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针对一种以方形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件 ;采用电阻热激励、压敏电阻拾振的压力微传感器 ,分析了其工作机理 ;依幅值、相位条件讨论了该谐振式微传感器的闭环自激系统 ;建立了微传感器的温度场模型和热应力模型 ,并进行了仿真计算与分析 相似文献
245.
以自制的聚硼硅氮烷(P-SiBCN)为基体聚合物利用前驱体浸渍裂解技术(PIP)制备了二维碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料,并对其力学性能进行了初步研究.经8次浸渍-裂解,所得复合材料室温弯曲强度为334 MPa,800℃/氩气条件下弯曲强度367 MPa.该复合材料未经抗氧化防护处理情况下,800℃静态空气中氧化3h后,强度保留率约为60%. 相似文献
246.
硅灰是硅金属生产中的一种付产品,具有能提高砼强度,减少砼的碱-硅反应(ASR)等性能,可掺入高强砼中用于相应的建筑工程中,同时具有提高硅的抗硫酸盐的性能,由于塞浦路斯海岸线的土层中硫酸盐的含量高,因而硅灰在塞浦路斯获得广泛的应用,该文着重介绍了硅灰在塞浦路斯的应用实例。 相似文献
247.
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采用电化学刻蚀的方法,在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察,并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明,多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定,多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小,加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的,而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。 相似文献
249.
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 相似文献
250.
邓北川 《西安航空技术高等专科学校学报》2000,18(1):34-36
硅整流桥电路是由四个硅二极管组成四个桥臂的一种电桥电路,在模拟电路中应用非常广泛。主要应用在直流电源、测量、极性选择等实际电路中。 本文结合硅整流桥的实际应用电路及教学实践,简要分析硅流桥电路的结构、原理及应用举例;使学生充分认识到该电路的重要性及普遍性,并掌握有关知识。 相似文献