| 大功率晶体管最优驱动电路研究 |
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| 引用本文： | 沈忠亭,严仰光.大功率晶体管最优驱动电路研究[J].南京航空航天大学学报,2002,34(1):60-64. |
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| 作者姓名： | 沈忠亭 严仰光 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学自动化学院,南京,210016 |
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| 摘 要： | 大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动，提出了一种新型驱动电路，很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时，比例驱动管子工作于深饱和状态，使功率管的损耗达到最小；另一方面在功率管关断时，驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入，在功率管的基极提供很强的基极反抽电流，使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比，本方案由于功率管深度饱和，从而使管子的通态饱和压降降低了0.5V，损耗亦降低了63.4W；另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍，存储时间增加权0.1us，实现了大功率晶体管的最佳驱动。
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| 关 键 词： | 大功率晶体管 驱动电路 饱和压降 存储时间 电路设计 |
| 文章编号： | 1005-2615(2002)01-0060-05 |
| 修稿时间： | 2001年4月2日 |
Analysis of Optimal Driving Circuit for GTR (Giant Transistor) |
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| Shen Zhongting Yan Yangguang College of Automation Engineering,Nanjing University of Aeronautics & Astronautics Nanjing ,P.R.China.Analysis of Optimal Driving Circuit for GTR (Giant Transistor)[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2002,34(1):60-64. |
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| Authors: | Shen Zhongting Yan Yangguang College of Automation Engineering Nanjing University of Aeronautics & Astronautics Nanjing PRChina |
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| Institution: | Shen Zhongting Yan Yangguang College of Automation Engineering,Nanjing University of Aeronautics & Astronautics Nanjing 210016,P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | giant transistor driving circuit saturated voltage drop storage time |
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