安全性设计的反向需求分析以及关键指令、关键岗位的可靠性分析

产品的反向需求不完备是导致安全性设计漏洞的一个重要原因。本文以若干重大事故举例说明其危害的严重性。危险根据其可能导致的事故的严重性分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ级,当出现Ⅰ、Ⅱ级事故时,系统应按反向需求发出正确应对的关键指令,并由关键岗位执行,因此关键指令及关键岗位的反向需求极为重要,将直接决定危险的出现、消除或抑制。本文用大量实例说明对关键指令及关键岗位应采取冗余、防错等技术措施,并加强反向需求培训,关键岗位人员只有考核合格、熟练才能持证上岗,并且要采用双岗制等可靠性设计、管理措施。     

钛硅共晶合金中硅化物及其对显微硬度的影响

观察了钛硅共晶系合金的微观组织。综合分析了X射线能谱（X－EDS）、透射电子显微镜（TEM）以及X射线衍射（XRD）结果，确认了铸态组织中析出的硅化物本质，并测得该硅化物的显微维氏硬度。结果表明，钛硅共晶合金铸态组织由α-Ti和Ti5Si3两相组成。亚共晶钛硅合金中共晶区比枝晶区具有更高的显微硬度，而共晶和过共晶合金的共晶区显微硬度明显高于亚共晶合金。     

喷丸处理对IC6合金NiCoCrAlY涂层表面粗糙度的影响

研究喷丸处理对IC6合金NiCoCrAlY涂层表面粗糙度的影响.结果表明,在涂层真空扩散处理后进行喷丸处理,喷丸压力0.4MPa和时间4min可显著改善NiCoCrAlY涂层表面粗糙度,使Ra降至1.6μm以下,并可提高涂层致密度.涂层喷丸处理所引入的残余压应力没有引起基体IC6合金再结晶.因此采取喷丸处理改善IC6合金NiCoCrAlY涂层表面粗糙度是完全可行的.     

预混气爆震管中爆燃到爆震转捩距离的研究

为了获得预混气爆震管中爆燃到爆管转捩（DDT）距离的变化规律，进行了一系列的单循环爆震试验，其中预混气为按化学恰当比配制的乙炔与氧气以及稀释剂氮气，变化的试验参数包括：预混气初始压力（0．02Mpa-0.1Mpa)，稀释剂的浓度（0％－70％）及三种扰流片的形状，试验测得了不同工况下爆震管内火焰传播速度，并由此确定了DDT距离及其变化规律，试验结果表明，预混气初始压力下降或稀释剂浓度增加时，DDT距离增大，而安装扰流器后DDT距离明显缩短。     

定向凝固Ni3Al基合金IC6的工程化研究

本文介绍了定向凝固Ｎｉ３Ａｌ基合金ＩＣ６的性能特点及其在航空发动机涡轮导向叶片上的应用情况。三年的工程化试验和实际生产的结果表明，ＩＣ６合金已基本具备了工程化的条件，并拥有广阔的应用前景。     

美军隐身机群空袭新理念

美国空军2005年12月15日宣布,在经过长达25年的研发历程之后,F-22A"猛禽"战斗机已经具备初始作战能力.美空中作战司令部司令在新闻发布会上透露,首个装备F-22A的战斗机中队2006年很可能将被部署到亚太地区,其基地将是美军在太平洋的军事重镇--关岛.一旦"猛禽"进驻关岛,将大大增强美军在应对未来亚太地区冲突时的作战能力.     

三维Minkowski空间中的从切曲线

在三维Euc lid空间中,若曲线的位置向量总位于密切平面上,则曲线为平面曲线;若曲线的位置向量总位于法平面上,则曲线为球面曲线。本文给出了三维M inkowsk i空间中一种新类型的曲线———从切曲线,它的位置向量总是位于它的从切平面上。在详细研究从切曲线性质的基础上给出了它的分类。     

风挡防（除）雾表面瞬态热特性计算

风挡表面瞬态热特性计算是热空气射流防（除）雾系统设计的重要内容。在分析风挡防（除）雾换热机理的基础上，建立了风挡表面瞬态热特性的计算模型，用差分法对其求解。通过计算机模拟，得出计算结果，与试验结果比较，计算误差小于５％，研究的内容，具有工程实用价值。     

令莫斯科担忧的俄罗斯间谍卫星

昔日的军事和卫星大国俄罗斯目前在太空中竟然只剩下一颗间谍卫星。俄罗斯《生意人报》和《莫斯科新闻报》等媒体先后报道称，俄罗斯航天兵今后半年中将进入高度戒备状态。这并非是接到敌人可能入侵的情报，而是由于在4月29日，俄罗斯仅存的一颗侦察卫星突然从轨道上脱落焚毁，致使俄罗斯足足5天时间在太空中没有一颗专门的间谍卫星，俄军各部门一时间惊慌不已。虽然俄军方后来紧急发射了一颗替代的卫星．但俄只剩一颗间谍卫星的状况震惊了普京政府。6月2日，俄联邦政府军事工业委员会第一副主席普季林上将宣布，在俄政府未来约5万亿卢布的国家武器发展计划中，各种新型侦察卫星将是采购重点。[编者按]     

高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用

在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调。论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验。