CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。     

含多处损伤搭接结构应力强度因子有限元分析

 采用铆钉的两种表现形式（详细杆元和简化的弹簧元）的组合方式建立了含多处损伤(MSD)多铆钉搭接结构的有限元模型，通过分析得到了不同损伤模式下的应力强度因子(SIF)随裂纹扩展历程变化规律的曲线。结果表明，相对于单裂纹和无腐蚀情况，MSD和腐蚀损伤都会增加SIF值，当裂纹间距大于孔间距一半时，可不考虑裂纹间干涉效应；在给定的循环应力幅下，应力强度因子幅随干涉量的增加而降低，但干涉量大到一定值时，SIF对其不再敏感；铆钉材料对SIF的影响很小，而铆钉直径增大20%，SIF约增加6%。反平面翘曲对SIF有很大的影响，相对于无反平面翘曲，SIF下降一个数量级。     

耐高温聚苯硫醚复合涂层性能的研究

主要讨论增韧材料对PPS性能的影响和各种填料用量对PPS复合涂层的附着力、抗冲击强度等性能的影响以及PPS复合涂层的耐高温性能。结果表明：增韧树脂PEK－C的加入可提高PPS共混树脂的力学性能；共混树脂中加入5％的石墨、10％TiO2时，可获得综合性能良好的复合涂层。     

微量碳化硅纤维/环氧树脂复合吸波材料研究

研究微量碳化硅纤维／环氧树脂复合吸波材料不同排布的吸波性能。结果表明：碳化硅纤维吸波性能与纤维的排布间距和纤维含量密切相关；正交排布试样的吸波效果总体上优于平行排布试样；间距为4mm、纤维含量为1600根／束时的正交排布方式获得大于8GHz、-10dB以下的反射衰减。     

交联聚硅氧烷的热降解行为

运用TGA-IR研究了交联聚二甲基硅氧烷以及含10%、16%苯基硅氧烷链段的聚二甲基硅氧烷的热降解行为，并用FTIR分析了聚硅氧烷的热分解产物。结果表明，在300℃以上，交联聚硅氧烷热降解的主要产物为环三硅氧烷和环四硅氧烷，裂解反应既在分子链内发生也在分子链间发生。在惰性气氛下，苯基硅氧链段的引入未能提高聚二甲基硅氧烷的热稳定性。     

时效处理对T-250钢电子束焊接接头组织及性能的影响

采用金相显微镜、透射电镜观察了焊后不同时效状态下T— 2 5 0马氏体时效钢电子束焊缝的微观组织 ,测试了不同时效状态下焊接接头的室温强度、夏比缺口冲击韧性、显微硬度 ,并用扫描电镜分析了拉伸断口形貌。结果表明 :随时效温度的升高 ,焊缝区枝晶间逆转奥氏体析出量增加 ,焊缝缺口冲击韧性增大 ,断口韧窝增大 ;但由于 5 0 0℃× 4h时效处理后焊缝马氏体孪晶较多而使其拉伸强度和缺口冲击韧性降低。经 4 80℃× 4h时效处理后 ,焊接接头强度具有最佳强韧性配合     

考虑飞行强度影响的飞机使用寿命综合评定方法

介绍了针对军用飞机普遍存在的使用寿命指标(飞行小时数、日历寿命)严重不匹配的问题,在现有技术和理论基础上利用腐蚀影响系数m(t),引入飞行强度参量SUS建立了军用飞机使用寿命综合评定方法。算例分析表明,随着飞行强度的提高,腐蚀疲劳寿命NC成线性增加,并得到了协调飞机使用寿命指标的最佳飞行强度SUSbest,为合理制定飞行计划,充分发挥军用飞机的使用功效提供了理论基础。     

C/C复合材料1 800℃抗氧化涂层探索研究

提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力.     

聚碳硅烷裂解中的氧影响分析

以不同纯度的氮气为保护性气氛，采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响，并讨论了在有微量氧的气氛下，不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明，氧可以与聚碳硅烷起氧化反应，形成含氧基团，使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件，可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃／min、氮气流量为80mL／min时，气氛中微量氧的氧化程度降至最低，试样的陶瓷产率接近于实际值。     

航天领域微纳米技术发展前景

介绍了微纳米技术的基本含义和国内外主要进展，讨论了该技术在航天技术领域的应用情况和发展趋势，提出了我国发展该项技术重视的主要问题。