WGS-84模型下时差频差半定规划定位算法

利用多颗卫星的时差频差对辐射源进行位置和速度的测量,其本质意义上是一个含有噪声项的高度非线性方程组求解问题,针对地面目标而言,可以采用基于WGS-84地球模型作为目标位置和速度约束,更进一步的增加了定位系统的复杂性。提出了一种基于半定规划(SDP)的定位解算法,将非线性方程求解问题通过适当的松弛,转化为半定优化(SDO)的问题,借助于业界较为成熟的CVX等优化软件进行定位求解,并研究了该模型条件下的克拉美罗下界(CRLB)。仿真结果表明,该算法能够较好地逼近克拉美罗下界。     

中航工业计量所成功研制光纤飞秒激光器

正近日,中航工业北京长城计量测试技术研究所(简称中航工业计量所)重点实验室飞秒激光课题组成功研制1.03μm掺镱光纤飞秒激光器和1.55μm掺铒光纤飞秒激光器。这标志着中航工业计量所在腔内色散补偿光纤激光技术方面达到了国内领先水平,也为实现小型化便携式的飞秒激光频率梳奠定了良好的开端基础。光纤飞秒激光器以其小型化、便携化、风冷却、低成本和     

机载无源侦察定位方法研究

无源侦察定位是电子对抗的重要组成部分,在隐身与反隐身、电子侦察等方面的作用日益突出.介绍了飞机侦察定位所采用的测向方法,并对两种常用的测向方法进行了精度分析,给出了装备飞机的应用建议.     

某型发动机Ⅱ区加力燃油总管换段维修技术研究

通过对Ⅱ区加力燃油总管故障机理进行研究,对换段维修进行可行性分析评估,新开发了一种加力燃油总管换段维修技术,实现Ⅱ区加力燃油总管局部结构改进,提升产品工作可靠性,解决Ⅱ区加力燃油总管进油管三通座两侧焊缝裂纹和断裂故障问题。     

含间隙运动控制系统中的定位抖动和 速率波动原因分析及解决措施

针对一类含间隙大惯量非直驱转动系统中出现的速率波动现象,利用描述函数法和计算仿真的方法进行了原因分析.在通常的解决措施如双电机消隙、机械消隙方法之外,针对一类间隙可测量的运动控制系统,提出了解决该类问题的新思路,即通过间隙的间接测量,利用反馈机制进行间隙补偿,并用小增益定理证明了其稳定性.实现了部分电气消隙的作用,在适当降低跟踪精度的情况下,消除了定位抖动,提高了速率平稳性.     

基于几何原理的干涉仪天线安装定位方法

机载干涉仪天线的安装精度要求高,传统安装定位方法需要的人员多、工时长,并且无法保证精确度。本文提出一种基于几何原理的机载干涉仪天线安装定位方法,使用全站仪和相似三角形的几何原理在天线安装位置测量出机身水平线,减少了人员和工时,同时提高了安装的精确度。     

一种基于观测站数目最小化的TDOA/FDOA无源定位算法

在三维（3D）运动目标无源定位系统中，无模糊定位最少需要4个观测站。而传统的两步加权最小二乘（TSWLS）及其改进的闭式算法至少需要5个观测站进行求解，当减少一个观测站时，这些闭式算法往往无法提供可靠解。针对这一问题，提出一种最小化观测站数目的到达时间差（TDOA）与到达频率差（FDOA）定位算法。该算法是一种闭式解法并且能够在三维场景下仅使用4个观测站进行定位。该算法分为两步：第1步分离传统的TSWLS算法中未知参数空间，建立了一组新的等式，并且利用加权最小二乘（WLS）算法得到目标位置与速度的初始值；第2步利用泰勒级数展开算法将中间变量线性化，对目标位置和速度初始值进一步校正。理论分析证明了在适当的噪声水平下该算法能够达到克拉美罗界（CRLB）。此外，计算机仿真表明仅使用4个观测站时，该算法对于近场以及远场目标参数的估计精度在测量噪声较小时可以实现CRLB；并且还表明使用5个观测站估计时，该算法比TSWLS及其改进算法能更好地适应大的测量噪声。     

Luenberger观测器在永磁同步电机无传感器控制中的应用研究

在永磁同步电机(PMSM)矢量控制中,根据Luenberger观测器原理,提出了一种基于Luenberger观测器的PMSM转子速度和位置的估算方法,有效解决了PMSM由于机械传感器安装带来的一些弊端。利用MATLAB/Simulink工具搭建控制系统仿真模型并进行仿真验证,仿真结果表明控制系统具有良好的控制性能。最后,在以STM32F103ZET6为控制核心的硬件系统上进行算法的实现,试验结果表明基于Luenberger观测器的PMSM控制系统具有较高的控制精度且稳定性较好。     

微分法在定位误差分析与计算中的应用

介绍了微分法分析计算定位误差的原理和适用范围,通过生产实例分析,证明了该方法在解决多误差因素定位误差分析与计算中的简便与快捷,从而有效简化了复杂定位方案定位误差的分析与计算,提高了夹具的设计效率。     

一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

对MOS器件总剂量辐照机理的研究，多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对，以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发，分析γ射线对MOS器件的阈值影响，但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析；重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明：低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电；高压PMOS器件版图设计不当时，长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。