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81.
阐述了变电站综合自动化系统的结构形式,主要功能和发展趋势,及其应用的深远意义。  相似文献   
82.
本文从二维完全N-S方程出发,采用NND2M差分格式,计算了超声速自由剪切层流场,并且研究了上游扰动在剪切层内的传播规律。在数值模拟的基础上对流动涡结构进行了分析。  相似文献   
83.
碳纤维增强陶瓷基复合材料抗氧化涂层研究进展   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
对碳纤维增强陶瓷材料抗氧化涂层的要求、组成与制备工艺以及最近抗氧化涂层体系的发展做了综述。并且对今后抗氧化涂层的发展作了一些展望。  相似文献   
84.
有无中心锥圆排波瓣喷管引射器内流场模拟与比较   总被引:3,自引:9,他引:3  
用数值模拟手段研究了中心锥增进圆排波瓣喷管引射器内热混合流场的影响 ,推导了非正交曲线坐标系下有无中心锥圆排波瓣喷管引射器内流场的基本方程 ,采用 SIMPLEC算法和一种完全压力修正方法 ,以物理平面速度分量作为求解变量 ,以逆变速度作为界面流速 ,在同位网格上求解了有中心锥波瓣喷管引射器内的流场控制方程 ,并与实验测量结果和无中心锥的数值计算结果进行了比较。结果表明 ,计算结果与测量值符合较好。有中心锥的低温等值线可以延伸至中心轴线 ,与在没有中心锥的情况下 ,混合管中心轴线处的温度始终保持为高温状态有很大的不同。从而找到了有中心锥的圆柱混合管热混合效率大于没有中心锥的根本原因  相似文献   
85.
电大尺寸散射体的RCS计算方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了更加有效的求解电大目标散射计算问题,在避免谐振区效应情况下获得复杂目标的隐身雷达散射截面(RCS)特性,引用混合场积分方程(CFIE),在快速算法的求解迭代过程中采用共轭梯度算法(CG)的收敛技术,能够稳定的求解电大尺寸的RCS。计算和分析了金属球双站RCS和金属立方体双站RCS,并和精确计算、相关参考文献进行了比较,证明了方法的正确性,计算结果稳定,在工程实际上有较大的应用价值。  相似文献   
86.
BH新型憎水剂及其憎水膜层“三防腐蚀”性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了BH系列(BH 102和BH 103)憎水剂的合成工艺、技术指标、憎水处理成膜工艺以及憎水膜层的憎水效果和耐腐蚀性能。结果表明,BH系列憎水剂的憎水效果良好,在零件表面形成的憎水膜层能达到105°以上的憎水角;同时经BH系列憎水剂处理后的钢铁磷化表面的耐腐蚀性能得到明显改善,具有优良的"三防腐蚀"性能,其中含有复配缓蚀剂的BH 103憎水膜层的耐腐蚀性更优于添加单一缓蚀剂的BH 102憎水膜层。  相似文献   
87.
采用了 SACMA标准和一种小试样试验方法对复合材料层合板低速冲击后的压缩 (CAI)行为进行试验研究 ,从层合板的冲击损伤分布、冲击后压缩破坏过程 ,以及层合板的准静态横向压缩、开孔后压缩等多方面进行对比 ,结果表明 ,这两种试验方法存在很大差别 ,试验方法不同 ,层合板低速冲击后的压缩行为也不同 ;采用 SACMA标准所测得的低速冲击后压缩强度更能全面反映基体韧性的优劣。作为 CAI试验标准 ,小试样试验方法还有待改进  相似文献   
88.
讨论了Ti2AINb基合金的熔炼特点,概括介绍了真空水冷铜坩埚感应激壳熔炼的设备结构原理和工艺技术,结合Ti2AINb基合金的熔炼实践,研究了合金元素的加入形式、熔炼室真空度对合金铸锭的均匀性以及合金中Al挥发烧损的影响规律。结果表明:采用水冷铜坩埚真空感应凝壳熔炼Ti2AINb基合金,合金铸锭成发均匀性很好,随着熔炼工艺的不同,Al挥发烧损在5%~10%(质量分数)之间。  相似文献   
89.
基于传递函数方法的局部覆盖环状CLD圆柱壳动力学分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
 采用传递函数方法对局部覆盖环状约束层阻尼(CLD)圆柱壳进行了动力学分析。基于Donnell薄壳简化,由Hamilton原理导出了局部覆盖CLD圆柱壳的运动方程和边界条件,通过Laplace变换并引入状态向量后,建立了系统的状态空间方程,利用传递函数方法求解方程得到了系统的固有频率、〖JP2〗损耗因子和频响曲线。算例分析结果验证了该方法的有效性和精确性,且更适于处理黏弹性材料具有频变特性的问题。讨论了CLD覆盖率和黏弹层厚度对系统固有频率和损耗因子的影响,为局部覆盖CLD圆柱壳的优化设计奠定了基础。  相似文献   
90.
研究了铺层方式为「02/902/452/-452」S的航空用碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)准各向同性层合板板速冲击引起损伤的表征问题,通过落重冲击试验引入损伤程度D表示材料低速冲击后材料参数的变化大小,通过准静态球面弯曲线试验提出复合材料层合板抗冲击的三种表征参数:层内开裂临界能E1c,层间开裂(分层)临界能E2C,分层扩展阻为R。  相似文献   
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