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据中国科学技术信息研究所出版的《1999年度中国科技论文统计与分析》一书公布,《推进技术》在1999年《EI》(美国工程索引)收录中国科技论文数较多的100种期刊中名列第六,以下为1999年《EI》收录论文数量排前20名的期刊。
1.清华大学学报;2.电子学报;3.光学学报;4.北京航空航天大学学报;5.软件学报;6.推进技术;7.International Conference on Signal;8.功能材料Processing Proceedings;9.西安交通大学学报;10.Transoctions of Nonferrous Metals Society of China(英文版);11.钢铁;12.Proceedings.of SPIE-The International Society for Optical Engineering;13.中国激光;14.半导体学报;15.光电子激光;16.强激光与粒子束;17.光学技术;18.核动力工程;19.自动化学报;20.化工学报。
(本刊通讯员) 相似文献
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2000年12月22日至24日,中国实验室国家认可委员会(简称CN ACL)对中国运载火箭技术研究院一○二所进行了现场评审,依据ISO/IEC Guide 25及相关文件,CN ACL对中国运载火箭技术研究院一○二所申报的长度、热学、力学、电学等四类共87大项校准检测项目给予了认可。同时,该所获得国际实验室、认可合作组织的其他35个国际实验室认可机构的认可,由该所出具的相应参数的校准证书和检测报告将得到27个国家和地区的承认。
缪寅宵报道 相似文献
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采用电化学辅助沉积方法对AZ31B镁合金进行硅烷化处理,借助于动电位极化曲线和电化学阻抗谱等电化学测试手段研究了γ-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH-570)添加量对膜层质量及耐蚀性能的影响,并比较了利用羟基磷灰石(HA)颗粒、铈盐离子(Ce3+)两种改性物质改良硅烷溶液后所制得膜层的质量及耐蚀性能.结果表明:AZ31B镁合金经电化学辅助沉积硅烷处理后,表面生成一层均匀而致密的硅烷透明膜层,有效地减缓了镁合金的腐蚀行为,促使其自腐蚀电流密度大大降低;在硅烷电化学辅助沉积处理过程中,KH-570存在最佳添加量,当其添加体积约为8 mL时所制备出的硅烷膜层质量最好、耐蚀性能最佳;通过改良硅烷溶液,电化学辅助沉积制备的硅烷膜层质量进一步提高,Ce3+改良效果更佳. 相似文献
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