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81.
电火花加工小孔时,间隙流场中的电蚀产物和气泡如果不能及时排出,会严重影响加工效率和加工质量。通过对电火花间隙流场特性分析,建立三维圆柱组合体间隙流场几何模型,运用FLUENT软件中VOF、DPM模型和二次开发功能来实现电蚀产物和气泡在底面加工间隙内不断随机生成,建立电火花小孔加工间隙流场气–液–固三相流耦合仿真模型,并加入中空内冲液排屑方法,仿真分析了不同冲液速度和不同加工深度下电蚀产物和气泡在间隙流场中的分布情况。对电蚀产物颗粒分布进行统计,表明增大内冲液速度能够促进电蚀产物排出,减少底面和侧面间隙内气泡相的浓度。加工深度越小,底面间隙处向上的速度越大,电蚀产物和气泡越容易排出。 相似文献
82.
为提高Ka频段卫星通信的性能,采用信道编码技术提出了一种差分Turbo码正交频分复用(DT-OFDM)方案,给出了DT-OFDM系统模型的组成和差分软检测方法。仿真试验结果表明,不同子载波数的DT-OFDM误码率均低于传统的卷积编码正交频分复用(CC-OFDM)和网格编码正交频分复用(TCM-OFDM)。 相似文献
83.
轨道分子屏真空系统,是利用分子屏轨道飞行速度远大于轨道环境大气的平均热运动速度,使空间环境对分子屏产生理想的抽速,在尾部形成气体分子的稀化区,达到极高真空.对平板型轨道分子屏,现有的文献中,仅仅计算了沿对称轴线的压力分布,然而,由于实际的分子屏试验,试件是具有一定尺寸的三维物体。仅仅获得对称轴线上的真空信息是不够的,需要对偏离对称轴线的空间点,进行分析计算.文章针对具有吸附性的平板型轨道分子屏,对偏离对称轴线的压力分布计算,提出了一套计算方法,对500km 的轨道高度,计算结果表明:当考察点与分子屏表面的距离(=|Z0|)小于1.0m,偏离对称轴线的距离小于1.6m 时,真空度维持在优于10~(-10)Pa 的数量级。建议在这一尺度范围进行材料试验。 相似文献
84.
羌,是中国一个古老民族,是古代中国对中国西北部的甘、青地区众多土著民族,游牧部族的一个泛指,“羌”的称谓从汉代沿袭至今。现居阿坝州的羌族同胞有各自的称谓,如茂县的羌族自称“日麦”,理县的羌族自称“玛”。由于发音有所差异,羌族自称的“麦”,“玛”或“门”,类似于汉语言中“民”的意思。 相似文献
85.
86.
以经典的气体分子运动论计算了低轨道(300km)恒速飞行的5m直径平板型轨道分子屏所受的环境大气的撞击作用。大气分子和轨道分子屏的相互作用取完全弹性碰撞和完全非弹性碰撞这两种极端形式,由此可认为轨道分子屏所受的撞击作用就介于这两者之间。计算结果表明,六种主要的大气成分中,原子氧的撞击作用最大,约占总的撞击动量的80%,Ar的撞击作用最小,要比原子氧小4个数量级,作用于分子屏的总的作用力为0.041N~0.082N。这些数据将有助于更详尽的了解轨道分子屏在空间飞行时的行为。 相似文献
87.
现役装甲装备因采用传统的设计思想,维修性水平相当低下,开展现役装甲装备的维修性增长工作具有重要意义。本文给出了维修性增长的定义,分析了国内外装备维修性增长工作现状,提出了现役装甲装备进行维修性增长的途径和工作程序。 相似文献
88.
89.
PLM业务工作流与FIPER技术工作流的互补性在21世纪新经济潮流下,为了提升自主研发能力,加快研发速度,提高批生产能力,我国军工制造企业日益站在产品全生命周期管理(PLM)的高度,从产品研发协同的新视角,思考如何把产品价值、研发过程和信息内容有机融合,进而实现“系统整合、流程统一、参数优化、协同设计”的重大战略。产品研发需要大量与产品创新相关的信息技术作为支撑。20世纪90年代,C4P(CAD,CAPP,CAM,CAE,PDM)等技术已为企业e化带来显著贡献,近两年来,军工企业更亲历了以iSIGHT为代表的CAO(ComputerAidedOptimization,… 相似文献
90.
进气道总压畸变的测量与评定是进气道/发动机一体化的重要内容。大S弯进气道具备出色的隐身性能,但其出口流场非常复杂,传统总压测量方法造成的误差显著增大,进而引起总压畸变评估误差,阻碍进/发一体化设计。为了提高大S弯进气道的总压畸变测量与评估的准确性,本文提出了一套基于五孔探针的测量方法。分析测量结果表明:分区拟合方法更能适应大S弯进气道强旋流场的总压数据处理;随着马赫数从0.2增加到0.6,周向总压畸变指数从0.005左右递增到0.09左右,径向总压畸变指数最大不超过0.055,马赫数越大,总压畸变越剧烈,周向总压畸变占据主导;出口截面主要总压畸变区的总压恢复系数最低不到0.85;相比数值计算、总压耙测量,五孔探针测得结果更加全面、合理。 相似文献