错频叶盘结构振动模态局部化特性分析

利用"错频失谐(Mistuning)"是进行颤振抑制的有效手段,但是否会导致较大叶盘结构振动局部化是需要进一步研究的问题.本文以典型压气机叶盘结构为例,通过引入实际的两种错频失谐方案,分析研究了谐调和"错频失谐"情况下叶盘结构振动模态特性和模态局部化性质.研究表明,"错频失谐"会引起显著的振动局部化,因此实际叶盘失谐设计中需要综合考虑颤振抑制和失谐振动局部化两方面.      

空间对接机构对接锁系同步性仿真研究

对接锁系运动同步性指标是空间对接机构实现正常连接和分离的重要技术参数。对接锁系运动同步性仿真的难点在于柔性钢索在ADAMS中的模化问题,通过数学关系以子程序的形式来模拟钢索的作用,以此来研究对接锁系的同步性问题。最后,依据仿真结果指出了影响对锁锁系的同步性问题的主要因素并给出了合理的仿真建议。
     

航空快卸锁的承载,游动和防水再设计

在某改型收音机设计中需选用快卸锁,现有的快卸锁标准件只能部分地满足该飞机的设计要求。因此我们对某现有快缺陷没进行了更改设计,本文就该型快卸锁的承载、游动和防水再设计作了详细的介绍,并提供了部分试验数据,可供有关飞机设计人员参考。     

双向液压锁裂纹分析

几年来,我公司生产的K8飞机零件双向液压锁在做寿命试验中,多次发现该零件的进油腔与出油腔的R部位漏油,如图1箭头所示。该零件的材料为LD5,其生产过程为：模锻→热处理→机械加工→表面处理。现根据有关要求分析裂纹产生的原因,并提出相应的改进措施。     

民用飞机飞行锁解锁控制系统设计与研究

发展一种健全的高安全性飞行锁控制系统解锁控制架构在民用飞机舱门电控中是相当重要的。飞行锁控制系统用于防止飞机在飞行过程中人为意外打开旅客登机门、服务门和应急门的操作。在适航审查活动中,定义了飞行锁控制系统在地面应急撤离阶段无法解锁的I类安全性事件。按照飞行锁控制系统实际使用需求和适航规章要求,设置较为宽松的解锁逻辑。为了实现飞行锁控制系统在应急阶段的高安全性要求,提高系统的鲁棒性和可靠性,在飞行锁控制系统中引入应急撤离系统控制信号和驾驶舱手动控制信号使用机制以提升应急撤离情况下的自动控制以及飞行员对飞行锁控制系统的控制权限。该项飞行锁控制系统设计将飞行锁控制系统功能研制保证等级由A级下调至C级,有效降低了研制成本和人员研制精力,同时提升了飞行锁控制系统的安全性,达到飞行锁控制系统的全面控制和精细化管理。     

Ni基超合金强化相的电子结构和层错能的计算

为了控制和调整合金中位错分解方式，最终达到控制蠕变机制和提高合金持久寿命的目的。应用实空间Recursion方法，计算了Ni3Al强化相中[111]层错的电子结构及加入微合金化元素Co的效应。建立了Ni3Al中沿[111]方向生长的晶体模型和产生层错后的晶体模型，给出了体元的电子态密度，费米能级和层错能。通过计算得到了以下结论：(1)在Ni3Al晶胞中Al对于总态密度的贡献在整个能量范围内较小，总态密度主要来自过渡金属Ni。(2)用Co原子代替Ni3Al中Al原子可以降低Ni3Al层错能。     

载波捕获防错锁技术新探

应我国微波统一测控系统设备中存在的载波捕获错锁问题展开讨论，并对目前防错锁方法的优劣进行了分析，在分析和研究前人工作的基础上，提出了载波能量中心防错锁算法。     

几何非线性固体壳单元新列式的研究

通过定义广义应力，提出了一个改进的刚度矩阵，以克服固体壳元的厚度自锁问题；由一个基于广义应力的新的非线性变分泛函，推导了一个用于几何非线性分析的十八节点固体壳单元，精心选择低、高阶应力插值模式，保证二者正交，且对应于低阶项的刚度阵与减缩积分单元相当，对应高阶项的刚度阵用于克服单元的零能模式且可推得显式，从而显著提高了计算效率，此外该单元还拥有优秀的收敛性能，即使在非常大的载荷步下也能取得好的收敛结果。     

民用飞机刹车系统接地保护、锁轮保护和滑水保护研究

介绍了民用飞机刹车系统的三个保护功能,即接地保护、锁轮保护和滑水保护功能,这三者虽然是刹车防滑功能的辅助功能,却对飞机的安全性和操作性有着重要影响。针对三个保护功能,分别分析了其设置目的、工作阶段、作用原理和控制逻辑,并给出了控制逻辑的建议值。鉴于其重要的安全性作用,进行了定性的安全性FHA需求分析。同时,对于控制逻辑相对复杂的锁轮保护功能,对比分析了两种不同控制方案,并给出了结论。     

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。