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41.
本成果适用于含铬废水化学还原法处理过程。利用计算机与自动控制技术,对废水处理工艺流程进行自动监测与控制,按工艺流程需要,完成自动充水、自动投药(酸、还原剂、碱)、自动监测和自动排水。本系统包括两大部分:发信器与控制器。前者由各种化学传感器和放大器组成。它可将废水中H+ 离子浓度和Cr2 O72 - 离子浓度的变化转换成电位信号,以此作为控制信号。控制器部分,根据本处理工艺流程设计有五个闭环,每个闭环中的控制均由专用微机完成。处理过程依次推进,实现水处理工艺过程自动化。技术指标:(1)处理后出水水质Cr6 + <0 .5mg/L ,pH =8…  相似文献   
42.
POSS改性传统聚合物的研究进展   总被引:18,自引:1,他引:18       下载免费PDF全文
综述了多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)改性传统聚合物的作用及其应用;介绍了POSS的纳米级笼形结构、良好的热力学和化学稳定性及耐热、阻燃等以及溶胶一凝胶法合成.POSS的优缺点。重点介绍了POSS改性传统聚合物的作用:如提高聚合物的使用温度,降低聚合物的介电常数,提高改性体系的力学性能和阻燃性能。并指出POSS改性传统聚合物在航空航天领域及塑料工业中的应用,对POSS改性传统聚合物的增强机理及POSS新的合成途径作了展望。  相似文献   
43.
44.
化学气相渗透制备SiCp/SiC复合材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
在颗粒陶瓷基复合材料中引入一种颗粒团结构,探索了此结构的跨尺度、非均匀复合效应对颗粒陶瓷基复合材料的力学性能影响.采用造粒的方法制备了SiC颗粒团聚体,并利用此颗粒团聚体压制成疏松预制体;采用化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)制备SiC基体,并研究了这种复合材料的微结构与力学性能的关系.  相似文献   
45.
肖应超  汤海滨 《推进技术》2004,25(5):458-462
为了准确把握电弧喷射推力器工作过程物理机理与特征,采用化学非平衡模型对不同压缩室直径下低功率氮电弧喷射推力器工作情况进行了数值模拟。模型考虑了工作过程中的分解反应、电离反应和复合反应,化学动力学模型为4组分,4反应的有限速率化学反应模型。采用二阶精度NND格式数值求解耦合电磁源项和化学反应源项的N S方程组,采用有限控制容积积分方法求解由麦克斯韦方程组推导出的电磁场方程。数值模拟的结果揭示了推力器内部电弧能量输入作用和高温电离气体的离解电离状况,给出了不同压缩室直径下推力器的推力、比冲和推进效率。结果分析表明,压缩室直径对推力器性能具有较大影响。  相似文献   
46.
在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.  相似文献   
47.
基于Cr过渡层沉积CVD金刚石涂层的试验研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了在硬质合金上基于Cr过渡层沉积CVD(Chemical vapor deposition)金刚石涂层的工艺,利用自制的CVD金刚石沉积设备制备出晶形完整、晶粒大小均匀、分布连续的金刚石涂层。用SEM和Raman光谱对CVD金刚石涂层进行了分析。结果表明,沉积工艺对金刚石的形态和成分有显著影响,基体温度在800℃左右时,可以得到晶形完整,非金刚石成分较少,与基体结合紧密的CVD金刚石涂层。  相似文献   
48.
本文用考虑了曲率影响的两结线低阶有限板条元分析了腰形柱壳的力学性能这种条元位移参数少,能较好地体现壳体的几何特性。  相似文献   
49.
非接触光测物体大位移研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种非接触光学法-单光栅双图像法测量物体位移的新技术,利用两个正交的图像记录系统,在试件作大位移后,记录被平行多光束照射形成的光点所覆盖的试件的图像,借助于记录光路系统几何表数,可建立一联立方程组。解此方程组,就可得到被测物体上诸光点所表示的测点的位移大小和坐标值,文中还论述了度件图上测点位置的确定和修正方法,导出了被测物休图像负片上测点的实际坐标的计算公式,实验结果证明,本文提出的测量理论是正确的。  相似文献   
50.
化学物质释放人工改变电离层   总被引:4,自引:4,他引:4  
考虑中性气体在电离层高度的扩散过程和相应的电离层离子化学过程,研究了利用主动化学物质释放来改变电离层的方法,理论计算了H2O和SF6两种气体释放后电离层随时间的响应过程,结果表明,在电离层高度上气体的扩散过程非常迅速,电离层F区的电子密度有很大程度的减少,而扩散慢且化学反应快的气体对电离层的影响更大,就更加有利于电离层洞的形成。  相似文献   
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