结氮化硅的显微结构和性能影响。探索这些添加剂的作用规律及合适的添加量;探讨了烧结体密度,相组成与强度之间的关系。     

碳／碳化硅复合材料摩擦磨损性能分析

采用化学气相渗透法制备了碳纤维增强碳化硅(C/C SiC)陶瓷基复合材料,得到不同密度和组分含量的C/C SiC刹车盘试样。对C/C SiC复合材料进行了摩擦磨损性能测试,平均摩擦系数达到 0 23,摩擦稳定性达到0 43,线性磨损率为 9 3μm/次·面,质量磨损率为 2 6mg/次·面。当C/C SiC复合材料的密度增大 (1 6g·cm-3→2 2g·cm-3 ),碳含量增大(35%→55% ),摩擦系数和稳定性提高(约 70% ),且摩擦系数随制动次数增加的波动幅度减小;SiC含量升高则反之。C/C SiC复合材料经过多次刹停测试,摩擦系数对制动次数不敏感,表现出良好的摩擦稳定性。经过连续刹车试验,摩擦系数不随表面的起始和最终温度升高而衰退,材料尚无热衰竭趋势。对C/C SiC刹车盘试样的磨损表面形貌及缺陷进行了观察,发现表面磨损质量在航标允许范围内。     

全碳素坯密度对反应烧结SiC的影响

以石墨粉体为原料,酚醛树脂为粘接剂,采用模压成型工艺制备了全碳质素坯,反应烧结后得到S iC材料。研究了成型压力和酚醛树脂含量与素坯密度的关系,探讨了素坯密度对S iC材料的组成、结构和性能的影响。     

自愈合碳化硅陶瓷基复合材料研究及应用进展

为了满足高推重比航空发动机长时热力氧化环境的使用需求,连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料正朝自愈合方向发展.本文介绍自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的微结构与性能,自愈合与强韧化机理,制造方法和工艺特点及其在航空发动机热端部件的应用情况,表明多元多层微结构形成了"层层设防,就地消灭"的氧化防御体系,是复合材料实现自愈合与强韧化的关键.自愈合碳化硅陶瓷基复合材料能够满足发动机高温服役环境要求,显著降低发动机的结构重量,从而有效提高发动机的推重比.