应用应变测试的航电产品组装工艺优化研究

新一代航电产品的印制板组件互连密度高,微小封装片式器件及高密度细间距芯片大量应用,在产 品组装过程中印制板受到机械应力翘曲而引起器件焊点失效成为痛点问题。本文提出应用应变测试识别组装工 艺风险点,针对性采取工艺优化措施,并采用应变测试量化验证优化效果。试验结果表明,提出的方法能够有 效量化工艺风险,并将组装过程中的产品应变数值降为原来的三分之一,满足了IPC 9704A 标准的要求。     

陶瓷柱栅阵列封装芯片落焊控温工艺研究

宇航型号单机生产过程中,部分陶瓷柱栅阵列(CCGA)芯片因软件固化、调试等原因需使用返修台进行落焊,落焊温度曲线直接影响CCGA器件及周围器件的装配可靠性。本文使用红外热风混合型返修台对CCGA器件落焊控温工艺进行研究。研究发现,返修台控温点距离器件边缘1～2 mm时温度反馈控制效果最佳;本文提出了增加导热挡板控制高温区范围(183℃)的新方案,可将本文使用的印制板高温区控制在落焊位置周围8 mm范围内;CCGA焊接样件分析显示焊锡柱侧微观组织呈块状,金属间化合物(IMC)层组织均匀,未出现Cu3Sn脆化物,可靠性试验后染色浸润测试发现焊点完好,未出现裂纹。结果证明本文提出的温度控制工艺合理有效,可应用于宇航产品落焊过程。     

短引脚PGA选择性波峰焊工艺技术

文摘针对装联过程中,PGA封装器件引脚过短的问题,分析了三种主要焊接工艺方法,采用选择性波峰焊接对短引脚PGA进行焊接试验,进而优化焊接工艺参数,并通过外观、X射线、金相剖切对焊接质量进行分析。结果表明:经过目视和X射线检测,选择性波峰焊接的短引脚PGA焊点无明显缺陷,金相图中焊锡与器件引脚、焊盘孔壁结合处良好,符合合格焊点要求。选择性波峰焊工艺方法具备焊接短引脚PGA的能力,有一定的应用价值。     

无铅BGA 焊接工艺方法研究

以焊接无铅BGA器件为目的,在三种主要焊接工艺方法中选择有铅焊料焊无铅BGA的工艺方法.通过调整回流焊炉各温区参数,得到适用于这种工艺方法的温度曲线,并通过外观、X射线、染色与渗透、剪切力、金相剖切对焊接质量进行分析.分析结果表明:该工艺方法焊接的无铅BGA焊点外观符合目检要求;X射线下没有发现焊点的明显缺陷;环境试验后,焊点的剪切力符合标准要求;染色试验未发现被染色的焊球;焊点的金相图显示结合处焊接良好,且满足合格焊点的金属间化合物厚度要求(0.5～50 μm),这种工艺方法能够较好的完成无铅BGA器件的焊接,有一定的应用价值.     

多芯片组件（MCM）用金锡焊带材料电阻率及热导率温度特性研究

对牌号为Au₈₀Sn₂₀的金锡焊带材料在208~423 K的电阻率及热导率与温度的函数关系进行了研究，并对其在多芯片组件（MCM）中的传热效果进行了评估。分别对材料在208~423 K中5个温度点的电阻率及4个温度点的热导率进行了测试，基于理论模型建立电阻率/热导率随温度变化的函数关系，最终采用模拟热扩散数值方法评估材料在高温下的传热能力。结果表明，采用修正函数模型后，金锡焊带材料在208~423 K下热导率与电阻率的关系符合测试结果，随芯片表面温度的边界条件从208 K升高至423 K，采用变温热导率模型得到的热流密度模拟计算结果相比理想化恒定热导率模型的差异性逐渐升高至5.5%。综上，金锡焊带材料热导率与电阻率的关系符合Wiedemann-Franz法则修正后的Smith-Palmer方程，在该材料传热设计时应考虑其热导率温度效应。     

聚苯胺中空微球的改性与电磁特性

 用分散聚合法制备单分散的聚苯乙烯（PS）微球，并用浓硫酸对PS微球进行表面改性。将改性后的PS微球作为制备聚苯胺（PANI）中空微球的模板，在一定浓度HCl掺杂条件下，苯胺单体在PS模板表面聚合，然后将PS模板通过N，N 二甲基甲酰胺(DMF)溶解，得到了粒径在0.8~1.2 μm的PANI中空微球。若在PANI聚合过程中加入适量的Fe₃O₄,可获得由Fe₃O₄与PANI构成的复合中空微球。2~18 GHz的波导法测试结果表明，经HCl和Fe₃O₄掺杂后的复合中空微球与本征态PANI中空微球的电磁参数存在很大变化；吸波性能研究表明，8~12 GHz范围内，PANI中空微球的吸波效果要好于其实心微球的吸波效果。     

2195铝锂合金氩弧焊接头组织分析及力学性能研究

针对T8态2195铝锂合金在氩弧焊焊时接头裂纹敏感性高、接头力学性能差等问题,开展2195铝锂合金焊丝研制工作,对接头的显微组织、抗裂性能及综合力学性能进行了研究。结果表明,2195铝锂合金熔焊接头主要由α-Al、Al₂Cu、Al₃（Ti,Zr）相组成,具备优异的抗裂性及力学性能,其裂纹敏感性K₁＜1%,K₂=0%,接头常温抗拉强度约为390 MPa,延伸率为6.3%。BJ-4505焊丝的研制为2195铝锂合金工程应用提供技术支撑。     

CCGA封装芯片落焊控温工艺研究

部分宇航型号单机生产过程中,CCGA芯片因软件固化、调试等原因需使用返修台进行落焊,落焊温度曲线直接影响CCGA器件及周围器件的装配可靠性。本文使用红外热风混合型返修台进行CCGA落焊控温工艺研究,并进行焊接及可靠性试验验证。研究发现,返修台控温点距离器件边缘1-2mm时温度反馈控制效果最佳;本文提出了增加导热挡板控制高温区范围（＞183 ℃）的新方案,可将高温区控制在落焊位置周围8mm范围内;CCGA焊接样件分析显示焊锡柱侧微观组织呈块状,IMC层组织均匀,未出现Cu3Sn脆化物,可靠性试验后染色浸润测试发现焊点完好,未出现裂纹。结果证明所本文提出的温度控制工艺合理有效,可应用于宇航产品落焊过程。     

进给速度对MI工艺制备SiCf/SiC复合材料加工损伤的影响

采用超声辅助磨削对MI工艺制备的SiC_f/SiC复合材料表面进行磨削加工，研究了进给速度对复合材料性能的影响。结果表明：采用超声辅助磨削加工SiC_f/SiC复合材料表面时，加工区域出现纤维脱粘、断裂、破碎及基体裂纹和脱落现象，且纤维与基体界面会有裂纹产生。当进给速度提高时，复合材料表面损伤加重，导致其比例极限强度和最大载荷降低。进给速度由400 mm/min提高至1 000 mm/min时，SiC_f/SiC复合材料的拉伸强度和弯曲强度分别降低4.7%和20.6%。     

不同钝化工艺SiO2薄膜的辐射缺陷

为研究不同钝化工艺栅介质用SiO₂薄膜的高能电子辐射缺陷特征，采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×10¹⁵ e/cm²、5×10¹⁵ e/cm²和1×10¹⁶e/cm²下对三种不同钝化工艺（I，700 nm SiN + 500 nm PSG;II，1.2 μm SiN;III，700 nm PSG + 500 nm SiN）的SiO₂薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明I和III钝化工艺SiO₂薄膜形成了非晶硅及双氧根离子，傅立叶红外光谱结果表明I钝化工艺SiO₂薄膜形成缺陷结构未知的A₁、A₂、B₁及B₂缺陷；II钝化工艺SiO₂薄膜形成A₁、B₁、及 缺陷；III钝化工艺SiO₂薄膜形成A₁、及B₂缺陷。