影响高超声速进气道起动能力的因素分析

对一系列不同收缩比、不同波系配置的内压缩通道二维流场进行了数值模拟。研究了面积收缩比、飞行高度和来流攻角对高超声速进气道起动性能的影响，提出了进口起动马赫数和来流起动马赫数的概念。研究表明，当进气道收缩比增大时，进气道的进口起动马赫数增大；来流起动马赫数由外压波系强度和进口起动马赫数决定，所以来流攻角变化改变外压波系强度，从而改变来流起动马赫数；随着飞行高度的增加，来流起动马赫数和进口起动马赫数增大，造成这一变化的原因是飞行高度不同，来流雷诺数不同，造成收缩段进口截面附面层厚度不同。     

关于双向弯曲变形构件危险截面的讨论

本文通过具体例题，阐述了双向弯曲变形构件中危险截面的判定方法，论证了合成弯矩大的截面不一定是危险截面的结论。     

前苏联可靠性工程的几个特点

与美，英体系相比、前苏联可靠性工程独具特点，对可靠性保证概念；可靠性工程与产品故障机理分析相结合；可靠性分析与系统功能分析相结合；可靠性工程与相关学科相结合；注重工程实用与ＣＡＤ化等五个方面进行了阐述，并强调了研究和借鉴前苏联可靠性工程的重要性。     

PSD器件及其在精密测量中的应用

ＰＳＤ器件是近几年出现的一种新型位置探测器，可直接用来测量角度、高度、距离及运动，本文介绍了ＰＳＤ器件的工作，给出了三种ＰＳＤ器件的等电路和坐标位置电流函数表达式，并就ＰＳＤ器件在位移和三维运动测量中应用方式和应用范围进行了讨论。     

TC4钛合金的微动磨损及防护

对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金在１８℃，１００℃２５０℃下的微动磨损特性及防护工艺进行了研究。表明：该合金微动磨损的主要磨损形式是疲劳脱层，其磨损量随温度升高而下降，高渐微动磨损量与磨损区表面所形成的氧化层的性质及厚度有关。     

离散系统仿真输出数据的统计分析

概括了分析仿真产生的数据的方法，讨论了离散系统仿真输出分析的目的以及应用统计方法的要求，对单变量情形，给出了有关估计来自终态仿真和和稳态仿真参数的技术。对多变量情形，以终态仿真为例，给出了用于分析离散系统的仿真输出的某些多变量统计技术，并提出均值向量的估计方法。     

地磁急始年发生数周期特征的小波分析

采用小波分析方法分析了急始年发生数的时间序列的周期特征，并对急始发生数的特征与太阳黑子相对数的特征进行了简要的对照分析，分析结果表明，急始发生数的周期规律与太阳黑子相对数的周期规律是有差异的．还进行了太阳黑子相对数与急始数的相关性，太阳黑子相对数与急始磁暴的相关性研究，分析结果表明它们之间显著相关．还对急始数与急始磁暴致以及其他的一些参数之间的相关性进行了分析，最后对分析结果进行了讨论．     

Bi_(1.9)Pb_(0.3)Sr_(2.0)Ca_(1.7)Mg_(0.3)Cu_(3.1)O_x 超导块材弱连接区的低磁场性

通过对在不同外磁场下Ｂｉ１．９Ｐｂ０．３Ｓｒ２．０Ｃａ１．７Ｍｇ０．３Ｃｕ３．１Ｏｘ超导块材的交流磁化率的测量，获得了样品内晶粒间和晶粒内对外场的不问响应范围．通过与粉状样品实验结果的比较和Ｘ光分析，认为块状样品在温度为１００Ｋ左右出现的抗磁台阶是样品内晶粒间超导弱连接的一种抗磁效应．对弱连接区有效钉扎力Ｆｐ和临界电流密度Ｊｃ与外场Ｈ的关系进行了讨论．     

A Nonlinear Sub-grid Scale Model for Compressible Turbulent Flow

本文采用直接过滤的Navier-Stokes方程组作为可压缩湍流大涡模拟控制方程组。方程组中因过滤产生的高阶相关项用Taylor级数展开近似,但仅保留级数的一阶导数项。这样产生的误差相当于丢失了模型的部分耗散作用,本文用一种动力学非线性亚格子模型来补偿丢失的耗散影响。本文根据Caylay-Hamilton定理导出了一个非线性亚格子模型,模型中包含的系数由动力学模式确定。与传统的动力学Smagorinsky模式相比,这种动力学非线性模型(DNM)稳定性更好,且不需要在统计均匀方向进行统计平均来计算模型系数,因此减少了计算开销。本文用这种非线性亚格子模型对绕双椭球高超声速湍流进行了模拟,并将所得结果与实验值、计算值及理论值进行了对比。结果表明,本文模型可以有效地模拟可压缩湍流流场。     

Effects of the Fabrication Processes of NC-Si:H Films on Their Mechanical Properties

Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechani-cal properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain size of the films increases gradually, and as does the crystalline volume fraction. The smaller the grains become, the more homogeneous the films, and the more even the hardness as well as the modulus will be. The hardness and the modulus will increase with the substrate’s temperature rising. The hardness and the modulus of the nc-Si:H films on the Si substrate prove to be higher than those on the glass substrate given the same technology parameters. How-ever, the films on the glass substrate appear to be more homogeneous.