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241.
新型芳炔基硅树脂及其复合材料的制备   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用三乙炔基苯基苯(TEPHB)对聚硅乙炔(PSA)进行改性,成功制备了一种新型芳炔基舍硅杂化树脂(PSA-E),并使用该树脂基体制备了玻璃纤维增强复合材料.表征结果指出PSA-E树脂兼具良好的工艺性能与优异的耐高温性能,该树脂的固化过程较为温和且易于控制,其固化物的Td5高于500℃,900℃残重率大于89%(氮气条件下).玻璃纤维增强PSA-E基复合材料的力学性能较PSA基复合材料有较大幅度的提高.  相似文献   
242.
含硅芳炔树脂的化学流变特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
含硅芳炔树脂的流变特性对于其RTM成型工艺有重要参考价值,采用DSC热分析及黏度测量表征了含硅芳炔树脂的固化特性和黏度与温度的关系,发现含硅芳炔树脂为典型的牛顿流体,且在100~130℃范围内具有较低黏度,维持时间长.根据其黏度-温度-时间关系建立了双阿伦尼乌斯黏度模型,模型分析与实验结果取得较好的一致性,可为RTM成型工艺窗口的预测提供支撑.  相似文献   
243.
六轴静电悬浮的硅微加速度计以其低量程、高分辨率和多轴集成等特点,在微小航天器的无拖曳控制、微重力测量等方面有着独特而重要的用途.本文针对外带梳齿式长方体检测质量的表头结构,依据带宽、量程、刚度等指标要求,经位移检测解耦变换与加力控制耦合变换后,分别设计出六轴稳定悬浮控制器.在地面大气环境下的仿真分析结果表明,阻尼最小的...  相似文献   
244.
针对一种以方形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件 ;采用电阻热激励、压敏电阻拾振的压力微传感器 ,分析了其工作机理 ;依幅值、相位条件讨论了该谐振式微传感器的闭环自激系统 ;建立了微传感器的温度场模型和热应力模型 ,并进行了仿真计算与分析  相似文献   
245.
以自制的聚硼硅氮烷(P-SiBCN)为基体聚合物利用前驱体浸渍裂解技术(PIP)制备了二维碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料,并对其力学性能进行了初步研究.经8次浸渍-裂解,所得复合材料室温弯曲强度为334 MPa,800℃/氩气条件下弯曲强度367 MPa.该复合材料未经抗氧化防护处理情况下,800℃静态空气中氧化3h后,强度保留率约为60%.  相似文献   
246.
硅灰是硅金属生产中的一种付产品,具有能提高砼强度,减少砼的碱-硅反应(ASR)等性能,可掺入高强砼中用于相应的建筑工程中,同时具有提高硅的抗硫酸盐的性能,由于塞浦路斯海岸线的土层中硫酸盐的含量高,因而硅灰在塞浦路斯获得广泛的应用,该文着重介绍了硅灰在塞浦路斯的应用实例。  相似文献   
247.
为改善硅太阳电池在轨工作期间的性能,通过对空间用太阳电池带通滤波器结构设计和制备工艺的研究,研制出一种空间用硅太阳电池的带通滤波器并对其性能进行了测试,结果表明,采用该带通滤波器可使硅太阳电池在轨工作温度降低6°C~12°C,输出功率增加1.8%~4.1%.带通滤波器的研制对于促进高效硅太阳电池的空间应用具有积极意义.  相似文献   
248.
采用电化学刻蚀的方法,在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察,并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明,多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定,多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小,加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的,而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。  相似文献   
249.
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.  相似文献   
250.
硅整流桥电路是由四个硅二极管组成四个桥臂的一种电桥电路,在模拟电路中应用非常广泛。主要应用在直流电源、测量、极性选择等实际电路中。 本文结合硅整流桥的实际应用电路及教学实践,简要分析硅流桥电路的结构、原理及应用举例;使学生充分认识到该电路的重要性及普遍性,并掌握有关知识。  相似文献   
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