印度正在发展反卫星技术

据美国太空新闻网2010年1月4日报道,印度国防研发组织主任萨拉瓦特在1月3日称,印度已经开始开发激光器和外大气层杀伤拦截器,两者结合将制造出能破坏敌方在轨卫星的武器。萨拉瓦特称,印度需要开发拦截卫星所需的杀伤拦截器,这项工作作为弹道导弹防御计划的一部分正在进行中。     

利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试研究

研究讨论了一种利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试的方法. 设计的朗缪尔探针性能测试方法对外界因素要求较低,在常温常压的通常实 验室环境下即可进行,其测试结果可作为利用地面等离子体环境进行定标测试 前的初步性能验证. 通过实验室环境下的测试试验, 验证了该方法的有效性和 可行性.      

污染组分对高超声速试验热力学参数影响研究

在燃烧加热风洞中进行的地面模拟试验,高焓气流成分有别于纯净空气,这种污染现象给试验结果带来了一定的不确定性。为了考察污染组分对高超声速模型试验流场的影响,在激波风洞中通过调节激波强度以及添加一定量的污染组分(H2 O 和CO2)来模拟燃烧加热风洞的来流条件,采用简化的不同角度斜劈来模拟飞行器试验模型对来流的压缩作用,结合近红外可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)测量系统获取模型流场的静温,综合多组数据对比分析和研究污染组分对试验模型流场影响的特征和规律。结果表明,污染气体所产生的影响程度不仅与污染气体组分含量有关,而且与模型构型对来流的压缩程度以及来流自身的热力学参数状态都有密切的关系;对于压缩量不大的飞行器构型和来流静温不高的风洞试验而言,不同含量的CO2污染组分对流场静温影响不明显;但随着来流静温的提高或模型压缩量的增加,一旦二者的共同作用使得压缩后温升达到一定程度,污染效应的显现则渐趋明显。     

水溶性近红外荧光发射的PbS量子点的合成与表征

利用N-乙酰-L-半胱氨酸（NAC）作为稳定剂,合成了荧光性质良好的水溶性近红外发射的PbS量子点。系统考察了水相合成PbS量子点的主要影响因素,并通过TEM和XRD分别对其形貌和结构进行表征。结果表明,通过改变前体物质Pb／S,PIJ／NAC的摩尔比以及溶液的初始pH值,合成的PbS量子点显示强的近红外荧光,荧光发射峰在895nm到970urn间可调,表现出明显的量子尺寸效应。通过小鼠近红外成像实验初步证实本实验中合成的PbS量子点在生物医学成像,尤其在体内无损在位成像中具有良好的应用前景。     

半导体激光陀螺关键技术的分析

现有激光陀螺产品的成本较高,而且难以小型化,原因如下：（1）光源采用氦氖激光器,体积较大,而且不利于长期存放,（2）必须采用高反射率的镜面（或全反射的棱镜）减小闭锁阈值,（3）剩余的闭锁阈值较大,必须增加偏频装置消除闭锁现象。在本文中,将探讨在激光陀螺中采用半导体光源和集成光电子器件的可行性,内容包括：（1）国外对半导体激光陀螺的实验研究,（2）半导体激光陀螺关键技术的分析,（3）半导体激光陀螺实验的设计。     

激光器驱动干涉型光纤陀螺光源相位调制技术研究

激光器驱动干涉型光纤陀螺的优点是潜在精度高、标度因数稳定性好等,在飞机、舰船惯性导航以及其他高性能领域具有广泛的应用前景。当然,干涉型光纤陀螺采用高相干光源面临诸多技术挑战,如相干瑞利散射、Kerr效应、偏振交叉耦合、Faraday效应等引起的漂移和噪声。采用宽线宽激光器可以抑制这些误差。针对激光器驱动干涉型光纤陀螺中加宽激光器线宽、降低激光器相干性的几种相位调制技术以及线宽加宽抑制噪声的效果进行了理论分析和评估。     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

（在CP—MOCVD生长过程中）本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs／InP量子阶激光器的p－n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5％压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时,我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA／cm2的应变三量子阱激光器。     

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径：首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。     

应用于激波风洞的半导体应变天平技术研究

对于有效试验时间仅有十至几十毫秒的激波风洞,常规应变天平和压电天平无法满足高精度气动力测量要求。半导体应变计的应变灵敏度远大于常用的金属电阻应变计,但其温度系数比金属电阻应变计高出2个数量级。针对此问题,设计了温度自补偿的半导体应变计并应用于等强度梁试验,结果表明:温度自补偿能够有效改善半导体应变计的温度效应,可将温度漂移降低至0.2% FS。在此基础上,设计了一杆高频响六分量半导体应变天平,通过天平、支杆一体化等设计,将测力试验系统的一阶固有频率提升至100 Hz以上。天平静态校准结果表明:该天平的综合加载误差达到国军标合格指标,综合加载重复性达到国军标先进指标。激波风洞B-2标模测力验证试验结果表明:在有效试验时间内,该天平可获得一个周期以上的输出信号,风洞试验结果与气动手册参考值、CFD计算值吻合较好。