第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展 |
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作者姓名: | 张宝林 唐林江 陈滔 万成安 |
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摘 要: | 第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势。文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景。
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