首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2406篇
  免费   443篇
  国内免费   318篇
航空   2285篇
航天技术   163篇
综合类   162篇
航天   557篇
  2024年   26篇
  2023年   96篇
  2022年   96篇
  2021年   164篇
  2020年   125篇
  2019年   112篇
  2018年   53篇
  2017年   91篇
  2016年   107篇
  2015年   79篇
  2014年   119篇
  2013年   93篇
  2012年   129篇
  2011年   131篇
  2010年   112篇
  2009年   94篇
  2008年   136篇
  2007年   135篇
  2006年   95篇
  2005年   100篇
  2004年   87篇
  2003年   104篇
  2002年   86篇
  2001年   78篇
  2000年   71篇
  1999年   52篇
  1998年   71篇
  1997年   88篇
  1996年   79篇
  1995年   58篇
  1994年   67篇
  1993年   55篇
  1992年   33篇
  1991年   37篇
  1990年   37篇
  1989年   42篇
  1988年   7篇
  1987年   15篇
  1986年   3篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有3167条查询结果,搜索用时 62 毫秒
71.
测试了IMI834高温钛合金在600~750℃的空气中热暴露100小时后拉伸性能,利用透射电镜和扫描电镜观察了合金暴露前后的组织变化及拉伸断口,认为表面氧化是造成合金热暴露后塑性下降的主要原因,但基体组织内有序α2相和硅化物的析出变化也在不同程度上造居了合金热暴露后的强度和塑性的下降。  相似文献   
72.
美国用于空间站辐射器中的热控涂层   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
综述了六种美国可用于空间站辐射器中的热控涂层。从涂层的性能、价格、质量以及成熟性研究,对这六种热控涂层进行了评价。结果表明,Z-93型热控涂层最适合用于空间站的辐射器中,镀银F-46薄膜型热控涂层次之。  相似文献   
73.
麻花钻的进展及发展趋势   总被引:2,自引:0,他引:2  
对钻头为适应高速加工技术的发展和数控机床、加工中心的需要而取得的一些进展,特别是钻头的结构、材料和涂层三方面的发展进行了论述。  相似文献   
74.
钴基复合镀层的高温耐磨减摩性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
本文描述了复合镀工艺的特点,详细介绍了然基复合镀工艺和然基复合镀层优良的高温耐磨减摩性能,并提出了其今后可能的发展方向。  相似文献   
75.
76.
按飞机腐蚀情况、防腐蚀原则、防排水和通风、合理的结构设计、制造过程和使用维护中的腐蚀控制与修复等项内容,对飞机结构腐蚀防护和控制进行了分析研究,保证飞机在寿命期内飞行安全。  相似文献   
77.
对d-电子理论在单晶高温合金发展中的应用进行了阐述。介绍了d-电子理论和用此理论设计单晶高温合金的方法和过程。采用此理论对现有单晶合金进行了分析和讨论。  相似文献   
78.
真空电弧等离子放电技术及其在航空材料领域的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了真空电弧等离子放电技术在离子沉积方面的应用和金属蒸气真空弧离子源在表面改性方面的应用,并探讨了两者在航空材料领域的应用。  相似文献   
79.
以防止产品金属部件腐蚀为研究对象和目的,说明金属腐蚀的概念、分类、发生电化学腐蚀的原理和条件,结合产品实际贮存、装检、使用的环境条件和特点,详述三种金属材料腐蚀的特征及影响腐蚀的主要因素和原因,并给出了防止产品金属部件腐蚀的方法和措施.  相似文献   
80.
综述了钛及钛合金高温钎焊结构在现代工业中的应用。在分析了钛基钎料应用和发展的基础上,重点分析了钎焊接头的组织与接头性能的关系以及影响因素。指明接头组织中脆性金属间化合物相的存在形态是决定接头性能的主要因素,接头间隙和钎焊时间决定了接头的组织形态,从而影响接头的性能。钛及钛合金高温钎焊接头的拉伸性能、高温性能和疲劳性能是优越的,而接头氧化后的性能急剧下降。并展望了钛基材料连接的发展方向。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号