一种新型微带DGS低通滤波器设计

文章设计了一种新型的DGS(Defected Ground Structure)单元结构微带线,该DGS单元结构在某频段内具有带阻特性和低通滤波器的特性。文章运用这种新型的DGS单元结构,设计了三级低通滤波器,测试结果和计算结果基本一致。设计的低通滤波器与传统低通滤波器相比,提高了功率容量和性能,说明DGS单元结构在射频电路中有很好的应用前景。     

自调节模拟低通滤波器的研究

通过对有源低通滤波器，频率／电压转换器AD650及其变容二极管的特性分析，提出由信号频率来自调节有源低通滤波器截止频率的新设计方案，并对其可行性进行了分析和研究。     

自调节模拟低通滤波器的研究

通过对有源低通滤波器,频率/电压转换器AD650及其变容二极管的特性分析,提出由信号频率来自调节有源低通滤波器截止频率的新设计方案,并对其可行性进行了分析和研究。     

一种应用于微波平面电路的DGS新技术

文中介绍目前应用于微波平面电路小型化设计领域的一种新技术 DGS结构。在微带线等传输线地平面上蚀刻的 DGS作为一种周期性结构 ,其构造非常简单、性能优越、而且易于设计和实现。通过 HFSS软件对各种 DGS结构进行分析和优化 ,得到的仿真结果表明 ,即使不存在周期结构时 ,单个 DGS单元在某些频率点上也具有谐振特性 ,并且可充分利用其带阻特性抑制谐波分量 ,以提高微波器件性能。因此 DGS结构可广泛应用在天线、谐振器、振荡器、滤波器、功分器、耦合器、放大器等微波电路中 ,以获得常规技术无法实现的小型化和高性能。文章还给出不同 DGS结构的仿真结果比较和应用实例     

应用结构应变测量的航天器随机振动载荷频率收敛特性研究

为了简化航天器随机振动载荷的识别,文章对其频率收敛特性进行了研究。方法是测量随机振动时航天器主结构应变功率谱密度值(PSD),计算不同频段的应变均方根值(RMS),然后分析得到适当的截止频率。通过该方法,获得了从低于100kg到1000kg以上多个级别航天器的应变收敛特性。文章最后就某一航天器随机振动载荷识别时如何选择合适的截止频率提出了建议。     

基于TDICCD相机有源低通滤波器的优化研究

文章通过分析低通滤波器的特性，指出航天TDICCD相机中有源低通滤波器的重要性，提出优化实现的可行性，并给出了具体原理电路及仿真结果。     

毫米波频段LTCC微带到带状线过渡结构设计

文章研究了两种可应用于毫米波频段的LTCC微带到带状线的过渡结构,包括一种微带到带状线的垂直过渡和一种微带到带状线的同层过渡.利用三维电磁场仿真软件对这两种互连过渡结构进行仿真和优化,仿真结果表明在25GHz～ 40GHz的工作频带内微带到带状线垂直过渡的回波损耗大于22dB,在35GHz内端到端插损优于0.5dB,40GHz内插损优于1dB;微带到带状线同层过渡的回波损耗大于32dB,40GHz内端到端插损优于0.5dB.测试结果表明,在40GHz内两种过渡结构的性能优良,能很好地满足工程应用的要求.     

一种分形DGS单元结构设计及其在微带电路中的应用

文章设计出了一种新型的DGS单元——Minkowski分形哑铃DGS单元，并将其应用于微带电路的设计中。利用HFSS软件对相关电路模型进行仿真，结果表明，具有相同尺寸的一阶分形单元电路（缺口深度P=2／3）与普通的哑铃形DGS单元电路比较，谐振频率降低了1．1GHz。利用此分形单元设计电路，可以达到电路小型化的效果。     

相控阵天线扫描盲点抑制技术研究进展

文章分析了具有接地介质板结构和波导结构的相控阵扫描盲点产生的物理机制,阐述了盲点产生满足的条件.对如何预测扫描盲点位置进行了详述.现有的扫描盲点抑制技术有：（1）子阵技术、（2）背腔技术、（3）DGS技术（Defected Grounded Structure）、（4） EBG技术（Electromagnetic Band-Gap）、（5）电磁超材料技术.文章总结分析了各自的优缺点.     

一种小型化双层拓扑的低通LC滤波器

为了实现低通滤波器的轻量化和高效率,设计了一种双层拓扑结构的LC低通滤波器.通过优化设计电感、电容元件的排列方式,选取双层结构来合理布局LC电子元器件,该低通滤波器在整个宽频带条件下达到了优良的工作指标.实验结果表明,该设计方式可以显著提高低通滤波器中电路的工作效率,100 MHz～4000 MHz,低通滤波器工作良好,截止频率为800 MHz,其插损小于1.5 dB;大于800 MHz时,带外抑制大于20 dB.同时,该滤波器采取双层结构,在上下两面放置LC电子元件,使得该滤波器相较于传统的单层板结构,其所占体积较小,适用于对空间体积有严格要求的环境.系统测试实验表明滤波器达到了较好的频率特性.本设计简单、成本低廉,具有较优越的性能指标,且具有较小体积的显著优势,有着非常好的推广应用价值.     

一种小型化双层拓扑的低通LC滤波器

为了实现低通滤波器的轻量化和高效率,设计了一种双层拓扑结构的LC低通滤波器.通过优化设计电感、电容元件的排列方式,选取双层结构来合理布局LC电子元器件,该低通滤波器在整个宽频带条件下达到了优良的工作指标.实验结果表明,该设计方式可以显著提高低通滤波器中电路的工作效率,100 MHz～4000 MHz,低通滤波器工作良好,截止频率为800 MHz,其插损小于1.5 dB;大于800 MHz时,带外抑制大于20 dB.同时,该滤波器采取双层结构,在上下两面放置LC电子元件,使得该滤波器相较于传统的单层板结构,其所占体积较小,适用于对空间体积有严格要求的环境.系统测试实验表明滤波器达到了较好的频率特性.本设计简单、成本低廉,具有较优越的性能指标,且具有较小体积的显著优势,有着非常好的推广应用价值.     

一种小型化双层拓扑的低通LC滤波器

为了实现低通滤波器的轻量化和高效率,设计了一种双层拓扑结构的LC低通滤波器.通过优化设计电感、电容元件的排列方式,选取双层结构来合理布局LC电子元器件,该低通滤波器在整个宽频带条件下达到了优良的工作指标.实验结果表明,该设计方式可以显著提高低通滤波器中电路的工作效率,100 MHz～4000 MHz,低通滤波器工作良好,截止频率为800 MHz,其插损小于1.5 dB;大于800 MHz时,带外抑制大于20 dB.同时,该滤波器采取双层结构,在上下两面放置LC电子元件,使得该滤波器相较于传统的单层板结构,其所占体积较小,适用于对空间体积有严格要求的环境.系统测试实验表明滤波器达到了较好的频率特性.本设计简单、成本低廉,具有较优越的性能指标,且具有较小体积的显著优势,有着非常好的推广应用价值.     

基于TDICCD相机有源低通滤波器的优化研究

文章通过分析低通滤波器的特性,指出航天TDICCD相机中有源低通滤波器的重要性,提出优化实现的可行性,并给出了具体原理电路及仿真结果。     

激励频段对航天器随机振动载荷的影响

在航天器随机振动等效准静态载荷计算中,高频因对随机振动载荷的贡献较小而可以被截去,但目前截止频率的选择还未有完全确定。为确定随机振动环境下的计算频段,文章设计了不同动态特性的组件进行不同截止频率的随机振动试验,并根据试验数据分析研究了不同特性组件在不同振动频段下应变的变化规律。研究结果认为,对于一般组件,随机振动的计算截止频率可取为组件主频率的1.5倍。针对非均匀输入加速度谱的随机振动载荷计算问题,文章提出分频段的分析方法。按3个基本频段计算随机振动载荷,分析得到了不同频段对总随机振动载荷贡献大小和规律,以及截止频率误差的影响因素和影响大小。算例表明,分频段法可以用于不同状态输入加速度谱的随机振动载荷计算。     

左手材料在波导方面的应用

截止频率以下时矩形波导可以看作是一个负介电常数环境,如果在矩形波导的截止频率以上实现负介电常数的环境就可以使电磁波无法传播。左手材料是一种新型材料,是通过结构来实现负磁导率和负介电常数的;文章通过对波导加载左手材料,实现了在矩形波导的截止频率以上出现阻带,可以用做带阻滤波器。     

一种DC-40GHz带状线到共面波导同层过渡结构设计

针对基于微波多层LTCC基板的带状线功分器输入端口存在的大高度差过渡问题,提出一种新型带状线到共面波导宽带同层过渡结构。在传统过渡模型基础上,引入高阻线及共面波导到带状线的交叉过渡形式,使得传输性能有所改善。仿真结果显示,在0GHz~40GHz范围内带状线到共面波导水平过渡的回波损耗小于–20d B,插入损耗小于0.2d B。应用过渡结构的带状线功分器性能指标满足要求,验证了过渡结构设计的可行性和有效性。     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。     

非对称式带状线模式馈电网络

本文概要的介绍了一种新型器件——非对称式带状线模式馈电网络的基本原理,主要技术指标及其相位关系等。该器件体积小、重量轻、结构紧凑、性能稳定、用于按模式馈电的场合既方便又可靠。     

一种宽带平面巴伦的设计

文章设计了一种基于微带和共面带状线转换结构的宽带平面巴伦。该平面巴伦由3节威尔金森功分器和宽带180°移相器构成。首先,根据威尔金森功分器的设计方法,结合市场上电阻的标称值,优化设计了3节宽带威尔金森功分器。其次,基于微带和共面带状线结构设计了宽带的移相器,最后,将宽带移相器加载在3节威尔金森功分器的输出端口,构建了宽带平面巴伦结构。对设计的平面巴伦进行了制作和测试,测试结果表明,该宽带平面巴伦在2.16~6.04GHz频带内,相位不平衡度小于2.8°,在1.13~6.01GHz的频带内,幅度不平衡度小于0.6d B。     

一种半集总微波低通滤波器的设计

文章设计了一种适用于发射机中功放之后抑制谐波的低通滤波器,其设计方法基于半集总参数思路。因要适合大功率场合的使用,该滤波器中所使用的电容是由介质基片上的铜皮与接地面之间形成平行板电容构成,电感则是采用线径为2mm的镀银铜线绕制而成。文中给出了该低通滤波器的设计步骤;仿真结果与测试结果基本吻合,验证了该方法的可行性,具有较强的工程实用价值。