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| 浮栅型单电子存储器的等效电路模型 | |
| 引用本文： | 周少华,熊琦,曾健平,晏敏,曾云. 浮栅型单电子存储器的等效电路模型[J]. 宇航计测技术, 2010, 30(4): 54-57,18 |
| 作者姓名： | 周少华 熊琦 曾健平 晏敏 曾云 |
| 作者单位： | 1. 湖南工程职业技术学院;湖南大学,物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082 2. 湖南工程职业技术学院 3. 湖南大学,物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082 |
| 基金项目： | 湖南省教育厅科学研究资助项目，湖南省科技计划项目，湖南省科技计划资助项目 |
| 摘 要： | 在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态。 |
| 关 键 词： | 等效电路 集总电容 浮栅型硅量子点 单电子存储器 |
Equivalent circuit model of Float Gate Single-Electron Memory |
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| ZHOU Shao-Hua,XIONG Qi,ZENG Jian-Ping,YAN Min,ZENG Yun. Equivalent circuit model of Float Gate Single-Electron Memory[J]. Journal of Astronautic Metrology and Measurement, 2010, 30(4): 54-57,18 | |
| Authors: | ZHOU Shao-Hua XIONG Qi ZENG Jian-Ping YAN Min ZENG Yun |
| Affiliation: | 1. Hunan Vocational College of Engineering and Technology, Changsha; 2. School of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha) |
| Abstract: | Based on analysis of structure and principle in floating gate silicon quantum dot single-electron memory, the lumped capacitance circuit model is obtained. In addtion, the currents is calculated under linear, saturated, sub-threshold circumstances. The storing states at different threshold voltages could be achieved using ＂threshold shift＂ feature of single-electron devices. Simulation results indicate that the model can accurately simulate memory ＂read＂ and ＂write＂ state. |
| Keywords: | Equivalent circuit Lumped capacitance Floating gate silicon quantum dot Singleelectron memory |
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