空间站梦天实验舱构型与布局设计及验证

针对梦天实验舱支持货物自动进出舱和科学载荷试验的任务需求，以及大质量、大尺寸的构型特点，结合天宫空间站双自由度对日定向的整体构型要求，从总体构型和布局2个方面，梳理梦天实验舱的设计约束、设计理念和技术实现途径，介绍梦天实验舱的构型与布局设计状态。通过仿真分析、试验模拟、在轨飞行等验证手段，验证设计效果，分析、总结梦天实验舱总体构型及布局特点，可为同类航天器的总体设计提供借鉴作用。     

两种同类型胶片基础特性及检测应用比对

文摘针对如何在液体火箭发动机产品射线检测过程中,根据具体情况选择合适的射线胶片,达到既能保证射线检测图像质量又能提高检测效率减少检测成本的目的,本文通过对进口富士IX100型胶片和国产乐凯牌L7型胶片的特性和质量稳定性进行工艺对比试验。结果表明,L7型胶片本底灰雾度稍大于IX100型胶片,灵敏度逊于IX100型胶片,宽容度高于IX100型;但两者均属于GB/T19348.1—2003规定的T3范畴胶片,综合性能比较接近;L7型胶片适用于发动机上具有变截面的铝铸件、机加余量不大的钢铸件、钛铸件及大部分熔焊缝的射线检测。     

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗，而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点，从而成为目前研究的热点，但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真，证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进，主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中，源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀，使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短；而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层，使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET，器件的导通电阻低至18mΩ·cm2，击穿电压高达1053V。     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。