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101.
The electronic structures of the titanium dioxide(TiO2) doped with V and Fe were analyzed by using first-principle calculations based on the density functional theory(DFT) with the full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW). The fully optimized structure and the relaxation introduced by impurity were obtained by minimizing the total energy and atomic forces. The unit cell of the V-doped anatase TiO2 is smaller than that of the non-doped one, but for the Fe-doped one, the case is just the opposite. It is found that the apical Ti-O and impurity-O bond lengths of the V/Fe-doped anatase TiO2 are greater than those of the non-doped structure, but smaller for the equatorial bond length. Through the band structures and the density of states, the V-doped TiO2 is shown to be a kind of half-metal, while the Fe-doped TiO2 a kind of metal. The magnetic moments of the V/Fe-doped system are mainly generated by the dopants. The results may be helpful for us to understand the experimental outcome of this system.  相似文献   
102.
对固体电解质原理及应用作了详细的叙述,从本质上对ZrO2固体电解质的导电原理和掺杂改性作了描述,针对新型传感器发展方向作了进一步论述.  相似文献   
103.
采用EB-PVD沉积了3.5%Y2O3-La2(Zr0.7Ce0.3)2O7(3.5Y-LZ7C3)/YSZ双陶瓷热障涂层,分析了涂层的成分、相结构、组织形貌和热循环氧化性能.研究表明:La2(Zr0.7Ce0.3)2O7(LZ7C3)材料中掺杂Y2O3能有效地降低涂层中La2O3/ZrO2/CeO2的成分偏差;双陶瓷涂层在1050℃下氧化增重动力学为M=0.1219t1/3,相比抛物线型YSZ涂层的氧化增重曲线,较大减缓了氧化速度;沉积态双陶瓷涂层表面结构(即3.5Y-LZ7C3涂层结构)为烧绿石结构,经过热循环后逐渐分解,出现了萤石结构以及La2O3的衍射峰;在1050℃双陶瓷层热循环氧化寿命达768h.  相似文献   
104.
掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究   总被引:5,自引:1,他引:5  
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释  相似文献   
105.
Sb掺杂对ZnO厚膜的电导和气敏性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用共沉淀的方法,制备了纤锌矿结构的ZnO及其掺Sb的ZnO纳米粉.X射线衍射(XRD)分析表明,当锑掺量小于5wt%时没有新相生成.纯ZnO和掺Sb的ZnO器件的气敏和电阻测试结果发现:不同的厚膜烧结工艺对气体的敏感性影响较大,并且掺Sb后ZnO的气敏性能有所提高,电导峰消失.从缺陷角度、XPS分析的结果进行了讨论,初步解释了锑的掺入导致电导变化和气敏性能提高的原因.  相似文献   
106.
通过在微弧氧化电解液中添加纳米SiO2颗粒配制纳米电解液,在铝合金表面制备了纳米复合微弧氧化层,考察了恒电压和恒电流两种模式下纳米SiO2复合对微弧氧化层生长动力学的影响.结果表明,恒电压模式下,纳米SiO2复合大幅度提高了生长电流和微弧氧化层生长速率;恒电流模式下,纳米SiO2复合提高了微弧氧化层生长速率,电流效率提高.纳米SiO2颗粒在纳米复合微弧氧化层中掺杂,形成杂质能级,并且降低了微弧氧化层材料的禁带宽度,促进了微弧氧化电击穿过程,是纳米SiO2复合促进微弧氧化层生长的主要原因.  相似文献   
107.
对巨磁电阻材料La1-xZnxMnO3(x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)样品的制备工艺、晶体结构、微观结构进行研究。结果表明,样品ZnO与MnO2固相反应的烧结温度和时间分别大于1300℃和6h时,反应生成具有四面体结构的ZnMnO3化合物;压制成型的压力对结构具有一定影响;不同浓度的Zn2 (x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9)掺杂样品在1350℃烧结12h后,均具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在大于x=0.5时有新的衍射峰,产生新的物相,从而影响巨磁电阻效应性能。  相似文献   
108.
借助于XRD,SEM分析及力学性能测试,分析了Y2O3掺杂对原位合成TiB/TiAl复合材料显微组织与力学性能的影响.研究表明:Ti-Al-B-Y2O3,体系反应产物的相组成基体为Ti3Al和TiAl相,增强相为TiB,并有微量的Al2O3,YAl3(BO3).相生成.Y2O3的引入,改变了基体TiAl相和Ti,Al相相对含量,生成的YAl3(BO3)4为陶瓷相,其微细、均匀地扩散到基体内部,可细化晶粒.力学性能测试表明,Y2O3的引入能有效改善复合材料的力学性能.  相似文献   
109.
用溶液法在ITO玻璃上依次沉积了稀硫酸掺杂聚苯胺(PANI)膜和聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜,利用SEM和FTIR对两种薄膜的表面形貌及分子链基团结构进行了分析,讨论了薄膜的电导率和电化学性能.结果表明:聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜有较理想的物理化学性能,电化学性稳定,循环100次后,循环伏安曲线变化较小;当PAMPS-PANI膜的厚度为230 nm时,它的电导率可达到0.398 S/cm,室温时电导率可调,是较理想的电磁屏蔽材料.  相似文献   
110.
氮掺杂钛合金表面微弧氧化性能及机制分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过离子束辅助沉积在钛合金表面制备TiN膜层,以Na3PO4为电解液,在不同浓度条件下,采用微弧氧化法对钛合金表面进行氧化,以提高钛合金表面的硬度.X射线和元素成分分析表明当Na3PO4浓度增加至0.03mol/L时,钛合金表面所形成薄膜晶相为含氮元素的锐钛矿和金红石混合晶相.和已有的报道相比,有着较好的硬度.  相似文献   
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