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相似文献
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1.
报导了研制的Ku波段25W固态放大器,高增益级和线性级用模快结构,功分/合成桥采用矩形腔四路同相功分/合成器。阐述了该固态放大器的组成、设计及实验结果。研制的25W固放主要性能为;中心频率11.93GHz,带宽100MHz,输出功率25W,饱和增益56dB,带内增益波动小于0.7dB。该固放已用于Ku波段双路转发器联试实验中。  相似文献   

2.
对矢量调制器的工作原理进行简单分析,设计由两个推挽型双相调制器组成的C波段矢量调制器。采用GaAs FET开关管作为可变阻抗端口,Lange耦合器用来产生正交信号,同相3dB功率合成器作为输出端口。该矢量调制器由九个正交耦合器、一个同相功率合成器和八个有源FET开关管组成。对矢量调制器进行仿真,结果显示,在4GHz~6GHz的工作频带内,可实现输入信号幅度和相位的连续调制。推挽式结构的双相调制器消除了寄生参数对"双相"的影响,幅度响应关于最小控制电压也是对称的。  相似文献   

3.
一种新型螺旋滤波器   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出并实现了一种新的螺旋滤波器耦合结构。该滤波器的屏蔽外控为圆筒形,螺旋谐振器被横向固定在圆筒内,谐振器间不再有模片相隔,它们之间耦合的大小主要取决于谐振器间的相互间距和相对角度。文章列举了几组滤波器的实测结果,其中一组在不加任何特别措施的情况下,相对带宽做到了27%,另有一组具有明显的带外衰减极点。该滤波器结构简单,成本低廉,调节方便,电性能好,很有发展前途。  相似文献   

4.
基于GPS接收机射频前端芯片组,设计一种采用SMIC 0.18μm CMOS工艺的限幅放大器和RSSI电路。电路采用差分结构,减小了电路中器件不匹配的影响。限幅放大器单元采用折叠共源共栅式折叠二极管负载结构,这种结构适合低电源电压工作,同时具有良好的工艺稳定性。直流偏移消除电路采用交叉连接的源极耦合对结构。仿真结果显示,在1.8V的电源电压条件下,限幅放大器增益70dB,带宽100MHz,RSSI的动态范围大于55 dB,线性误差小于1dB,总体功耗约为3.7 mW。  相似文献   

5.
在现今的军用电子系统中,功率放大器起着举足轻重的作用。功率合成器件作为功率放大器的重要组成部分,需要满足高合成效率、高功率耐受能力和小型化的特性要求。基于交错耦合带状线定向耦合器,通过宽带匹配级联设计了一款8 GHz~12 GHz的四路功率合路器。测试结果显示:四路功率合路器的隔离度<-15 dB,回波损耗<-19 dB,合成效率>78.7%。基于该四路功率合成模块研制了一款X频段功率放大器,样机尺寸为52 mm×38 mm×5.5 mm,放大器在8 GHz~12 GHz的最大输出功率为52.2 dBm(40%占空比),插入损耗<1.4 dB。与传统的平面结构相比,基于这种功率合成器的结构更紧凑,合成效率更高,隔离度更好,功率耐受能力更强,适用于卫星通信、雷达和电子对抗等领域。  相似文献   

6.
根据我国双系统卫星导航兼容接收机IC芯片组对于放大器的要求,设计一种基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅电流镜做负载的折叠共源共栅全差分放大器。该放大器具有如下特点:增加共模反馈电路,稳定差分结构的共模输出电压;过渡电容加密勒电容补偿,增强相频特性的稳定。流片测试结果表明,在1.8V电压下,工作频点F1=46MHz、F2=180MHz时,增益均高于24dB,相位裕度为51°,单位增益带宽62.5MHz,共模抑制比为120dB,功耗为1.75mW。各项性能符合设计要求。  相似文献   

7.
介绍了一种采用HEMT管芯研制低噪声放大器(LNA)的设计过程。所研制的产品在Ku频段500MHz带宽内,噪声系数小于2dB,增益大于20dB,与仿真结果吻合较好。  相似文献   

8.
文章提出了一种新型的非对称马刺狭孔结构,该结构具有可调控的双带隙特性,并提出基于LCR谐振器的该马刺狭孔的等效电路模型,建立了通过电磁仿真结果提取其电路参数的方程。采用RBF神经网络建模来辅助设计双带隙马刺狭孔,将该马刺狭孔用于Wilkinson功分器高次谐波的研究。实验结果证明,Wilkinson功分器的二次谐波和三次谐波分别降低27dB和34dB。该功分器在3.8GHz处反射系数为-3.5dB±0.3dB,在3.12GHz时为-3.7dB。  相似文献   

9.
范志良  刘光斌  张博  焦巍 《宇航学报》2013,34(4):552-558
为实现北斗二号导航系统卫星信号模拟器产生的信号对高动态条件下载体特征的准确表示,设计了一种四阶相位合成器。理论分析了由量化误差引起合成器各阶次状态间的误差传递效应,提出了非对称结构的优化设计,以平衡各阶次状态误差对最终相位状态的贡献权值;对非对称合成器进行合理的线性化近似,构建状态偏差平方和的目标函数,并给出了使其最小条件下求解各阶控制量最优值的方法。最后对高动态仿真信号进行捕获跟踪分析,结果表明该合成器合成信号的等效伪距和速度精度可分别达到10 -3 m和10 -4 m/s,优于低阶相位合成器的精度;并通过对比实验,验证了合成器量化位数对合成精度的影响。  相似文献   

10.
本文介绍一种Ku波段串联反馈式GaAsFET介质稳频振荡器(简称KuDRO)。该振荡器由一个Ku波段FET振荡电路及一个高Q、低耗的介质谐振器串联反馈电路组成。其性能指标:在13~18GHz频带内用不同尺寸的介质谐振器在一块MIC基片上分别制出5种点频率的高稳定振荡器,功率输出为10~20mW;室温频率稳定度达2×10~(-5);在-45℃~+70℃温度范围内频率温度系数达±2PPm/℃,功率温度系数为0.02dB/℃相位噪声达-75dBC/Hz;杂波抑制度小于-60dBC;体积为36×30×16mn~3;重量为35g。  相似文献   

11.
研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7~4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14%。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。  相似文献   

12.
本文介绍用于陆地卫星地面站中X波段GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)低噪声放大器的功能、结构及热电致冷器,该冷却器将场放前二只管子冷却到-50℃,整个场效应放大器(由4只管子组成)的性能可与同波段常温参放相比美。对美国SATELINK公司生产的场放进行測试,在8025—8400MHz频带范围内,场放噪声温度小于86.1K,增益大于40dB.在整机中,以太阳为标准源对系统G/T进行测试,当俯仰角≥5°时,G/T≥31.05dB/K,满足原设计指标要求。  相似文献   

13.
设计一种应用于COMPASS/GPS双系统兼容接收机射频芯片的CMOS可变增益放大器。放大器电路的增益由可变跨导和可变输出负载共同实现,并通过指数电压转换电路实现电路增益与控制电压的dB线性变化特性。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺库的仿真结果表明,在保证较小芯片面积及较低功耗的条件下,所设计的可变增益放大器实现了-95dB~32dB的宽动态范围增益控制。  相似文献   

14.
文章利用CREE公司的CGH40006P,完成了VHF频段高效放大器设计,该设计不同于此频段的通常设计方法。设计中,基于连续模放大器FV模式的设计理论,在F类放大器偏置条件和基波阻抗的基础上,通过改变时域电压的波形,得到了连续模FV类模式下的阻抗条件。利用微波波形工程的方法,通过仿真,完成了放大器输出电压电流波形、动态负载线的设计控制以及对应的微波大信号特性。通过空气绕制电感、高Q射频电容及微带线,完成基波、二次谐波和三次谐波的匹配。在165MHz连续波输出情况下,放大器输出功率为39dBm,增益为26dB,功率附加效率为81%。 在150MHz~200MHz、 28%的相对带宽内,最大功率为39.1dBm;在全频带内,功率附加效率大于65%,最大功率附加效率为87.9%。在-40℃~+70℃温度范围内,放大器的输出功率及功率增益差别小于0.15dB。  相似文献   

15.
采用附加寄生单元的方式扩展频段,设计一种新型的PIFA三频手机天线。运用时域有限差分法(FDTD)计算该天线的回波损耗和方向图。仿真结果表明,天线在相应的三个工作频带(GSM900/DCS1800/ISM2450)内回波损耗S11<7.5dB(VSWR<2.5),增益大于0dB i,满足了无线通信系统对频段和带宽的要求。  相似文献   

16.
本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8~12GHz;工作带宽大于2GHz,噪声系数小于3dB,功率增益大于30dB;带内平坦度优于1dB。体积175×48×30mm~2;重量400g。  相似文献   

17.
应用源(或负载)与滤波器内谐振器交叉耦合技术,实现了一腔三模具有类似于椭圆函数传输特性的通道滤波器,在它的通带两边都有一个衰减极点。并利用该项技术研制了测控通道滤波器,成功地应用于卫星输出多工器中。同时本文在控制其衰减极点的情况下,把带宽扩大到36MKz的通信带宽,研制成了三工器样机。把三工器实测的主要电性能技术指标与通常使用的4阶两腔四模椭圆函数通道滤波器的相比较,其结果是各有长处。由此可见,该种特殊耦合的一腔三模滤波器可以作为设计输出多工器中通信通道滤波器的一种新的方案。  相似文献   

18.
基于SMIC 0.181μm CMOS工艺,设计一款可用于1GHz~2GHz射频接收机前端的低噪声放大器。放大器利用共栅结构实现输入阻抗匹配,采用噪声抵消技术实现低噪声,核心电路尺寸为600μm×650μm。仿真结果表明,在1GHz~2GHz频率范围内,输入反射系数小于-10dB,噪声系数低于3.63dB,输入1dB压缩点在1.414GHz为-6.93dBm,在1.8V电源电压下,主体电路的功耗为18.8mW。  相似文献   

19.
张兵 《空间电子技术》2012,(2):58-60,79
EHF频段低噪声放大器是EHF频段接收机系统的关键部件。文章介绍了利用混合集成技术设计的43.5GHz~44.5GHz的低噪声放大器。该低噪放采用BJ400标准矩形波导作为输入输出端口,通过鳍线耦合实现了微带到波导的过渡,采用一种新型电路构型实现电路设计。从测试结果可以看出,采用对脊鳍线过渡方式的EHF频段低噪声放大器中心频率偏移到43GHz,在常温状况下,在42.7GHz~43.2GHz带宽内增益为19dB左右,噪声系数小于5dB。  相似文献   

20.
叙述了3mm微波辐射计接收机前端的级联宽带开关和放大器的设计与实验结果;该级联器件的噪声系数为NF≤3dB,增益G为72dB,带宽范围为100~1000MHz。开关是HP公司的MGS-71008开关管,其3dB带宽为DC~3000MHz,放大器则用AT-41586微波晶体三极管和INA-10386集成微波放大器进行放大器的设计。对放大器的多种因素作了考虑,给出了放大器的电路结构,对级联器件在不同状态作了测试,得到三种曲线。结果表明,用于3mm双通道机载辐射成像系统时,工作稳定,成像效果良好。  相似文献   

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