用急冷Al基合金作中间层对Si3N4进行扩散焊连接的研究

本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,急冷中间层接头的剪切强度明显高于普通中间层接头的剪切强度。其中急冷Al-Si-In-Ti-Zn-Mg中间层接头在扩散焊温度为475℃时(保温时间30min,压力为15MPa),强度最高(50MPa)。随着扩散焊温度的提高,接头剪切强度明显下降。断口分析表明:接头均断在界面附近。界面附近的富In相是接头强度的薄弱环节。随着扩散焊温度的提高,富In相尺寸增大,接头强度下降。急冷Al基中间层扩散焊连接Si_3N_4陶瓷的机制是:活性元素Ti向界面扩散富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成界面相TiN,同时中间层中的Al也向界面富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成AIN界面相。     

Si3N4陶瓷二次部分瞬间液相连接模型

在Si3N4陶瓷PTLP连接的基础上,提出了Si3N4陶瓷二次PTLP连接中间层设计的一般规律为Ti Cu X(X为Ni,Pt,Au,Pd等),X与Cu在固相和液相均是完全互溶的;分析了陶瓷二次PTLP连接过程并建立了连接模型,阐述了利用该模型选择连接参数的方法。     

分布式容错系统的低冗余重构策略及拓扑结构研究

分布式系统需要采用合理的拓扑结构，才能在低冗余的条件下的实现容错，从而获得高的性能价格比。本文从分析的可靠性与重构策略的关系以及重构策略与系统拓扑系统入手，找出解决这一课题的一种途径，最后介绍了一个低余度高可靠实时重构的分布式容错系统的实现。     

关于稀疏分布存贮模型中A连接权阵的讨论

Ｋａｎｅｒｖａ的稀疏分布存贮模型由于对寻址地址采用了稀疏编码，对数据采用了分布式存贮，从而解决了大维数向量的输入问题，ＳＤＭ实际上是一个由输入层，中间层和输出层组成的三层前向网络，其中神经元间的互迦权值在输入层与中间层是预置的（用矩阵Ａ表示），中间层与输出层的连接权阵Ｃ由外积法得到，文中假定在相同的学习规则下，就信噪比意义而言，Ａ的均匀预置能使ＳＤＭ获得最优性能，从而为Ａ的预置提供了理论依据。     

Laves相Nb-Cr合金的真空烧结

研究了真空烧结参数及机械合金化对Laves相Nb-Cr合金致密度的影响,结果表明球磨后粉末烧结试样的致密度增加率是未球磨粉末烧结试样的3~5倍;当烧结温度增加、烧结时间延长,Laves相NbCr2的合成更为充分,试样致密度增加。     

三轴转台谐波幅相自适应控制系统的设计

提出了一种能够有效地提高正弦运动仿真转台精度的谐波幅相自适应控制补偿方法，阐述了谐波幅相自适应控制的机理、结构配置，开发了谐波幅相自适应控制律、分析了系统稳定性，为进一步提高精度还提出了一种在线辨识系统频响模型的实现途径。由转台工作的实测数据及跟踪误差测试表明，本文提出的谐波幅相自适应控制方法的精度明显优于常规的经典控制，对其他精密正弦运动跟踪系统也有普遍意义。     

喷打用红色陶瓷表面装饰墨水的制备与性能

制备了一种红色陶瓷表面装饰墨水——与传统陶瓷表面装饰的新技术(连续式喷墨打印法)配套的新型墨水。它以陶瓷颜料为基本着色料，用溶胶一凝胶法制备，以连续式喷墨打印墨水的质量标准为参照标准。经测试，所制墨水的电导率、表面张力、粘度等理化性能完全符合喷墨打印墨水的要求，适合用喷墨打印法陶瓷装饰工艺的需要。研究了分散剂、粘接剂、pH值、固含量等工艺因素对该墨水性能的影响。该墨水制成时为墨绿色，经煅烧，各组分反应生成颜料，显现粉红色。     

抽运光与信号光之间的相位漂移对PSA动态孤子系统传输性能的影响

采用计算机系统仿真方法 ,研究抽运光与信号光之间的相位漂移对在线放大器为相敏光放大器的动态孤子传输性能的影响。仿真结果表明 :抽运光与信号光之间的相位漂移将导致孤子脉冲幅度下降。当相位漂移在±π/3 2之间时 ,孤子稳定传输的距离和没有相移时相比差别不大。而当相位漂移超过±π/3 2时 ,经长距离传输后孤子幅度显著下降。相位漂移越大 ,孤子幅度下降越显著。     

热载下三边固支一边简支矩形薄板的解析解

基于薄板的小挠度理论,根据四边简支矩形薄板在横向变温作用下的挠度和内力解答,通过应用虚功原理和叠加原理,推导了三边固支一边简支矩形薄板在横向变温作用下的挠度方程和内力解析解,从而为以后的工程计算提供了理论依据.     

一种新型软开关推挽三电平直流变换器

由于传统推挽直流变换器中开关管的电压应力高（输入电压的两倍），故该变换器的应用范围受到限制。本提出了一种新型的零电压零电流开关PWM推挽三电平直流变换器，其中开关管的电压应力为输入电压。对该变换器采用移相控制，可以发现超前管只能实现零电压开关。加入阻断电容和阻断二极管可以使滞后管实现零电流开关。在这种控制方式下该变换器克服了传统推挽变换器存在的偏磁现象，开关损耗大，开关管有电压尖峰等缺点，使得其变换效率更高，有更广的应用范围。该变换器的工作原理在一个600W，50kHz的实验样机上得以分析和验证。最后，本还提出了另外几种零电压零电流开关PWM推挽三电平直流变换器。