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1.
综述了国外C/SiC陶瓷基复合材料在火箭发动机喷管上的应用现状,重点介绍了法国SEP生产C/SiC复合材料喷管扩张段的成型技术以及连接与机加、材料性能等。最后对C/SiC复合材料在固体火箭发动机上的应用前景进行了展望。 相似文献
2.
本文研究了一种制备三维C/SiC/Al混杂基体复合材料的工艺方法,这种复合材料是在三维编织和四向机织的碳纤维预成件中采用有机聚合和物先驱体浸渍/裂解法制备三维C/SiC多孔基体复合材料,然后采用挤压铸造法与铝合金复合得到。对三维C/SiC陶瓷基复合材料的致密化过程进行了表征并观察了最终得到三维C/SiC/Al金属-陶瓷混杂基体复合材料的显微结构,结果表明,混杂基体在纤维编织体中分布较均匀,说明这种 相似文献
3.
C/C复合材料防氧化复合涂层的制备及其性能 总被引:13,自引:1,他引:12
提出并制备一种C/C复合材料防氧化复合涂层,其基本结构为TiC粘结层/SiC氧阻挡层/ZrO2-MoSi2外涂层,研究了其制备工艺、组织结构、对各单一涂层的防氧化作用及效果进行了分析,并对其抗氧化性能进行了测试。通过比较四种成分组成的抗氧化陶瓷外层的抗氧化性能,结果表明:随着外涂层中MoSi2含量的增多,复合涂层的抗氧化性能增强,其中带有TiC/SiC/MoSi2涂层的C/C复合材料试样在1300 相似文献
4.
热压烧结法制备Cf/SiC陶瓷基复合材料研究 总被引:3,自引:1,他引:2
以有机硅先驱体聚碳硅烷为粘结剂,采用热压烧结工艺,制得了Cf/SiC陶瓷基复合材料,并对其三点弯曲强度进行了测试和分析,结果表明:该工艺方法可方便的制得强度较高的陶瓷基复合材料单向板;其三点弯曲强度与试样的高跨比有很大关系,高跨比越大,弯曲强度越小;当高跨比为0.073时,材料弯曲强度为475.1MPa,断裂功为4.47kJ/m^2;材料的应力-应变曲线与普通陶瓷不同,表现塑性变形的非线性弹性特征 相似文献
5.
先驱体转化—热压烧结碳纤维增韧碳化硅复合材料的显微结构 总被引:2,自引:0,他引:2
采用XRD,HRTEM 和SEM 等分析测试手段,研究了以聚碳硅烷(PCS)为先驱体和粘结剂,Y2O3 和AlN 为烧结助剂,采用先驱体转化-热压烧结法制备的Cf/SiC复合材料的显微结构。结果表明,Y2O3 主要与PCS的裂解产物以及AlN 和SiC表面的氧化物发生反应,形成有助于复合材料致密化的液相,而AlN 则与烧结液相和PCS之间通过反应- 溶解- 沉积过程,形成主要分布于界面相中的微小SiC-AlN 固溶体。正是由于含有一定量SiC-AlN 固溶体的富碳界面相使纤维与基体之间的结合适中,纤维易发挥脱粘和拔出作用,复合材料具有很好的力学性能 相似文献
6.
高文%冯志海%黎义%姚承照 《宇航材料工艺》2000,30(5):53-57
通过对采用化学气相沉积(CVD)法在碳纤维表面制备SiC涂层、SiC-C共沉积涂层的工艺方法、结构、复合材料电磁参数、复合材料的吸波性能等内容的研究,分析了这两种涂层对碳纤维复合材料微波性能的影响,探讨其涂层改性在防热、隐身双功能复合材料应用中的可能性。 相似文献
7.
研究了挤压铸造法制备的SiC_w/Al-Cu-Mg-Zr复合材料微观组织和性能。结果表明,SiC晶粒均匀分布于基体中,复合材料中主要沉淀强化相为δ'相、S'相和δ'相,SiC_w与基体铝之间无明显的界面反应,界面附近存在δ'相的无沉淀析出带(PFZ)。复合材料具有较高的室温强度和弹性模量,且密度低,热膨胀系数小。 相似文献
8.
以含硅芳炔树脂为先驱体ꎬ采用先驱体浸渍法(PIP) 制备了C/ C-SiC 复合材料ꎮ 首先通过炭化
T300/ 含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/ C-SiC 预制体ꎬ并探究了炭化工艺对所得多孔C/ C-SiC 预制体性能
的影响ꎬ制得的多孔C/ C-SiC 预制体弯曲强度为98 MPaꎻ然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂ꎬ浸渍多孔C/ CSiC
预制体ꎬ经过4 次浸渍、固化、炭化后ꎬ得到致密的C/ C-SiC 复合材料ꎬ其弯曲强度提升到203 MPaꎬ同时用
XRD、SEM、TEM 等手段表征了复合材料的微观结构ꎬ所得C/ C-SiC 复合材料主要成分为β-SiC 及无定型碳ꎮ
相似文献
9.
研究了以陶瓷先驱体为粘合剂成型并转化制备致密SiC/Si3N4复相陶瓷异形件的烧结工艺及其对烧结体的结构和性能的影响。 相似文献
10.
微量液相与铝基复合材料的高应变速率超塑性 总被引:4,自引:0,他引:4
对展现高应变速率超塑性变形行为的β-SiC晶须增强LY12铝基复合材料、β-SiC晶须增强L4纯铝基复合材料进行了差示扫描量热(DSC)分析,探讨微量液相在铝基复合材料高应变速率超塑性变形过程中的作用。研究表明:适当的微量液相是铝基复合材料获得好的高应变速率超塑性的必要条件。 相似文献
11.
Cf/SiC CMCs,
the major candidate materials used for high temperature structure parts, have the
potential applications in aircraft propulsion parts. In this paper, the research and
development state of Cf/SiC CMCs is presented on carbon fibers development,
fabricating method , mechanical and interface properties, oxidation behaviors , and
applications of the materials, etc.Problems for further research efforts are also briefly
discussed. 相似文献
12.
论述了Cf/SiC常用的制备工艺和钽、铌及其合金在SiC陶瓷、Cf/SiC连接方面的应用,铱在C/C、石墨抗氧化方面的应用。指出了难熔金属在陶瓷基复合材料上应用存在的问题,提出了解决的方法,展望了难熔金属在陶瓷基复合材料上应用的发展方向。 相似文献
13.
针对多层界面相陶瓷基复合材料(CMCs)裂纹偏转机制进行了有限元模拟。在圆柱单胞模型中,按照界面相各亚层的实际厚度建立多层界面相几何模型,然后赋予各亚层对应的组分材料参数,获取轴对称有限元模型。在此基础上,采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分别计算基体裂纹在界面相处偏转与穿透两种情形的能量释放率Gd和Gp,根据断裂力学准则实现对裂纹在多层界面相内部偏转机制的分析。可以看出:各向异性界面相比各向同性界面相内部的Gd/Gp比值更大,更利于裂纹偏转的发生;总厚度相同的多层界面相与单层界面相相比,其内部的Gd/Gp比值更高,裂纹在其内部发生偏转的机会更多,且五层界面相(PyC/SiC/PyC/SiC/PyC)比三层界面相(PyC/SiC/PyC)更利于裂纹发生偏转。 相似文献
14.
王建方%陈朝辉%刘希丛%肖加余%郑文伟 《宇航材料工艺》2001,31(4):40-43
应用物理学的逾渗理论对PIP法制备Cf/SiC复合材料浸渍和裂解过程进行了模拟解释和分析,并在此基础上对工艺进行了优化,使Cf/SiC复合材料的密度由原来的1.75g/cm^3提高到2.03g/cm^3,强度由原来的300MPa提高到500MPa。 相似文献
15.
16.
碳纤维增强碳化硅陶瓷基(C/SiC)复合材料由于其强度高、硬度大、耐磨损,被广泛应用于工业、航空航天等领域,然而C/SiC复合材料难以被稳定地去除加工。本文综述C/SiC复合材料的常见制备方式及其材料的性能特点。概述C/SiC复合材料的传统机械加工、超声辅助加工、激光加工等加工方法,分析了各种加工方法的材料去除机理、加工精度、常见缺陷及加工过程中存在的问题。传统的机械加工需进一步优选切削刀具材料;超声辅助加工需探究超声振动的刀具与材料之间的耦合作用机制、振动作用下的材料去除机理;激光加工要进一步研究2.5维及3维C/SiC复合材料的激光加工去除机理。在这些研究的基础上进一步采用复合加工的方法,探寻C/SiC复合材料高效、精密、稳定和无损加工的可能性。 相似文献
17.
连续纤维增韧陶瓷基复合材料制备过程中因纤维与基体线胀系数失配会产生热残余应力,从而导致纤维脱粘、基体开裂等现象,严重影响复合材料力学性能。本文针对CVI工艺制备的单向C/SiC复合材料,建立"纤维-界面-基体"单胞物理模型,基于细观力学分析方法对热残余应力分布规律进行预测,采用ABAQUS对材料制备过程进行数值模拟,揭示了界面厚度、纤维体积分数、制备温度等参数对纤维、基体热残余应力分布的影响规律,分析了热残余应力对复合材料力学性能的影响。研究结果能够为C/SiC复合材料的设计、分析及微纳力学性能试验提供理论支持。 相似文献
18.
Shenai K. Neudeck P.G. Schwarze G. 《Aerospace and Electronic Systems Magazine, IEEE》2001,16(3):27-31
New material technologies such as Silicon Carbide (SiC) are promising in the development of compact high-power converters for next-generation power electronics applications. This paper presents an optimized converter design approach that takes into consideration non-linear interactions among various converter components, source and load. It is shown that with the development of high-temperature, high-power SiC power module technology, magnetic components and capacitors become important technology challenges, and cannot be ignored. A 50% improvement in power density is calculated for a 100 V-2 kV, 7 kW SiC DC-DC power converter operating at 150°C compared to a silicon power converter. The SiC power converter can be operated at junction temperatures in excess of 300°C (as compared to 150°C for a silicon power converter) with reasonable efficiency that potentially leads to a significant reduction in thermal management 相似文献