| 工艺条件的改变对用大气开放式MOCVD方法制备TiO2薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 李丽娜,谷景华,张跃.工艺条件的改变对用大气开放式MOCVD方法制备TiO2薄膜的影响[J].航空学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 李丽娜 谷景华 张跃 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,改变反应物气化温度、沉积温度、基片与喷嘴的距离、载气流速4种工艺条件在玻璃基片上制备TiO2薄膜.实验结果表明沉积温度主要影响薄膜的物相结构,当沉积温度在300 ℃时沉积物是无定形的;沉积温度为350℃和400℃时,薄膜由单一的锐钛矿相构成;沉积温度在450℃时出现了少量金红石;继续升高沉积温度金红石的量逐渐增加.气化温度、基片与喷嘴的距离、载气流速这3个工艺条件主要影响薄膜的形貌和沉积难易程度.基片类型对薄膜沉积没有影响.
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| 关 键 词： | MOCVD TiO2 基片温度 工艺条件 大气 MOCVD 法制 薄膜沉积 影响 Thin Films the Growth Conditions Different 类型 难易程度 金红石 相构成 锐钛矿 无定形 沉积物 物相结构 结果 实验 |
Effects of Different Conditions on the Growth of TiO2 Thin Films Prepared by AP-MOCVD |
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| LI Li-na,GU Jing-hua,ZHANG Yue.Effects of Different Conditions on the Growth of TiO2 Thin Films Prepared by AP-MOCVD[J].Acta Aeronautica et Astronautica Sinica,2007,28(Z1). |
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| Authors: | LI Li-na GU Jing-hua ZHANG Yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD TiO2 substrate temperature |
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