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101.
本文从二维完全N-S方程出发,采用NND2M差分格式,计算了超声速自由剪切层流场,并且研究了上游扰动在剪切层内的传播规律。在数值模拟的基础上对流动涡结构进行了分析。  相似文献   
102.
碳纤维增强陶瓷基复合材料抗氧化涂层研究进展   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
对碳纤维增强陶瓷材料抗氧化涂层的要求、组成与制备工艺以及最近抗氧化涂层体系的发展做了综述。并且对今后抗氧化涂层的发展作了一些展望。  相似文献   
103.
类升力体外形俯仰阻尼特性数值研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用有限差分方法求解薄层近似的非定常Navier-Stokes方程,定常流场采用交替方向隐式分解的NND格式,非定常流场采用四步Runge-Kutta方法,在保证时、空二阶精度前提下引入变系数残值光顺技术提高非定常流场计算效率,复杂带翼外形的空间网格通过求解抛物化的椭圆型方程生成,最后在Etkin理论下给出球锥及类升力体外形的俯仰阻尼导数计算结果。  相似文献   
104.
10°尖锥标模高超声速动导数的实验测量   总被引:2,自引:1,他引:2  
在中科院力学所JP-4B高超声速脉冲风洞中,用模型自由飞方法对1°尖锥开展动态实验测量,并用参数微分法辨识得到了该模型的俯仰阻尼导数。文中还介绍了在模型优化设计,模型工艺以及实验测量记录和数据判读技术方面的一些进展。实验结果表明;脉冲风洞中模型自由飞方法得到的10°尖锥标模高超声速动态气动特性测量值与国外可比数据一致,重复测量精度与弹道把试验相当。  相似文献   
105.
电大尺寸散射体的RCS计算方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了更加有效的求解电大目标散射计算问题,在避免谐振区效应情况下获得复杂目标的隐身雷达散射截面(RCS)特性,引用混合场积分方程(CFIE),在快速算法的求解迭代过程中采用共轭梯度算法(CG)的收敛技术,能够稳定的求解电大尺寸的RCS。计算和分析了金属球双站RCS和金属立方体双站RCS,并和精确计算、相关参考文献进行了比较,证明了方法的正确性,计算结果稳定,在工程实际上有较大的应用价值。  相似文献   
106.
BH新型憎水剂及其憎水膜层“三防腐蚀”性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了BH系列(BH 102和BH 103)憎水剂的合成工艺、技术指标、憎水处理成膜工艺以及憎水膜层的憎水效果和耐腐蚀性能。结果表明,BH系列憎水剂的憎水效果良好,在零件表面形成的憎水膜层能达到105°以上的憎水角;同时经BH系列憎水剂处理后的钢铁磷化表面的耐腐蚀性能得到明显改善,具有优良的"三防腐蚀"性能,其中含有复配缓蚀剂的BH 103憎水膜层的耐腐蚀性更优于添加单一缓蚀剂的BH 102憎水膜层。  相似文献   
107.
采用了 SACMA标准和一种小试样试验方法对复合材料层合板低速冲击后的压缩 (CAI)行为进行试验研究 ,从层合板的冲击损伤分布、冲击后压缩破坏过程 ,以及层合板的准静态横向压缩、开孔后压缩等多方面进行对比 ,结果表明 ,这两种试验方法存在很大差别 ,试验方法不同 ,层合板低速冲击后的压缩行为也不同 ;采用 SACMA标准所测得的低速冲击后压缩强度更能全面反映基体韧性的优劣。作为 CAI试验标准 ,小试样试验方法还有待改进  相似文献   
108.
提出了一种新的利用图像中的互相垂直的两对平行线及模约束来实现摄像机的自定标,该方法只需要图像中包含有两对互相垂直的平行线,利用两幅图像就可以实现摄像机的自定标.所提出的摄像机定标方法在求解过程中是准线性的,模拟实验和真实实验数据结果表明,该方法能够标定出摄像机的所有内参.  相似文献   
109.
基于传递函数方法的局部覆盖环状CLD圆柱壳动力学分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
 采用传递函数方法对局部覆盖环状约束层阻尼(CLD)圆柱壳进行了动力学分析。基于Donnell薄壳简化,由Hamilton原理导出了局部覆盖CLD圆柱壳的运动方程和边界条件,通过Laplace变换并引入状态向量后,建立了系统的状态空间方程,利用传递函数方法求解方程得到了系统的固有频率、〖JP2〗损耗因子和频响曲线。算例分析结果验证了该方法的有效性和精确性,且更适于处理黏弹性材料具有频变特性的问题。讨论了CLD覆盖率和黏弹层厚度对系统固有频率和损耗因子的影响,为局部覆盖CLD圆柱壳的优化设计奠定了基础。  相似文献   
110.
研究了铺层方式为「02/902/452/-452」S的航空用碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)准各向同性层合板板速冲击引起损伤的表征问题,通过落重冲击试验引入损伤程度D表示材料低速冲击后材料参数的变化大小,通过准静态球面弯曲线试验提出复合材料层合板抗冲击的三种表征参数:层内开裂临界能E1c,层间开裂(分层)临界能E2C,分层扩展阻为R。  相似文献   
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