| p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究 |
| |
| 引用本文： | 常青原,贾富春,李萌迪,侯斌,杨凌,马晓华. p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究[J]. 空间电子技术, 2023, 20(5): 45-49 |
| |
| 作者姓名： | 常青原 贾富春 李萌迪 侯斌 杨凌 马晓华 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,西安 710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（编号：62104184）;中央高校专项（编号：XJSJ23047） |
| |
| 摘 要： | 由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。
|
| 关 键 词： | p型氮化镓 氧化镓 结终端延伸 肖特基二极管 |
Simulation of p-GaN/n-Ga2O3 junction terminal extended Schottky barrier diode |
| |
| CHANG Qingyuan,JIA Fuchun,LI Mengdi,HOU Bin,YANG Ling,MA Xiaohua. Simulation of p-GaN/n-Ga2O3 junction terminal extended Schottky barrier diode[J]. Space Electronic Technology, 2023, 20(5): 45-49 |
| |
| Authors: | CHANG Qingyuan JIA Fuchun LI Mengdi HOU Bin YANG Ling MA Xiaohua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《空间电子技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《空间电子技术》下载全文 |
|
