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| X波段GaAsFET功率管大信号动态特性 | |
| 引用本文： | 覃正熙.X波段GaAsFET功率管大信号动态特性[J].国际太空,1982(3). |
| 作者姓名： | 覃正熙 |
| 摘 要： | 与普通的没有凹栅(recessed gate)的场效应管相比,有凹栅的场效应管S参数相对功率电平的变化非常小。因此,具有凹栅的场效应管在大信号时的S参数特性能够容易地在小信号条件下通过简单的测量来决定。这些数据已被用来设计有28分贝增益和1千兆赫带宽的12千兆赫3.5瓦放大器。普通的大功率砷化镓场效应晶体管往往在大信号电平时S参数发生变化,三次交调曲线呈现有一局部下陷区,其频率响应曲线因附有寄生振荡而表现出不连续性。为了 |
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