水溶性CdTe量子点制备及光谱性能

采用N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)为修饰剂,制备了水溶性的Cd Te量子点。实验探讨了酸度、Cd与NAC摩尔比、Cd与Te摩尔比,以及反应时间对Cd Te量子点荧光性能的影响。结果表明:当mol(Cd)∶mol(Te)∶mol(NAC)为1∶0.3∶1时,Cd Te量子点荧光性能最好。通过测定量子点的紫外吸收光谱得出,随反应时间延长量子点的粒径从2.00 nm增加到3.69 nm。实验还通过红外光谱(IR)和X射线粉末衍射(XRD)对Cd Te量子点进行表征,结果表明在Cd Te量子点表面成功修饰了NAC。     

正激波后OH A~2∑~+──X~2∏瞬态光谱的测量

用光学多道分析仪（OMA光学系统）测量了氢氧燃烧驱动激波管中典型状态下正激波后高温空气不同时刻的瞬态光谱。光谱结果显示高温空气的光谱中有很强的OHA2∑＋─X2∏光谱。通过采用线线合成光谱的方法得到激波后不同时刻高温空气中OH分子的转动温度。     

有机废水对光催化还原Cr(VI)的影响

采用溶胶-凝胶法制备TiO2光催化剂,在紫外灯照射下研究不同类型的有机废水对Cr(VI)的光催化还原影响。结果表明:延长反应时间并不能大幅度提高Cr(VI)的还原率;当pH=2.7时,Cr(VI)的还原率最好;苯酚添加量控制在反应液体积5%以下为宜;添加三种有机废水的反应结束后,放置于自然状态下,均表现出对Cr(VI)后续的还原能力,在三种有机废水中,最适宜的Cr(VI)空穴捕获剂是垃圾渗滤液。     

β-氢氧化镍结构及其复合电极电催化性能研究

采用沉淀转化法制备纳米结构β-氢氧化镍,用X射线衍射(XRD)、比表面仪(BET)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)等进行结构和形貌表征。结果显示,所得β-氢氧化镍呈片状和棒状的混合纳米结构,片层厚度约为35 nm,棒长为50~80 nm,且比表面积约为68 m2/g。用线性电位扫描对β-氢氧化镍与二氧化锰复合电极的电催化性能进行研究,发现含有10%M nO2/10%N i(OH)2的催化材料,在-0.7 V(vs.SCE)的极化电位下可获得约87 mA/cm2的电流密度,与单一的M nO2催化材料(约68 mA/cm2)相比有更佳的催化活性。     

电弧加热射流O2激光诱导荧光技术温度测量

采用ArF准分子激光器作为激发光源来激励O2-Schumann-Runge带系(B3Σ-u←X3Σ-g)193.3nm附近的转动吸收谱线,用紫外光电倍增管探测该带系256nm附近的荧光信号,建立了ArF准分子激光器O2激光诱导荧光流场测试系统.在建立O2单带测温模型和软件的基础上,利用Schumann-Runge带系(10,2)带的荧光信号、测量了氧氩混合电弧加热射流的径向温度分布.结果表明我们建立的ArF准分子激光器O2-LIF测试系统是成功的.     

非水体系合成多种形貌氮化硅基纳米孔材料

分别以乙腈、氯仿和甲酰胺为溶剂,十八胺为模板剂,通过非氧化物溶胶-凝胶过程合成了多种形貌的氮化硅基纳米孔材料。利用X射线衍射(X-ray d iffraction,XRD)、透射电子显微镜(T ransm iss ion e lectronm icroscope,TEM)、N2吸附-脱附和电子能谱(Energy d ispers ive spectroscope,EDS)对样品进行了表征。XRD结果显示产物是层间距为4.7 nm和3.6 nm的层状相材料。TEM照片表明,在乙腈、氯仿和甲酰胺溶剂中分别得到花状、片状和核-环状形貌的氮化硅基材料。N2吸附-脱附分析表明,产物具有较高的比表面积和窄的孔径分布。EDS分析证明,产物含有S i,N,C,C l元素而不含有O元素。非水体系中表面活性剂自组装形成的介观相可以作为模板来指导具有特殊介观结构和形貌的纳米材料的合成。     

Dy~(3+),Eu~(3+)共激活单基质Ba_3La(PO_4)_3白光荧光粉的制备与发光性能研究

采用高温固相法(SSR)合成Dy~(3+)、Eu~(3+)单激活和共激活单基质Ba_3La(PO_4)_3白光荧光粉。所制备的荧光粉通过X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FE-SEM)和光致发光(PL)进行表征。XRD测试结果表明:样品的成相温度为1 500℃,当原料中加入少量硼酸做助溶剂时1 400℃可得到纯相。少量掺杂Dy~(3+)和Eu~(3+)离子不影响基质材料Ba_3La(PO_4)_3的晶体结构和相纯度。在近紫外光激发下,荧光粉Ba_3La(PO_4)_3∶Dy~(3+)呈冷白光发射,这是由于Dy~(3+)的4F9/2→6H15/2(蓝光,487 nm)跃迁发光和4F9/2→6H13/2(黄光,578 nm)跃迁发光综合所致。在近紫外光激发下,Ba_3La(PO_4)_3∶Eu~(3+)荧光粉呈橙红光发射,对于与Eu~(3+)的5D0→7F1(596 nm)和5D0→7F2(616 nm)特征跃迁。在近紫外光激发下Dy~(3+),Eu~(3+)共激活单基质Ba_3La(PO_4)_3白光荧光粉呈现Dy~(3+)和Eu~(3+)的特征发射,其发光颜色可以通过调整Dy~(3+)和Eu~(3+)掺杂浓度和比例实现期初的冷白光到暖白光再到橙红光的发光颜色变化。通过精确调整Dy~(3+)和Eu~(3+)掺杂浓度和相对比例,在荧光粉Ba_3La(PO_4)_3∶Dy~(3+),Eu~(3+)中可实现近紫外激发单基质高品质白光发射。由于Ba_3La(PO_4)_3∶Dy~(3+),Eu~(3+)优越的发光性能,其白光NUV-LED领域具有潜在的应用价值。     

纳米硫化物半导体颜料的制备及其红外发射率研究

为了制备出在8～14μm红外波段具有较低红外发射率的颜料粉体，本文以醋酸镉Cd(AC)2．2H2O，醋酸锌Zn(AC)2．2H2O，硫化钠Na2S．2H2O为原料，采用化学均匀沉淀法在水浴中制备了平均粒径40nm左右的CdZnS固溶体纳米粒子。分析了实验反应过程中反应时间、反应温度和搅拌速度对CdZnS纳米粒子半径尺寸的影响。通过XRD，BET(ASAT2010)比表面仪和TEM表征，研究了粉体的粒度、结构和表面形貌等特征；通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8～14μm波段的红外发射率。作者着重讨论了粉体粒径和8～14μm波段红外发射率之间的关系。并对此给出了一定的解释。     

基于倒金字塔减反射结构的多晶黑硅及其高效太阳电池

采用酸体系的纳米重构(Nano structure rebuilding,NSR)溶液对黑硅纳米结构进行重构,得到不同尺寸的倒金字塔减反射微结构,实现了低成本纳米减反射微结构多晶黑硅(Multicrystalline-black silicon,mc-bSi)太阳电池的量产。先用Ag金属催化腐蚀(Metal assisted chemical etching,MACE)对砂浆切割(Multi wire slurry sawn,MWSS)多晶硅片(Multicrystalline silicon,mc-Si)进行了研究,发现倒金字塔结构的面夹角均为54.7°,且500nm尺寸大小的倒金字塔结构黑硅太阳电池的转换效率达到了18.62%,电池的表面反射率降低至3.29%。研究了Ag/Cu双原子催化腐蚀法对金刚线切割(Diamond wire sawn,DWS)多晶硅片的制绒效果,发现多晶硅片表面金刚线切割痕几乎消失不见,采用倒金字塔尺寸为600nm的DWS片样品制备出了性能最佳的太阳电池,其开路电压Voc为640mV,短路电流密度Jsc为37.35A/cm2,填充因子FF为79.91%,最高效率为19.10%,高于同结构的MWSS多晶黑硅太阳电池。     

侧链含苯并菲液晶基元的新型共轭聚合物合成与表征

本文通过分子设计,合成了一种侧链含苯并菲盘状液晶基元的侧链型共轭聚合物PBTTPHT-C8。在无水三氯化铁的催化作用下,1,2-苯二辛醚和2-溴苯辛醚发生分子间成环反应,首先合成了侧链苯并菲盘状液晶基元;然后在无水无氧和氩气保护的条件下,将2,5-二溴-3-苯并菲噻吩和4,7-二(三甲基锡)-2,1,3-苯并噻二唑发生Stille交叉偶联反应,合成目标聚合物。用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、核磁共振仪(1H NMR),分别对合成过程的一系列中间体和目标聚合物,进行了分析和表征。凝胶渗透色谱仪(GPC)表征了聚合物的分子量和分散系数,紫外-可见分光光度计(UV-vis)测试表明聚合物在243 nm和399 nm有吸收峰,能级带隙为2.21 eV,循环伏安法(CV)测试表明聚合物E_(HOMO)为-5.62 eV,E_(LUMO)为-3.41 eV。