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71.
胡忠武%李中奎%张清%殷涛%张廷杰 《宇航材料工艺》2006,36(4):46-49,57
主要讨论了钼-铌合金原料品质,包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响。结果表明:高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,在20 kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶,但其经过两次电子束熔炼获得的Ф(12~17)mm原料棒C元素质量分数降为6.3×10-3%、O元素质量分数降低了近2个数量级,仅为1.4×10-3%,能稳定地生长制备出Ф31 mm×735 mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18 mm或小于Ф11 mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶。 相似文献
72.
李鹏%程惠尔%秦文波 《宇航材料工艺》2006,36(Z1):18-22
在分析了空间多层打孔隔热材料中导热和辐射的复合传热问题的基础上,提出了空间多层打孔隔热材料反射屏温度计算的模型以及内部辐射数值分析模型.利用该模型对不同几何、物理参数下的对象进行模拟计算,通过对计算结果的分析,明确作为几何参数的层密度和层数以及作为表面特性参数的黑度和打孔率对材料热性能的影响.该热性能的研究对提高空间多层打孔隔热材料的隔热效果,实现材料的优化设计具有积极的指导意义. 相似文献
73.
王浩%李效东%彭平%冯春祥%王应德 《宇航材料工艺》2001,31(3):4-9,14
在SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中,影响因素繁多而且交叉作用,每个因素的变化都对SiC纤维的力学性能产生很大影响。本文以先驱体转化法为例,针对SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中的四个阶段,综述了各个因素对SiC陶瓷纤维最终力学性能的影响。 相似文献
74.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献
75.
张爱波%黄英%林起浪 《宇航材料工艺》2002,32(3):36-39
主要讨论增韧材料对PPS性能的影响和各种填料用量对PPS复合涂层的附着力、抗冲击强度等性能的影响以及PPS复合涂层的耐高温性能。结果表明:增韧树脂PEK-C的加入可提高PPS共混树脂的力学性能;共混树脂中加入5%的石墨、10%TiO2时,可获得综合性能良好的复合涂层。 相似文献
76.
李家俊%郭伟凯%赵乃勤%王新南 《宇航材料工艺》2004,34(5):31-34
研究微量碳化硅纤维/环氧树脂复合吸波材料不同排布的吸波性能。结果表明:碳化硅纤维吸波性能与纤维的排布间距和纤维含量密切相关;正交排布试样的吸波效果总体上优于平行排布试样;间距为4mm、纤维含量为1600根/束时的正交排布方式获得大于8GHz、-10dB以下的反射衰减。 相似文献
77.
钟发春%傅依备%赵小东%张占文%李波 《宇航材料工艺》2003,33(1):29-32
运用TGA-IR研究了交联聚二甲基硅氧烷以及含10%、16%苯基硅氧烷链段的聚二甲基硅氧烷的热降解行为,并用FTIR分析了聚硅氧烷的热分解产物。结果表明,在300℃以上,交联聚硅氧烷热降解的主要产物为环三硅氧烷和环四硅氧烷,裂解反应既在分子链内发生也在分子链间发生。在惰性气氛下,苯基硅氧链段的引入未能提高聚二甲基硅氧烷的热稳定性。 相似文献
78.
吴军%张立武%王常建 《宇航材料工艺》2003,33(4):57-61
采用金相显微镜、透射电镜观察了焊后不同时效状态下T— 2 5 0马氏体时效钢电子束焊缝的微观组织 ,测试了不同时效状态下焊接接头的室温强度、夏比缺口冲击韧性、显微硬度 ,并用扫描电镜分析了拉伸断口形貌。结果表明 :随时效温度的升高 ,焊缝区枝晶间逆转奥氏体析出量增加 ,焊缝缺口冲击韧性增大 ,断口韧窝增大 ;但由于 5 0 0℃× 4h时效处理后焊缝马氏体孪晶较多而使其拉伸强度和缺口冲击韧性降低。经 4 80℃× 4h时效处理后 ,焊接接头强度具有最佳强韧性配合 相似文献
79.
张中伟%王俊山%许正辉%李承新 《宇航材料工艺》2005,35(2):42-46
提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力. 相似文献
80.
陈曼华%陈朝辉%肖安 《宇航材料工艺》2005,35(3):28-30
以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃/min、氮气流量为80mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值。 相似文献