非晶态铁镍铬磷硼合金磁致伸缩的研究

本文分别以张力冲击法和应变电阻法对非晶态(Fe_(50)Ni_(50))_(80-z)Cr_xP_(14)B_6合金(x=0,1,2,3,4,6,10)薄带的室温饱和磁致伸缩系数进行了测量;测量结果表明,Cr元素的加入,使样品的λ_(?)有所减少;并对结果进行了讨论。     

非晶态Al83Y10Ni7（at％）合金晶化动力学

应用ＤＳＣ技术研究了Ａｌ８３Ｙ１０Ｎｉ７（ａｔ％）非晶合金晶化动力学。在恒加热速率晶化曲线上，随升温率在１～４０Ｋ／ｍｉｎ范围变化，分别出现３～４个放热峰。利用Ｋｉｓｉｎｇｅｒ法，Ｏｚａｗａ法和Ａｒｈｅｎｉｕｓ法分别计算了晶化激活能，认为Ａｌ８３Ｙ１０Ｎｉ７非晶合金在Ａｌ－Ｙ－Ｎｉ系有较高的结构稳定性，晶化时第一个放热峰晶化相的等温晶化动力学在０．１５＜ｘ＜０．８５范围内符合Ｊ－Ｍ－Ａ方程，Ａｖｒａｍｉ指数ｎ＝２．５；引用阶段Ａｖｒａｍｉ指数和阶段激活能，研究了等温晶化过程中不同阶段的形核和长大行为     

非晶态Co_(90-x)T_xZr_(10)合金的热稳定性研究

非晶态合金材料有许多优异的特性,适合于制作多种敏感元件和传感器。近十年来,利用非晶态合金材料制作的各种敏感元件和传感器得到迅速发展,磁场敏感元件和磁强计是其中一个重要方面。由后过渡金属(Fe、Co、Ni)和前过渡金属(Zr、Nb、…)组成的非晶态合金是一类重要的软磁材料,但是目前国内外有关利用这类材料制作磁场敏     

非晶态铁硼薄膜的平面霍耳效应

对于用射频溅射法制得的Fe_(83)B_(17)薄膜进行了平面霍耳效应的研究。实验表明:厚度大于800(?)的薄膜测量结果与导出的公式符合良好,且平面霍耳电压V_H的磁滞回线有轴对称性,但对较薄的膜则出现对公式的偏离并失去对称性。V_H的幅值可达500μV,开关临界磁场为22×10~(-4)T,晶化以后薄膜的V_H减小约一个数量级。利用平面霍耳效应测量了薄膜的静态磁特性。     

一种新的研究电沉积生核过程的电化学方法

在恒阴极电流上叠加一小振幅方波电流研究电沉积的生核过程，理论分析表明，由小幅度方波电流的电位－时间响应曲线可以表征原有恒电流下的电极特征；电沉积中产生的过电位特征峰是由于生核步骤迟缓所造成。实验结果证明：电沉积Ｎｉ－Ｐ合金初期形成非晶核所需能量比电沉积晶态Ｎｉ核要小得多。     

激波对非晶态合金Fe_（78）B_（13）Si_9的作用

采用ＸＲＤ初步研究了经激波作用的非晶态合金Ｆｅ（７８）Ｂ（１３）Ｓｉ９的晶化，结果表明，激波对非晶态合金Ｆｅ（７８）Ｂ（１３）Ｓｉ９具有强烈影响。激波可以使非晶态合金Ｆｅ（７８）Ｂ（１３）Ｓｉ９转变为多品材料，结晶出新的晶化相。这些晶化相的ｘ－射线衍射峰不同于用传统退火工艺得到的晶化峰，且各自彼此也不同。激波可能是一种很好的研究非晶晶化的新技术。     

非晶态合金及其制造技术

本文介绍了非晶态合金的特点、制造技术和应用领域。     

非晶态Fe_1—xBx-Fe_(1-x)B_x合金的电子结构

以四面体Fe_4B为原子团,利用多重散射X_a自洽场的方法,对非晶态Fe_(1-x)B_x合金的电子结构进行了计算。分析、对比了原子团Fe_4和Fe_4B的能级分布、轨道等高线图和状态密度分布,讨论了B原子的加入对非晶态Fe_(1-x)B_x合金的电子结构的影响。     

Characteristics of Disorder and Defect in Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride Thin Films Containing Silicon Nanograins

The hydrogenated amorphous silicon nitride （SiNx） thin films embedded with nano-structural silicon were prepared and the micro- structures at the interface of silicon nano-grains/SiNx were identified by the optical absorption and Raman scattering measurements. Characterized by the exponential tail of optical absorption and the band-width of the Raman scattering TO mode, the disorder in the interface region increases with the gas flow ratio increasing. Besides, as reflected by the sub-gap absorption coefficients, the density of interface defect states decreases, which can be attributed to the structural mismatch in the interface region and also the changes of hydrogen content in the deposited films. Additional annealing treatment results in a significant increase of defects and degree of disorder, for which the hydrogen out-diffusion in the annealing process would be responsible.     

电沉积镍—磷合金研究

本文阐述了镍盐—次磷酸钠镀液的特点,分析了电镀参数对镀层质量及组成的影响,讨论了电镀镍—磷合金镀层的性能。