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| 光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应评估 | |
| 作者姓名： | 李鹏伟 于庆奎 孟 猛 唐 民 文 平 胡泓波 李家敏 |
| 作者单位： | 1.1. 中国空间技术研究院 宇航物资保障事业部，北京 100029；2. 空间电子信息技术研究院，西安 710100；3. 苏州半导体总厂有限公司，苏州 215007；4. 山东淄博万杰肿瘤医院，淄博 255213 |
| 摘 要： | 文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应，在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究。结果表明:电流传输比是光电耦合器件位移损伤的敏感参数；相同质子等效注量辐照下，70 MeV能量的质子比191.17 MeV能量的质子对光电耦合器的损伤更严重；此外其他条件相同时，较大驱动电流下器件的位移损伤较小。文章还分析了引起光电耦合器件电流传输比退化的原因。 |
| 关 键 词： | 光电耦合器；高能质子；位移损伤；辐射效应评估 |
| 收稿时间： | 2012-02-03 |
| 修稿时间： | 2012-09-14 |
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