制造纳米硅的新方法 |
| |
摘 要: | 美国康奈尔大学的两位研究人员即将公布一种制造纳米硅结构的全新方法。这项技术使研究人员有望研制出生物传感器和发光硅显示器等装置。 这种称作受控错位蚀刻 (CED)的新方法,在一块硅表面产生一系列由柱状突起 (研究人员把它们称作“纳米突起” )构成的元件。它们的宽度只有 25纳米,是商用微处理器的最小元件的六分之一。 微电子公司利用光学平版印刷技术生产计算机电路等,但是这项技术受到光线波长的限制。 该大学材料科学教授斯蒂芬·萨斯和化学副教授梅利莎·海因斯认为,这种新蚀刻方法将使他们能生产小到 10纳米的…
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|